PMV55ENEAR: 60V, N-चैनल ट्रेंच MOSFET, SOT23, लॉजिक लेवल, फास्ट स्विचिंग

Nexperia

Nexperia PMV55ENEA एक 60V, N-चैनल एन्हांसमेंट मोड फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर (FET) है जो ट्रेंच MOSFET तकनीक को नियोजित करता है। एक कॉम्पैक्ट SOT23 (TO-236AB) सरफेस-माउंटेड डिवाइस (SMD) प्लास्टिक पैकेज में पैक किया गया, इसे उच्च-घनत्व PCB अनुप्रयोगों के लिए डिज़ाइन किया गया है। यह MOSFET अपनी लॉजिक लेवल संगतता के लिए उल्लेखनीय है, जो इसे अतिरिक्त गेट ड्राइवरों की आवश्यकता के बिना सीधे लॉजिक सर्किट द्वारा संचालित करने में सक्षम बनाता है।

बहुत तेज़ स्विचिंग क्षमताओं की विशेषता के साथ, PMV55ENEA हाई-स्पीड स्विचिंग अनुप्रयोगों के लिए आदर्श है। इसमें अंतर्निहित इलेक्ट्रोस्टैटिक डिस्चार्ज (ESD) सुरक्षा भी शामिल है जो 2 kV HBM से अधिक है, जो संवेदनशील वातावरण में इसकी मजबूती को बढ़ाता है। इसके अलावा, यह AEC-Q101 योग्य है, जो इसे ऑटोमोटिव अनुप्रयोगों के लिए उपयुक्त बनाता है जहां विश्वसनीयता सर्वोपरि है।

• ड्रेन-सोर्स वोल्टेज (VDS): 60V
• गेट-सोर्स वोल्टेज (VGS): ±20V
• ड्रेन करंट (ID): 3.1A VGS = 10V, 25°C पर
• ड्रेन-सोर्स ऑन-स्टेट रेसिस्टेंस (RDSon): 46 से 60mΩ VGS = 10V, ID = 3.1A, 25°C पर
• कुल गेट चार्ज (QG(tot)): 12.7 से 19nC
• स्टेटिक ड्रेन-सोर्स ब्रेकडाउन वोल्टेज (V(BR)DSS): 60V
• गेट-सोर्स थ्रेशोल्ड वोल्टेज (VGSth): 1.3 से 2.7V

• रिले ड्राइवर
• हाई-स्पीड लाइन ड्राइवर
• लो-साइड लोडस्विच
• स्विचिंग सर्किट

N-चैनल MOSFETs एक प्रकार के फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर (FET) हैं जिनका व्यापक रूप से इलेक्ट्रॉनिक सर्किट में सिग्नल स्विच करने और एम्पलीफाई करने के लिए उपयोग किया जाता है। वे स्रोत और ड्रेन टर्मिनलों के बीच करंट के प्रवाह को नियंत्रित करने के लिए एक विद्युत क्षेत्र का उपयोग करके काम करते हैं। N-चैनल चार्ज कैरियर (इलेक्ट्रॉन) के प्रकार को संदर्भित करता है जो डिवाइस के माध्यम से प्रवाहित होते हैं।

N-चैनल MOSFET का चयन करते समय, मुख्य विचारों में ड्रेन-सोर्स वोल्टेज (VDS), गेट-सोर्स वोल्टेज (VGS), ड्रेन करंट (ID), और ड्रेन-सोर्स ऑन-स्टेट प्रतिरोध (RDSon) शामिल हैं। ये पैरामीटर वोल्टेज और करंट स्तरों को संभालने की MOSFET की क्षमता, साथ ही स्विचिंग अनुप्रयोगों में इसकी दक्षता और गति को निर्धारित करते हैं।

MOSFETs बिजली प्रबंधन और रूपांतरण से लेकर सिग्नल प्रोसेसिंग तक, अनुप्रयोगों की एक विस्तृत श्रृंखला में आवश्यक घटक हैं। MOSFET तकनीक का चुनाव, जैसे कि ट्रेंच MOSFET, डिवाइस की प्रदर्शन विशेषताओं को प्रभावित करता है, जिसमें स्विचिंग गति, ऑन-स्टेट प्रतिरोध और ओवरवोल्टेज के खिलाफ मजबूती शामिल है।

इंजीनियरों के लिए, उपयुक्त MOSFET का चयन करने में उनके आवेदन की विशिष्ट आवश्यकताओं को समझना महत्वपूर्ण है। इसमें ऑपरेटिंग वातावरण पर विचार करना शामिल है, जैसे कि तापमान रेंज और संभावित इलेक्ट्रोस्टैटिक डिस्चार्ज की उपस्थिति, जो MOSFET के प्रदर्शन और विश्वसनीयता को प्रभावित कर सकती है।