2N7002LT3G onsemi का एक N-चैनल MOSFET है, जिसे छोटे सिग्नल अनुप्रयोगों के लिए डिज़ाइन किया गया है और एक कॉम्पैक्ट SOT-23 पैकेज में रखा गया है। यह घटक 60V का ड्रेन-सोर्स वोल्टेज (VDSS) और 115mA का अधिकतम ड्रेन करंट (ID) प्रदान करता है, जो इसे विभिन्न प्रकार के कम-शक्ति अनुप्रयोगों के लिए उपयुक्त बनाता है। इसकी विशेषता इसका कम ऑन-स्टेट प्रतिरोध और उच्च गति स्विचिंग क्षमताएं हैं। डिवाइस AEC-Q101 योग्य है, जो इसे ऑटोमोटिव अनुप्रयोगों के लिए उपयुक्त बनाता है, और यह Pb-Free, Halogen Free/BFR Free और RoHS अनुपालन भी है, जो पर्यावरणीय स्थिरता के लिए onsemi की प्रतिबद्धता को दर्शाता है।
MOSFET में 10V पर 7.5Ω का अधिकतम RDS(on) है, जो न्यूनतम बिजली हानि के साथ करंट संचालित करने में इसकी दक्षता को इंगित करता है। यह 800mA तक के स्पंदित ड्रेन करंट (IDM) का भी समर्थन करता है, जिससे क्षणिक उच्च करंट संचालन की अनुमति मिलती है। डिवाइस की थर्मल विशेषताएं विश्वसनीय संचालन सुनिश्चित करती हैं, जिसमें अधिकतम जंक्शन तापमान 150°C है। इसकी गतिशील विशेषताओं में 50pF का इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) शामिल है, जो इसे हाई-स्पीड स्विचिंग एप्लिकेशन्स में उत्तरदायी बनाता है।
MOSFET
MOSFETs (मेटल-ऑक्साइड-सेमीकंडक्टर फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर) एक प्रकार के ट्रांजिस्टर हैं जिनका उपयोग इलेक्ट्रॉनिक संकेतों को बढ़ाने या स्विच करने के लिए किया जाता है। वे अपने गेट, ड्रेन और सोर्स टर्मिनलों की विशेषता रखते हैं। N-चैनल MOSFETs, जैसे कि 2N7002LT3G, करंट का संचालन करते हैं जब सोर्स के सापेक्ष गेट पर सकारात्मक वोल्टेज लगाया जाता है, जिससे वे विभिन्न प्रकार के स्विचिंग अनुप्रयोगों के लिए उपयुक्त हो जाते हैं।
किसी विशिष्ट अनुप्रयोग के लिए MOSFET का चयन करते समय, इंजीनियर ड्रेन-सोर्स वोल्टेज (VDSS), ड्रेन करंट (ID), गेट-सोर्स वोल्टेज (VGS), और स्टेटिक ड्रेन-सोर्स ऑन-स्टेट रेजिस्टेंस (RDS(on)) जैसे मापदंडों पर विचार करते हैं। ये पैरामीटर वोल्टेज और करंट को संभालने की MOSFET की क्षमता, इसकी दक्षता और हाई-स्पीड स्विचिंग अनुप्रयोगों के लिए इसकी उपयुक्तता निर्धारित करते हैं। थर्मल विशेषताएँ भी महत्वपूर्ण हैं, क्योंकि वे विभिन्न परिचालन स्थितियों के तहत डिवाइस की विश्वसनीयता और दीर्घायु को प्रभावित करती हैं।
MOSFETs का व्यापक रूप से बिजली प्रबंधन सर्किट, मोटर नियंत्रण प्रणालियों और विभिन्न इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों में लोड की स्विचिंग में उपयोग किया जाता है। तेजी से और उच्च दक्षता के साथ स्विच करने की उनकी क्षमता उन्हें इलेक्ट्रॉनिक प्रणालियों में बिजली की खपत और गर्मी उत्पादन को कम करने में मूल्यवान बनाती है। इसके अतिरिक्त, N-Channel और P-Channel MOSFETs के बीच का चुनाव सर्किट की विशिष्ट आवश्यकताओं पर निर्भर करता है, जिसमें करंट के प्रवाह की दिशा और संचालित किए जा रहे लोड का प्रकार शामिल है।
कुल मिलाकर, MOSFET के चयन में इसकी विद्युत विशेषताओं, थर्मल प्रदर्शन और अनुप्रयोग की विशिष्ट आवश्यकताओं का सावधानीपूर्वक विश्लेषण शामिल है। विश्वसनीयता, दक्षता और पर्यावरणीय मानकों का अनुपालन भी चयन प्रक्रिया में प्रमुख विचार हैं।