onsemi का 2N7002LT1G एक N-चैनल MOSFET है जिसे छोटे सिग्नल स्विचिंग अनुप्रयोगों के लिए डिज़ाइन किया गया है। एक कॉम्पैक्ट SOT-23 पैकेज में स्थित, यह MOSFET 60V तक के ड्रेन-सोर्स वोल्टेज (VDSS) और 25°C पर 115mA के निरंतर ड्रेन करंट (ID) का समर्थन करता है। इसमें VGS = 10V पर 7.5 ओम का कम ऑन-स्टेट प्रतिरोध (RDS(on)) है, जो सर्किट ऑपरेशन में इसकी दक्षता को बढ़ाता है।
डिवाइस FR-5 बोर्ड पर 556 °C/W के अधिकतम जंक्शन-टू-एम्बिएंट थर्मल प्रतिरोध (RθJA) के साथ मजबूत थर्मल प्रदर्शन भी प्रदान करता है। उच्च तापीय दक्षता की आवश्यकता वाले अनुप्रयोगों के लिए, एल्यूमिना सब्सट्रेट पर डिवाइस का प्रदर्शन 417 °C/W का बेहतर RθJA दिखाता है। 2N7002LT1G को 800mA तक स्पंदित ड्रेन धाराओं (IDM) को संभालने के लिए डिज़ाइन किया गया है, जो डिज़ाइन आवश्यकताओं की एक श्रृंखला के लिए लचीलापन प्रदान करता है। इसकी गतिशील विशेषताओं में इनपुट, आउटपुट और रिवर्स ट्रांसफर कैपेसिटेंस शामिल हैं, जो स्विचिंग अनुप्रयोगों में सटीक मॉडलिंग की सुविधा प्रदान करते हैं।
MOSFET
MOSFETs (मेटल-ऑक्साइड-सेमीकंडक्टर फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर) एक प्रकार के ट्रांजिस्टर हैं जिनका उपयोग इलेक्ट्रॉनिक संकेतों को बढ़ाने या स्विच करने के लिए किया जाता है। उनके उच्च इनपुट प्रतिबाधा (impedance) के कारण इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों में उनका व्यापक रूप से उपयोग किया जाता है, जो इनपुट स्रोत से करंट ड्रॉ को कम करता है, और उच्च गति पर काम करने की उनकी क्षमता के कारण। N-चैनल MOSFETs, जैसे 2N7002LT1G, तब संचालित होते हैं जब स्रोत के सापेक्ष गेट पर सकारात्मक वोल्टेज लगाया जाता है, जिससे वे बिजली प्रबंधन, लोड स्विचिंग और सिग्नल एम्पलीफिकेशन सहित विभिन्न अनुप्रयोगों के लिए उपयुक्त हो जाते हैं।
किसी विशिष्ट एप्लिकेशन के लिए MOSFET का चयन करते समय, विचार करने के लिए महत्वपूर्ण मापदंडों में ड्रेन-सोर्स वोल्टेज (VDSS), ड्रेन करंट (ID), ऑन-स्टेट रेजिस्टेंस (RDS(on)), और थर्मल विशेषताएं शामिल हैं। VDSS रेटिंग अधिकतम वोल्टेज को इंगित करती है जिसे MOSFET बंद होने पर ब्लॉक कर सकता है, जबकि ID रेटिंग अधिकतम करंट प्रदान करती है जिसे यह चालू होने पर संचालित कर सकता है। RDS(on) मान बिजली दक्षता के लिए महत्वपूर्ण है, क्योंकि कम मानों के परिणामस्वरूप कम बिजली अपव्यय होता है। थर्मल विशेषताएं, जैसे जंक्शन-टू-एम्बिएंट थर्मल रेजिस्टेंस (RθJA), यह सुनिश्चित करने के लिए भी महत्वपूर्ण हैं कि डिवाइस सुरक्षित तापमान सीमा के भीतर संचालित हो।
इन मापदंडों के अलावा, MOSFET की स्विचिंग विशेषताएँ, जैसे टर्न-ऑन और टर्न-ऑफ समय, तेज़ स्विचिंग गति की आवश्यकता वाले अनुप्रयोगों के लिए महत्वपूर्ण हैं। बॉडी-डायोड विशेषताएँ, जो ड्रेन और सोर्स के बीच आंतरिक डायोड के व्यवहार का वर्णन करती हैं, रिवर्स करंट प्रवाह वाले अनुप्रयोगों के लिए प्रासंगिक हैं। कुल मिलाकर, MOSFET का चयन इच्छित एप्लिकेशन की विशिष्ट आवश्यकताओं को पूरा करने के लिए इसके विद्युत और थर्मल प्रदर्शन के व्यापक मूल्यांकन पर आधारित होना चाहिए।