2N7002KT1G: N-चैनल SOT-23 MOSFET, 60V, 380mA, कम RDS(on)

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onsemi का 2N7002KT1G एक छोटा-सिग्नल N-चैनल MOSFET है जिसे उच्च-दक्षता अनुप्रयोगों के लिए डिज़ाइन किया गया है। एक कॉम्पैक्ट SOT-23 फॉर्म फैक्टर में पैक किया गया, यह MOSFET 60V तक के ड्रेन-टू-सोर्स वोल्टेज (VDSS) और 380mA के अधिकतम ड्रेन करंट (ID) का समर्थन करता है। इसकी विशेषता कम ऑन-रेसिस्टेंस (RDS(on)) है जो 10V पर 1.6Ω और 4.5V पर 2.5Ω के बीच भिन्न होता है, जो सर्किट डिजाइनों में घटक की समग्र दक्षता को बढ़ाता है।

यह घटक इलेक्ट्रोस्टैटिक डिस्चार्ज (ESD) से सुरक्षा के साथ डिज़ाइन किया गया है, जो संवेदनशील अनुप्रयोगों में विश्वसनीयता और स्थायित्व सुनिश्चित करता है। इसका कम RDS(on) बिजली के अपव्यय को कम करने में योगदान देता है, जिससे यह उन अनुप्रयोगों के लिए उपयुक्त हो जाता है जहां बिजली दक्षता महत्वपूर्ण है। 2N7002KT1G AEC-Q101 योग्य और PPAP सक्षम है, जो इसे ऑटोमोटिव अनुप्रयोगों और अन्य परिदृश्यों के लिए उपयुक्त बनाता है जिनके लिए कड़े गुणवत्ता और विश्वसनीयता मानकों की आवश्यकता होती है।

• ड्रेन-टू-सोर्स वोल्टेज (VDSS): 60V
• ड्रेन करंट (ID MAX): 25°C पर 380mA
• RDS(on): 10V पर 1.6Ω, 4.5V पर 2.5Ω
• गेट-टू-सोर्स वोल्टेज (VGS): ±20V
• पावर डिसिपेशन (PD): 420mW
• ESD सुरक्षा: 2000V

• लो साइड लोड स्विच
• लेवल शिफ्ट सर्किट
• DC-DC कन्वर्टर्स
• पोर्टेबल अनुप्रयोग (जैसे, डिजिटल स्टिल कैमरे, PDA, सेल फोन)

MOSFETs (मेटल-ऑक्साइड-सेमीकंडक्टर फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर) इलेक्ट्रॉनिक सर्किट में एक मौलिक घटक हैं, जो स्विच या एम्पलीफायर के रूप में कार्य करते हैं। उनकी उच्च दक्षता, तेज स्विचिंग गति और विभिन्न सर्किट डिजाइनों में एकीकरण में आसानी के लिए उन्हें पसंद किया जाता है। विशेष रूप से, N-चैनल MOSFETs का व्यापक रूप से बिजली रूपांतरण और प्रबंधन अनुप्रयोगों में उपयोग किया जाता है क्योंकि वे महत्वपूर्ण बिजली स्तरों को कुशलतापूर्वक संभालने की क्षमता रखते हैं।

किसी विशिष्ट अनुप्रयोग के लिए MOSFET का चयन करते समय, इंजीनियर ड्रेन-टू-सोर्स वोल्टेज (VDSS), ड्रेन करंट (ID), और ऑन-रेसिस्टेंस (RDS(on)) जैसे मापदंडों पर विचार करते हैं। VDSS पैरामीटर अधिकतम वोल्टेज को इंगित करता है जिसे MOSFET बंद होने पर ब्लॉक कर सकता है, जबकि ID पैरामीटर अधिकतम करंट को निर्दिष्ट करता है जिसे चालू होने पर यह संभाल सकता है। RDS(on) मान ऑपरेशन के दौरान बिजली के नुकसान का आकलन करने के लिए महत्वपूर्ण है, कम मान उच्च दक्षता का संकेत देते हैं।

इन मापदंडों के अलावा, पैकेज का प्रकार और थर्मल विशेषताएं भी महत्वपूर्ण विचार हैं, क्योंकि वे गर्मी को खत्म करने और विभिन्न परिचालन स्थितियों के तहत प्रदर्शन बनाए रखने की MOSFET की क्षमता को प्रभावित करते हैं। ESD प्रतिरोध जैसी सुरक्षा सुविधाएँ भी संवेदनशील अनुप्रयोगों में घटक की विश्वसनीयता और दीर्घायु सुनिश्चित करने के लिए महत्वपूर्ण हैं।

onsemi द्वारा 2N7002KT1G MOSFET इन विचारों का उदाहरण है, जो ऑटोमोटिव और पोर्टेबल उपकरणों सहित अनुप्रयोगों की एक विस्तृत श्रृंखला के लिए प्रदर्शन, दक्षता और विश्वसनीयता का संतुलन प्रदान करता है।