2N7002H6327XTSA2: N-चैनल MOSFET, 60V, 0.3A, RDS(on) 3Ω अधिकतम, लॉजिक लेवल, फास्ट स्विचिंग
Infineon

Infineon का 2N7002H6327XTSA2 एक N-चैनल एन्हांसमेंट-मोड MOSFET है जिसे हाई-स्पीड स्विचिंग अनुप्रयोगों के लिए डिज़ाइन किया गया है। यह घटक 60V के अधिकतम ड्रेन-सोर्स वोल्टेज (VDS) के साथ संचालित होता है और 25°C पर 0.3A तक निरंतर ड्रेन धाराओं (ID) को संभाल सकता है। VGS=10V पर 3Ω के अधिकतम ऑन-स्टेट रेजिस्टेंस (RDS(on)) के साथ, यह अपने आकार के लिए कुशल बिजली हैंडलिंग क्षमता प्रदान करता है। डिवाइस में लॉजिक लेवल संगतता भी है, जिससे इसे सीधे कम-वोल्टेज लॉजिक सिग्नल द्वारा संचालित किया जा सकता है।

यह MOSFET एवलांच रेटेड है, जो ऑपरेशन के दौरान ऊर्जा स्पाइक्स को संभालने में इसकी मजबूती को दर्शाता है। इसकी तेज़ स्विचिंग विशेषताएँ इसे उच्च-आवृत्ति अनुप्रयोगों के लिए उपयुक्त बनाती हैं। 2N7002H6327XTSA2 एक कॉम्पैक्ट PG-SOT23 पैकेज में पैक किया गया है, जो इसे जगह की कमी वाले अनुप्रयोगों के लिए आदर्श बनाता है। यह RoHS अनुपालन और हैलोजन-मुक्त भी है, जो वर्तमान पर्यावरणीय मानकों का पालन करता है।

मुख्य विनिर्देश और विशेषताएं

  • ड्रेन-सोर्स वोल्टेज (VDS): 60V
  • निरंतर ड्रेन करंट (ID) 25°C पर: 0.3A
  • स्पंदित ड्रेन करंट (ID,pulse): 1.2A
  • ऑन-स्टेट प्रतिरोध (RDS(on)) अधिकतम: 3Ω VGS=10V पर
  • लॉजिक लेवल संगत
  • एवलांच रेटेड
  • फास्ट स्विचिंग
  • पैकेज: PG-SOT23

2N7002H6327XTSA2 डेटाशीट

2N7002H6327XTSA2 डेटाशीट (PDF)

2N7002H6327XTSA2 विकल्प (Substitutes)
समतुल्य वैकल्पिक इलेक्ट्रॉनिक घटक जो 2N7002H6327XTSA2 के विकल्प के रूप में काम कर सकते हैं, सबसे लोकप्रिय इलेक्ट्रॉनिक घटक पहले

अनुप्रयोग

  • हाई-स्पीड स्विचिंग अनुप्रयोग
  • पावर मैनेजमेंट सर्किट
  • DC-DC कन्वर्टर्स
  • मोटर कंट्रोल सर्किट

श्रेणी

ट्रांजिस्टर

सामान्य जानकारी

MOSFETs (मेटल-ऑक्साइड-सेमीकंडक्टर फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर) एक प्रकार के ट्रांजिस्टर हैं जिनका उपयोग इलेक्ट्रॉनिक संकेतों को बढ़ाने या स्विच करने के लिए किया जाता है। वे आधुनिक इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों में मूलभूत घटक हैं, जो बिजली प्रबंधन से लेकर सिग्नल प्रोसेसिंग तक के अनुप्रयोगों की एक विस्तृत श्रृंखला की सेवा करते हैं। N-चैनल MOSFETs, जैसे कि 2N7002H6327XTSA2, को ड्रेन और सोर्स टर्मिनलों के बीच संचालन करने के लिए डिज़ाइन किया गया है जब सोर्स के सापेक्ष गेट पर सकारात्मक वोल्टेज लागू किया जाता है।

किसी विशेष अनुप्रयोग के लिए MOSFET का चयन करते समय, ड्रेन-सोर्स वोल्टेज (VDS), ड्रेन करंट (ID), और ऑन-स्टेट रेजिस्टेंस (RDS(on)) जैसे प्रमुख मापदंडों पर विचार करना महत्वपूर्ण है। ये पैरामीटर डिवाइस की वोल्टेज और करंट हैंडलिंग क्षमताओं के साथ-साथ इसकी दक्षता को निर्धारित करते हैं। लॉजिक लेवल कम्पैटिबिलिटी एक और महत्वपूर्ण कारक है, विशेष रूप से कम-वोल्टेज अनुप्रयोगों में जहां MOSFET को सीधे माइक्रोकंट्रोलर या अन्य लॉजिक डिवाइस द्वारा संचालित करने की आवश्यकता होती है।

जिस गति से MOSFET स्विच ऑन और ऑफ हो सकता है वह उच्च-आवृत्ति अनुप्रयोगों में महत्वपूर्ण है। तेज स्विचिंग बिजली के नुकसान को कम करती है और दक्षता में सुधार करती है। इसके अतिरिक्त, जो उपकरण एवलांच रेटेड हैं, वे उन स्थितियों में बढ़ी हुई विश्वसनीयता प्रदान करते हैं जहां वोल्टेज स्पाइक्स हो सकते हैं। पैकेजिंग भी एक विचार है, जिसमें PG-SOT23 जैसे कॉम्पैक्ट पैकेज स्थान-कुशल डिज़ाइन की अनुमति देते हैं।

संक्षेप में, MOSFET के चयन में इसकी विद्युत विशेषताओं, ड्राइविंग सिग्नल के साथ संगतता, स्विचिंग प्रदर्शन और भौतिक आकार का सावधानीपूर्वक मूल्यांकन शामिल है। इन पहलुओं को समझने से इच्छित अनुप्रयोग में इष्टतम प्रदर्शन सुनिश्चित होगा।

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