2N7002P,235: 60 V, 360 mA N-चैनल ट्रेंच MOSFET, SOT23 पैकेज
Nexperia

Nexperia द्वारा 2N7002P,235 एक N-चैनल एन्हांसमेंट मोड फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर (FET) है जो ट्रेंच MOSFET तकनीक का उपयोग करता है। एक छोटे SOT23 (TO-236AB) सरफेस-माउंटेड डिवाइस (SMD) प्लास्टिक पैकेज में पैक किया गया, यह विभिन्न अनुप्रयोगों के लिए एक कॉम्पैक्ट समाधान प्रदान करता है। यह घटक अन्य अनुप्रयोगों के अलावा हाई-स्पीड लाइन ड्राइवर, रिले ड्राइवर, लो-साइड लोड स्विच और स्विचिंग सर्किट के रूप में काम करने के लिए डिज़ाइन किया गया है।

इसमें 60 V का ड्रेन-सोर्स वोल्टेज (VDS), -20 से 20 V की गेट-सोर्स वोल्टेज (VGS) रेंज और 25°C पर 360 mA तक का निरंतर ड्रेन करंट (ID) है। डिवाइस को इसकी तेज़ स्विचिंग क्षमताओं और लॉजिक-लेवल संगतता की विशेषता है, जो इसे इलेक्ट्रॉनिक सर्किट की एक विस्तृत श्रृंखला के लिए उपयुक्त बनाती है। 2N7002P,235 भी AEC-Q101 योग्य है, जो ऑटोमोटिव अनुप्रयोगों के लिए इसकी विश्वसनीयता को दर्शाता है।

मुख्य विनिर्देश और विशेषताएं

  • ड्रेन-सोर्स वोल्टेज (VDS): 60 V
  • गेट-सोर्स वोल्टेज (VGS): -20 से 20 V
  • ड्रेन करंट (ID): 360 mA, VGS = 10 V पर; Tamb = 25 °C
  • ड्रेन-सोर्स ऑन-स्टेट रेजिस्टेंस (RDSon): 1 से 1.6 Ω, VGS = 10 V पर; ID = 500 mA
  • कुल पावर डिसिपेशन (Ptot): 350 mW, Tamb = 25 °C पर
  • जंक्शन तापमान (Tj): -55 से 150 °C

2N7002P,235 विकल्प (Substitutes)
समतुल्य वैकल्पिक इलेक्ट्रॉनिक घटक जो 2N7002P,235 के विकल्प के रूप में काम कर सकते हैं, सबसे लोकप्रिय इलेक्ट्रॉनिक घटक पहले

अनुप्रयोग

  • हाई-स्पीड लाइन ड्राइवर
  • रिले ड्राइवर
  • लो-साइड लोडस्विच
  • स्विचिंग सर्किट

श्रेणी

ट्रांजिस्टर

सामान्य जानकारी

N-चैनल MOSFETs एक प्रकार के फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर (FET) हैं जो इलेक्ट्रॉनिक सर्किट में सिग्नल स्विच करने और एम्पलीफाई करने के लिए व्यापक रूप से उपयोग किए जाते हैं। वे ड्रेन और सोर्स टर्मिनलों के बीच करंट के प्रवाह को नियंत्रित करने के लिए एक विद्युत क्षेत्र का उपयोग करके काम करते हैं, जिसे गेट टर्मिनल पर लागू वोल्टेज द्वारा मॉड्यूलेट किया जाता है। N-चैनल चार्ज कैरियर (इलेक्ट्रॉन) के प्रकार को संदर्भित करता है जो डिवाइस में करंट का संचालन करते हैं।

N-चैनल MOSFET का चयन करते समय, ड्रेन-सोर्स वोल्टेज (VDS), गेट-सोर्स वोल्टेज (VGS), और ड्रेन करंट (ID) सहित कई प्रमुख मापदंडों पर विचार किया जाना चाहिए। ये पैरामीटर सर्किट में MOSFET की पावर हैंडलिंग क्षमता और दक्षता निर्धारित करते हैं। ऑन-स्टेट रेजिस्टेंस (RDSon) भी एक महत्वपूर्ण कारक है, क्योंकि यह बिजली की हानि और गर्मी उत्पादन को प्रभावित करता है जब MOSFET चालन कर रहा होता है।

N-चैनल MOSFETs के एप्लिकेशन्स विविध हैं, जो पोर्टेबल उपकरणों में बिजली प्रबंधन से लेकर औद्योगिक एप्लिकेशन्स में मोटर चलाने तक हैं। उनकी तेज़ स्विचिंग क्षमताएं उन्हें हाई-स्पीड स्विचिंग एप्लिकेशन्स के लिए उपयुक्त बनाती हैं, जैसे कि पावर कन्वर्टर्स और इनवर्टर में।

इंजीनियरों को MOSFET की थर्मल विशेषताओं पर भी विचार करना चाहिए, जिसमें थर्मल प्रतिरोध और अधिकतम जंक्शन तापमान शामिल है, ताकि विभिन्न ऑपरेटिंग परिस्थितियों में विश्वसनीय संचालन सुनिश्चित किया जा सके। पैकेजिंग विकल्प, जैसे SOT23 पैकेज, स्थान-बाधित एप्लिकेशन्स के लिए एक कॉम्पैक्ट समाधान प्रदान करते हैं।

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