PMV230ENEAR: 60V, N-चैनल ट्रेंच MOSFET, SOT23 पैकेज, लॉजिक लेवल, फास्ट स्विचिंग
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PMV230ENEAR एक N-चैनल एन्हांसमेंट मोड फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर (FET) है जो एक कॉम्पैक्ट SOT23 (TO-236AB) सरफेस-माउंटेड डिवाइस (SMD) प्लास्टिक पैकेज में इनकैप्सुलेटेड है। ट्रेंच MOSFET तकनीक का उपयोग करते हुए, यह घटक विभिन्न इलेक्ट्रॉनिक सर्किट में बेहतर प्रदर्शन प्रदान करता है। इसका डिज़ाइन तेज़ स्विचिंग और लॉजिक लेवल संगतता के लिए अनुकूलित है, जो इसे उच्च-गति अनुप्रयोगों के लिए उपयुक्त बनाता है।

यह MOSFET 2 kV HBM से अधिक इलेक्ट्रोस्टैटिक डिस्चार्ज (ESD) सुरक्षा से लैस है, जो अचानक इलेक्ट्रोस्टैटिक डिस्चार्ज के खिलाफ स्थायित्व सुनिश्चित करता है। इसके अतिरिक्त, यह AEC-Q101 योग्य है, जो ऑटोमोटिव-ग्रेड अनुप्रयोगों में इसकी विश्वसनीयता को दर्शाता है। PMV230ENEAR का छोटा फॉर्म फैक्टर इसकी मजबूत प्रदर्शन विशेषताओं के साथ मिलकर इसे कुशल स्विचिंग की आवश्यकता वाले स्थान-बाधित अनुप्रयोगों के लिए एक उत्कृष्ट विकल्प बनाता है।

मुख्य विनिर्देश और विशेषताएं

  • ड्रेन-सोर्स वोल्टेज (VDS): 60V
  • गेट-सोर्स वोल्टेज (VGS): ±20V
  • ड्रेन करंट (ID): 1.5A, VGS = 10V पर, Tamb = 25°C
  • ड्रेन-सोर्स ऑन-स्टेट प्रतिरोध (RDSon): 176 - 222mΩ, VGS = 10V पर, ID = 1.5A
  • कुल पावर डिसिपेशन (Ptot): 480mW, Tamb = 25°C पर
  • जंक्शन तापमान (Tj): -55 से 150°C
  • स्टेटिक और डायनामिक विशेषताएं: जिसमें गेट थ्रेशोल्ड वोल्टेज, लीकेज करंट, ट्रांसकंडक्टेंस और चार्ज पैरामीटर शामिल हैं।

PMV230ENEAR विकल्प (Substitutes)
समतुल्य वैकल्पिक इलेक्ट्रॉनिक घटक जो PMV230ENEAR के विकल्प के रूप में काम कर सकते हैं, सबसे लोकप्रिय इलेक्ट्रॉनिक घटक पहले

अनुप्रयोग

  • रिले ड्राइवर
  • हाई-स्पीड लाइन ड्राइवर
  • लो-साइड लोडस्विच
  • स्विचिंग सर्किट

श्रेणी

MOSFET

सामान्य जानकारी

N-चैनल MOSFET इलेक्ट्रॉनिक इंजीनियरिंग में मौलिक घटक हैं, जो सर्किट में कुशल स्विच या एम्पलीफायर के रूप में कार्य करते हैं। वे एक चैनल की चालकता को नियंत्रित करने के लिए विद्युत क्षेत्र का उपयोग करके काम करते हैं, जिससे करंट प्रवाह की अनुमति मिलती है या रोका जाता है। N-चैनल प्रकार, जैसे PMV230ENEAR, में P-चैनल प्रकारों की तुलना में उच्च इलेक्ट्रॉन गतिशीलता होती है, जो उन्हें कई अनुप्रयोगों के लिए अधिक कुशल बनाती है।

N-चैनल MOSFET का चयन करते समय, इंजीनियर ड्रेन-सोर्स वोल्टेज, गेट-सोर्स वोल्टेज, ड्रेन करंट और पावर डिसिपेशन जैसे मापदंडों पर विचार करते हैं। PMV230ENEAR के विनिर्देश, जिसमें इसका 60V ड्रेन-सोर्स वोल्टेज और 1.5A ड्रेन करंट क्षमता शामिल है, इसे विभिन्न अनुप्रयोगों के लिए उपयुक्त बनाते हैं। इसका कॉम्पैक्ट SOT23 पैकेज जगह की कमी वाले डिज़ाइनों के लिए फायदेमंद है।

Trench MOSFET तकनीक, जैसा कि PMV230ENEAR में उपयोग किया जाता है, कम ऑन-स्टेट प्रतिरोध और बेहतर स्विचिंग प्रदर्शन प्रदान करती है, जो उच्च-दक्षता वाले अनुप्रयोगों के लिए महत्वपूर्ण हैं। इसके अतिरिक्त, ESD सुरक्षा और ऑटोमोटिव-ग्रेड योग्यता (AEC-Q101) जैसी विशेषताएं उच्च विश्वसनीयता और मजबूती की आवश्यकता वाले अनुप्रयोगों के लिए महत्वपूर्ण हैं।

कुल मिलाकर, N-चैनल MOSFET के चयन में विद्युत विनिर्देशों, पैकेजिंग और ESD सुरक्षा जैसी अतिरिक्त सुविधाओं के बीच संतुलन शामिल है। PMV230ENEAR का उच्च प्रदर्शन, कॉम्पैक्ट पैकेजिंग और विश्वसनीयता सुविधाओं का संयोजन इसे इलेक्ट्रॉनिक सिस्टम डिजाइन करने वाले इंजीनियरों के लिए एक उत्कृष्ट विकल्प बनाता है।

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