PMV120ENEAR: 60V, N-चैनल ट्रेंच MOSFET, SOT23 पैकेज, लॉजिक लेवल संगत

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PMV120ENEA एक N-चैनल एन्हांसमेंट मोड फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर (FET) है जो Trench MOSFET तकनीक का उपयोग करता है, जो एक कॉम्पैक्ट SOT23 (TO-236AB) सरफेस-माउंटेड डिवाइस (SMD) प्लास्टिक पैकेज में स्थित है। यह घटक इलेक्ट्रॉनिक सर्किट के भीतर कुशल बिजली प्रबंधन के लिए डिज़ाइन किया गया है, जो फास्ट स्विचिंग क्षमताओं और लॉजिक लेवल संगतता की पेशकश करता है, जिससे यह अनुप्रयोगों की एक विस्तृत श्रृंखला के लिए उपयुक्त हो जाता है।

मुख्य विशेषताओं में ह्यूमन बॉडी मॉडल (HBM) के अनुसार 2 kV से अधिक इलेक्ट्रोस्टैटिक डिस्चार्ज (ESD) सुरक्षा शामिल है, जो कठोर वातावरण में मजबूती और विश्वसनीयता सुनिश्चित करती है। इसके अतिरिक्त, PMV120ENEA AEC-Q101 योग्य है, जो ऑटोमोटिव अनुप्रयोगों के लिए इसकी उपयुक्तता को दर्शाता है। इसकी ट्रेंच MOSFET तकनीक पारंपरिक MOSFETs की तुलना में बिजली दक्षता और थर्मल प्रबंधन के मामले में बेहतर प्रदर्शन को सक्षम बनाती है।

• ड्रेन-सोर्स वोल्टेज (VDS): 60V अधिकतम
• गेट-सोर्स वोल्टेज (VGS): ±20V
• ड्रेन करंट (ID): 2.1A, VGS = 10V, 25°C पर
• ड्रेन-सोर्स ऑन-स्टेट रेजिस्टेंस (RDSon): 96 से 123mΩ, VGS = 10V, ID = 2.1A, 25°C पर
• कुल गेट चार्ज (QG(tot)): 5.9 से 7.4nC
• ESD सुरक्षा: >2kV HBM

• रिले ड्राइवर
• हाई-स्पीड लाइन ड्राइवर
• लो-साइड लोडस्विच
• स्विचिंग सर्किट

N-चैनल MOSFETs एक प्रकार के फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर (FET) हैं जिनका व्यापक रूप से इलेक्ट्रॉनिक सर्किट में सिग्नलों को स्विच करने और एम्पलीफाई करने के लिए उपयोग किया जाता है। वे सोर्स और ड्रेन टर्मिनलों के बीच करंट के प्रवाह को नियंत्रित करने के लिए एक विद्युत क्षेत्र का उपयोग करके काम करते हैं। N-चैनल पदनाम चार्ज वाहक के रूप में नकारात्मक रूप से चार्ज किए गए इलेक्ट्रॉनों के उपयोग को संदर्भित करता है।

N-चैनल MOSFET का चयन करते समय, ड्रेन-सोर्स वोल्टेज, गेट-सोर्स वोल्टेज, ड्रेन करंट और ऑन-स्टेट प्रतिरोध सहित कई प्रमुख मापदंडों पर विचार किया जाना चाहिए। ये पैरामीटर वोल्टेज और करंट स्तरों को संभालने की MOSFET की क्षमता, साथ ही इसकी दक्षता और थर्मल प्रदर्शन को निर्धारित करते हैं।

MOSFETs बिजली प्रबंधन, लोड ड्राइविंग और सिग्नल स्विचिंग अनुप्रयोगों में आवश्यक घटक हैं। उनकी तेज़ स्विचिंग गति, उच्च दक्षता और महत्वपूर्ण शक्ति स्तरों को संभालने की क्षमता उन्हें उपभोक्ता इलेक्ट्रॉनिक्स से लेकर ऑटोमोटिव सिस्टम तक, अनुप्रयोगों की एक विस्तृत श्रृंखला के लिए उपयुक्त बनाती है।

Trench MOSFET तकनीक, जैसा कि PMV120ENEA में उपयोग किया जाता है, ऑन-स्टेट प्रतिरोध को कम करके और थर्मल विशेषताओं को बढ़ाकर बेहतर प्रदर्शन प्रदान करती है, जिससे बिजली का अधिक कुशल उपयोग होता है और गर्मी का उत्पादन कम होता है। यह तकनीक विशेष रूप से उच्च शक्ति घनत्व और दक्षता की आवश्यकता वाले अनुप्रयोगों में फायदेमंद है।