2N7002K-T1-GE3: N-चैनल 60V MOSFET, SOT-23, कम RDS(on) 2 Ohm, फास्ट स्विचिंग 25ns

Vishay

2N7002K-T1-GE3 Vishay Siliconix का एक N-चैनल MOSFET है, जिसे तेज़ स्विचिंग अनुप्रयोगों के लिए डिज़ाइन किया गया है। यह 60V के ड्रेन-सोर्स वोल्टेज (VDS) पर संचालित होता है, जिसमें अधिकतम ड्रेन करंट (ID) 0.3A है। डिवाइस में 2 ओम का कम ऑन-रेज़िस्टेंस (RDS(on)) होता है जब VGS 10V होता है, जो सर्किट ऑपरेशन में इसकी दक्षता में योगदान देता है। इसके अतिरिक्त, यह 2V (विशिष्ट) के कम थ्रेशोल्ड वोल्टेज और 25ns की तेज़ स्विचिंग गति का दावा करता है, जो उच्च गति वाले सर्किट में इसके प्रदर्शन को बढ़ाता है।

यह MOSFET एक कॉम्पैक्ट SOT-23 (TO-236) पैकेज में आता है, जो इसे जगह की कमी वाले अनुप्रयोगों के लिए उपयुक्त बनाता है। यह कम इनपुट और आउटपुट लीकेज, 25pF का कम इनपुट कैपेसिटेंस भी प्रदान करता है, और 2000V ESD सुरक्षा से लैस है, जो विभिन्न परिचालन स्थितियों में विश्वसनीयता सुनिश्चित करता है। 2N7002K-T1-GE3 को उच्च गति स्विचिंग और कम वोल्टेज ऑपरेशन की आवश्यकता वाले अनुप्रयोगों के लिए डिज़ाइन किया गया है, जो इसे डायरेक्ट लॉजिक-लेवल इंटरफेस, ड्राइवर, बैटरी चालित सिस्टम और सॉलिड-स्टेट रिले के लिए एक आदर्श विकल्प बनाता है।

• ड्रेन-सोर्स वोल्टेज (VDS): 60V
• गेट-सोर्स वोल्टेज (VGS): ±20V
• 25°C पर निरंतर ड्रेन करंट (ID): 0.3A
• पल्स्ड ड्रेन करंट (IDM): 0.8A
• 25°C पर पावर डिसिपेशन (PD): 0.35W
• VGS = 10V पर ऑन-रेसिस्टेंस (RDS(on)): 2 Ohm
• गेट थ्रेशोल्ड वोल्टेज (VGS(th)): 1 - 2.5V
• इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss): 30pF
• टर्न-ऑन टाइम (td(on)): 25ns
• टर्न-ऑफ टाइम (td(off)): 35ns

• डायरेक्ट लॉजिक-लेवल इंटरफ़ेस: TTL/CMOS
• रिले, सोलनॉइड, लैंप, हथौड़ों, डिस्प्ले, यादों, ट्रांजिस्टर के लिए ड्राइवर
• बैटरी संचालित सिस्टम
• सॉलिड-स्टेट रिले

N-चैनल MOSFETs एक प्रकार के फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर (FET) हैं जिनका व्यापक रूप से इलेक्ट्रॉनिक सर्किट में सिग्नल स्विच करने और बढ़ाने के लिए उपयोग किया जाता है। वे अर्धचालक सामग्री में एक चैनल की चालकता को नियंत्रित करने के लिए विद्युत क्षेत्र का उपयोग करके काम करते हैं। N-चैनल MOSFETs विशेष रूप से अपनी उच्च दक्षता और तेज स्विचिंग क्षमताओं के लिए जाने जाते हैं।

N-चैनल MOSFET का चयन करते समय, कई प्रमुख मापदंडों पर विचार किया जाना चाहिए, जिसमें ड्रेन-सोर्स वोल्टेज (VDS), गेट-सोर्स वोल्टेज (VGS), निरंतर ड्रेन करंट (ID), और ऑन-रेसिस्टेंस (RDS(on)) शामिल हैं। ये पैरामीटर विशिष्ट अनुप्रयोगों में वोल्टेज और करंट को संभालने की डिवाइस की क्षमता निर्धारित करते हैं। इसके अतिरिक्त, टर्न-ऑन और टर्न-ऑफ समय द्वारा दर्शाई गई स्विचिंग गति, तेज़ स्विचिंग की आवश्यकता वाले अनुप्रयोगों के लिए महत्वपूर्ण है।

थ्रेशोल्ड वोल्टेज (VGS(th)) एक और महत्वपूर्ण कारक है, जो डिवाइस को चालू करने के लिए आवश्यक न्यूनतम गेट-सोर्स वोल्टेज को इंगित करता है। कम थ्रेशोल्ड वोल्टेज कम-वोल्टेज अनुप्रयोगों में फायदेमंद हो सकते हैं। इनपुट और आउटपुट कैपेसिटेंस स्विचिंग घटनाओं के दौरान स्विचिंग गति और बिजली की खपत को प्रभावित करते हैं।

N-चैनल MOSFETs का उपयोग बिजली प्रबंधन और रूपांतरण से लेकर सिग्नल प्रोसेसिंग और हाई-स्पीड स्विचिंग सर्किट तक, एप्लिकेशन्स की एक विस्तृत श्रृंखला में किया जाता है। उनकी बहुमुखी प्रतिभा और दक्षता उन्हें आधुनिक इलेक्ट्रॉनिक डिज़ाइन में आवश्यक घटक बनाती है।