Nexperia का BSS138BK एक N-चैनल एन्हांसमेंट मोड फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर (FET) है जो एक कॉम्पैक्ट SOT23 (TO-236AB) सरफेस-माउंटेड डिवाइस (SMD) प्लास्टिक पैकेज में उच्च दक्षता और प्रदर्शन प्रदान करने के लिए ट्रेंच MOSFET तकनीक का उपयोग करता है। यह घटक लॉजिक-लेवल संगतता के लिए डिज़ाइन किया गया है, जिसमें बहुत तेज़ स्विचिंग क्षमताएं और 1.5 kV तक इलेक्ट्रोस्टैटिक डिस्चार्ज (ESD) सुरक्षा है, जो इसे उच्च गति स्विचिंग अनुप्रयोगों की एक विस्तृत श्रृंखला के लिए उपयुक्त बनाती है।
प्रमुख विशेषताओं में 60V का ड्रेन-सोर्स वोल्टेज (VDS), ±20V का गेट-सोर्स वोल्टेज (VGS), और 25°C परिवेश के तापमान पर 360mA तक का ड्रेन करंट (ID) शामिल है। BSS138BK VGS = 10V और ID = 350mA पर 1 से 1.6Ω का कम ड्रेन-सोर्स ऑन-स्टेट प्रतिरोध (RDSon) भी प्रदर्शित करता है, जो कुशल संचालन सुनिश्चित करता है। इसकी थर्मल विशेषताएं और मजबूत डिज़ाइन इसे रिले ड्राइवर, लो-साइड लोड स्विच, हाई-स्पीड लाइन ड्राइवर और स्विचिंग सर्किट सहित विभिन्न अनुप्रयोगों में उपयोग के लिए विश्वसनीय बनाते हैं।
ट्रांजिस्टर
N-चैनल MOSFETs एक प्रकार के फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर (FET) हैं जो इलेक्ट्रॉनिक सर्किट में सिग्नल स्विच करने और एम्पलीफाई करने के लिए व्यापक रूप से उपयोग किए जाते हैं। वे एक चैनल के माध्यम से करंट के प्रवाह को नियंत्रित करने के लिए इनपुट वोल्टेज का उपयोग करके काम करते हैं। N-चैनल पदनाम चार्ज वाहकों (इलेक्ट्रॉनों) के प्रकार को संदर्भित करता है जो डिवाइस के माध्यम से चलते हैं।
N-चैनल MOSFET का चयन करते समय, इंजीनियर ड्रेन-सोर्स वोल्टेज (VDS), गेट-सोर्स वोल्टेज (VGS), ड्रेन करंट (ID), और ड्रेन-सोर्स ऑन-स्टेट रेजिस्टेंस (RDSon) जैसे मापदंडों पर विचार करते हैं। ये पैरामीटर डिवाइस की वोल्टेज, करंट और बिजली के स्तर को कुशलतापूर्वक संभालने की क्षमता निर्धारित करते हैं।
N-चैनल MOSFETs को उनकी उच्च दक्षता, तेज स्विचिंग गति और महत्वपूर्ण धाराओं को चलाने की क्षमता के लिए पसंद किया जाता है। वे पावर सप्लाई, मोटर कंट्रोलर और इलेक्ट्रॉनिक स्विच सहित विभिन्न सर्किटों में अनुप्रयोग पाते हैं। N-चैनल MOSFET चुनते समय मुख्य विचारों में विशिष्ट अनुप्रयोग आवश्यकताएं, थर्मल प्रबंधन और ESD प्रतिरोध जैसी सुरक्षा सुविधाओं की आवश्यकता शामिल है।
BSS138BK ट्रेंच MOSFET तकनीक के उपयोग का उदाहरण है, जो ऑन-स्टेट प्रतिरोध को कम करके और स्विचिंग गति में सुधार करके प्रदर्शन को बढ़ाता है। यह इसे कुशल बिजली प्रबंधन और तेज़ स्विचिंग क्षमताओं की आवश्यकता वाले अनुप्रयोगों के लिए उपयुक्त बनाता है।