2N7002-7-F: N-चैनल MOSFET, 60V, 210mA, SOT-23, RDS(ON) 7.5Ω
Diodes Inc.

2N7002-7-F एक N-चैनल एन्हांसमेंट मोड MOSFET है जिसे बेहतर स्विचिंग प्रदर्शन बनाए रखते हुए कम ऑन-स्टेट रेसिस्टेंस (RDS(ON)) प्रदान करने के लिए डिज़ाइन किया गया है। इस MOSFET में 60V का अधिकतम ड्रेन-सोर्स वोल्टेज (VDSS), 210mA का निरंतर ड्रेन करंट (ID), और 5V के गेट-सोर्स वोल्टेज (VGS) पर 7.5Ω का अधिकतम RDS(ON) है। इसका डिज़ाइन बिजली प्रबंधन अनुप्रयोगों में उच्च दक्षता के लिए अनुकूलित है, जो एक छोटे सतह माउंट SOT-23 पैकेज में कम गेट थ्रेशोल्ड वोल्टेज, कम इनपुट कैपेसिटेंस और तेज स्विचिंग गति को जोड़ता है।

यह घटक मोटर नियंत्रण और बिजली प्रबंधन कार्यों सहित कई अनुप्रयोगों के लिए उपयुक्त है, जहां कुशल बिजली प्रबंधन और विश्वसनीय प्रदर्शन महत्वपूर्ण हैं। 2N7002-7-F Diodes Inc. द्वारा निर्मित है और पूरी तरह से RoHS मानकों के अनुरूप है, जो इसे पर्यावरण के प्रति जागरूक अनुप्रयोगों के लिए एक उपयुक्त विकल्प बनाता है।

मुख्य विनिर्देश और विशेषताएं

  • ड्रेन-सोर्स वोल्टेज (VDSS): 60V
  • कंटीन्यूअस ड्रेन करंट (ID): 210mA
  • स्टेटिक ड्रेन-सोर्स ऑन-रेसिस्टेंस (RDS(ON)): 7.5Ω VGS=5V पर
  • गेट-सोर्स वोल्टेज (VGSS): ±20V निरंतर, ±40V स्पंदित
  • पावर डिसिपेशन (PD): 370mW TA=25°C पर
  • थर्मल रेसिस्टेंस, जंक्शन टू एम्बिएंट (RθJA): 348°C/W
  • पैकेज: SOT-23

2N7002-7-F डेटाशीट

2N7002-7-F डेटाशीट (PDF)

2N7002-7-F विकल्प (Substitutes)
समतुल्य वैकल्पिक इलेक्ट्रॉनिक घटक जो 2N7002-7-F के विकल्प के रूप में काम कर सकते हैं, सबसे लोकप्रिय इलेक्ट्रॉनिक घटक पहले

अनुप्रयोग

  • मोटर नियंत्रण
  • पावर प्रबंधन कार्य

श्रेणी

ट्रांजिस्टर

सामान्य जानकारी

N-चैनल एन्हांसमेंट मोड MOSFETs का व्यापक रूप से इलेक्ट्रॉनिक सर्किट में स्विचिंग अनुप्रयोगों में उनकी दक्षता और विश्वसनीयता के लिए उपयोग किया जाता है। ये घटक गेट टर्मिनल पर पर्याप्त वोल्टेज लागू होने पर ड्रेन और सोर्स टर्मिनलों के बीच करंट को प्रवाहित करने की अनुमति देकर काम करते हैं, प्रभावी रूप से एक स्विच के रूप में कार्य करते हैं। N-चैनल पदनाम चार्ज वाहक (इलेक्ट्रॉन) के प्रकार को संदर्भित करता है जो डिवाइस के माध्यम से करंट का संचालन करते हैं।

N-चैनल MOSFET का चयन करते समय, इंजीनियर कई प्रमुख मापदंडों पर विचार करते हैं, जिसमें ड्रेन-सोर्स वोल्टेज (VDSS), ड्रेन करंट (ID), और स्टेटिक ड्रेन-सोर्स ऑन-रेसिस्टेंस (RDS(ON)) शामिल हैं। ये पैरामीटर एप्लिकेशन की वोल्टेज और करंट आवश्यकताओं को संभालने की MOSFET की क्षमता, साथ ही इसकी दक्षता निर्धारित करते हैं। गेट-सोर्स वोल्टेज (VGSS) भी महत्वपूर्ण है, क्योंकि यह डिवाइस को चालू और बंद करने के लिए आवश्यक वोल्टेज को प्रभावित करता है।

कुशल बिजली प्रबंधन और तेज़ स्विचिंग की आवश्यकता वाले अनुप्रयोगों में, MOSFET की कम RDS(ON) और तेज़ स्विचिंग गति विशेष रूप से मूल्यवान है। छोटा पैकेज आकार, जैसे SOT-23, जगह की कमी वाले डिज़ाइनों के लिए भी फायदेमंद है। इसके अतिरिक्त, RoHS जैसे पर्यावरणीय मानकों का अनुपालन अक्सर कंपोनेंट चयन में एक विचार होता है।

कुल मिलाकर, 2N7002-7-F जैसे N-चैनल MOSFETs मोटर नियंत्रण से लेकर पावर मैनेजमेंट कार्यों तक, अनुप्रयोगों की एक विस्तृत श्रृंखला के लिए आवश्यक हैं, जहां कुशल और विश्वसनीय पावर स्विचिंग की आवश्यकता होती है।

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