2N7002K_R1_00001: 60V N-चैनल MOSFET, SOT-23, ESD संरक्षित, RDS(on) < 4Ω

Panjit

2N7002K एक 60V N-चैनल एन्हांसमेंट मोड MOSFET है जिसे उच्च-प्रदर्शन स्विचिंग अनुप्रयोगों के लिए डिज़ाइन किया गया है। इसमें उन्नत ट्रेंच प्रक्रिया तकनीक है जो अल्ट्रा-लो ऑन-रेजिस्टेंस और ऑफ स्थिति में बहुत कम लीकेज करंट को सक्षम बनाती है, जिससे यह बिजली प्रबंधन कार्यों के लिए अत्यधिक कुशल हो जाता है। MOSFET 2KV HBM तक ESD संरक्षित है, जो संवेदनशील वातावरण में मजबूती सुनिश्चित करता है।

यह घटक विशेष रूप से बैटरी-संचालित प्रणालियों के लिए डिज़ाइन किया गया है और सॉलिड-स्टेट रिले, डिस्प्ले और मेमोरी मॉड्यूल को चलाने के लिए आदर्श है। इसका कॉम्पैक्ट SOT-23 पैकेज जगह बचाने वाले डिज़ाइन की अनुमति देता है, जबकि उच्च-घनत्व सेल डिज़ाइन इसके कम ऑन-रेसिस्टेंस (low on-resistance) में योगदान देता है। 60V के अधिकतम ड्रेन-सोर्स वोल्टेज और 300mA की निरंतर ड्रेन करंट क्षमता के साथ, यह MOSFET अनुप्रयोगों की एक विस्तृत श्रृंखला के लिए बहुमुखी है।

• ड्रेन-सोर्स वोल्टेज (VDS): 60V
• निरंतर ड्रेन करंट (ID): 300mA
• स्पंदित ड्रेन करंट (IDM): 2000mA
• RDS(on) @ VGS=10V, ID=500mA: <3Ω
• RDS(on) @ VGS=4.5V, ID=200mA: <4Ω
• ESD सुरक्षा: 2KV HBM
• पैकेज: SOT-23

• बैटरी से चलने वाले सिस्टम
• सॉलिड-स्टेट रिले ड्राइवर
• डिस्प्ले मॉड्यूल
• मेमोरी मॉड्यूल

N-चैनल MOSFETs इलेक्ट्रॉनिक सर्किट में एक महत्वपूर्ण घटक हैं, जो विद्युत संकेतों के लिए स्विच या एम्पलीफायर के रूप में कार्य करते हैं। उनकी दक्षता, विश्वसनीयता और महत्वपूर्ण शक्ति स्तरों को संभालने की क्षमता के कारण उनका व्यापक रूप से उपयोग किया जाता है। N-चैनल MOSFET का चयन करते समय, ड्रेन-सोर्स वोल्टेज (VDS), गेट-सोर्स वोल्टेज (VGS), निरंतर ड्रेन करंट (ID), और स्टेटिक ड्रेन-सोर्स ऑन-रेजिस्टेंस (RDS(on)) जैसे कारक सर्वोपरि हैं। ये पैरामीटर अत्यधिक गर्मी पैदा किए बिना करंट प्रवाह को कुशलतापूर्वक नियंत्रित करने की MOSFET की क्षमता निर्धारित करते हैं।

2N7002K MOSFET अल्ट्रा-लो ऑन-रेसिस्टेंस के लिए उन्नत ट्रेंच प्रक्रिया तकनीक का उपयोग करता है, जो बिजली प्रबंधन अनुप्रयोगों में बिजली के नुकसान को कम करने और दक्षता में सुधार के लिए महत्वपूर्ण है। इसकी ESD सुरक्षा सुविधा इसे उन वातावरणों में उपयोग के लिए उपयुक्त बनाती है जहां इलेक्ट्रोस्टैटिक डिस्चार्ज इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों के संचालन के लिए जोखिम पैदा कर सकता है। इसके अतिरिक्त, इसका कॉम्पैक्ट SOT-23 पैकेज उन डिजाइनों के लिए फायदेमंद है जहां जगह की कमी है।

किसी विशिष्ट अनुप्रयोग के लिए MOSFET चुनते समय, ऑपरेटिंग वातावरण पर विचार करना महत्वपूर्ण है, जिसमें तापमान और इलेक्ट्रोस्टैटिक डिस्चार्ज के संभावित संपर्क शामिल हैं। 2N7002K का उच्च-घनत्व सेल डिज़ाइन और बहुत कम लीकेज करंट इसे बैटरी से चलने वाले सिस्टम के लिए एक उत्कृष्ट विकल्प बनाता है, जहाँ बिजली दक्षता महत्वपूर्ण है। इसके अलावा, सॉलिड-स्टेट रिले और अन्य कम-शक्ति वाले उपकरणों को चलाने की इसकी क्षमता इसे इलेक्ट्रॉनिक डिज़ाइनों की एक विस्तृत श्रृंखला के लिए एक बहुमुखी घटक बनाती है।

संक्षेप में, 2N7002K N-चैनल MOSFET एक अत्यधिक कुशल, ESD-संरक्षित घटक है जो विभिन्न प्रकार के अनुप्रयोगों के लिए उपयुक्त है। इसकी उन्नत तकनीक और कॉम्पैक्ट पैकेजिंग विश्वसनीय और स्थान-कुशल समाधान चाहने वाले इंजीनियरों के लिए महत्वपूर्ण लाभ प्रदान करती है।