Nexperia द्वारा PMV90ENE एक 30 V, N-चैनल ट्रेंच MOSFET है, जिसे कुशल पावर कंट्रोल और रूपांतरण की आवश्यकता वाले विभिन्न अनुप्रयोगों में उपयोग के लिए डिज़ाइन किया गया है। यह एक कॉम्पैक्ट SOT23 (TO-236AB) सरफेस-माउंटेड डिवाइस (SMD) प्लास्टिक पैकेज में आता है, जो छोटे फुटप्रिंट में उच्च प्रदर्शन प्राप्त करने के लिए उन्नत ट्रेंच MOSFET तकनीक का उपयोग करता है।
यह MOSFET अपनी लॉजिक लेवल संगतता की विशेषता रखता है, जिससे इसे अतिरिक्त ड्राइवर घटकों की आवश्यकता के बिना सीधे लॉजिक सर्किट द्वारा संचालित किया जा सकता है। इसमें बहुत तेज़ स्विचिंग क्षमताएं भी हैं, जो इसे उच्च-गति और उच्च-आवृत्ति अनुप्रयोगों के लिए उपयुक्तता बढ़ाती हैं। डिवाइस में 2 kV HBM से अधिक इलेक्ट्रोस्टैटिक डिस्चार्ज (ESD) सुरक्षा शामिल है, जो इसे स्थैतिक डिस्चार्ज से होने वाले नुकसान से बचाती है।
ट्रांजिस्टर
N-चैनल ट्रेंच MOSFETs एक प्रकार के फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर (FET) हैं जो पारंपरिक प्लानर MOSFETs की तुलना में उच्च घनत्व और दक्षता प्राप्त करने के लिए ट्रेंच गेट संरचना का उपयोग करते हैं। सर्किट में बिजली के प्रवाह को कुशलतापूर्वक नियंत्रित करने की उनकी क्षमता के कारण इन घटकों का व्यापक रूप से बिजली रूपांतरण और प्रबंधन एप्लिकेशन्स में उपयोग किया जाता है।
N-चैनल ट्रेंच MOSFET का चयन करते समय, इंजीनियरों को ड्रेन-सोर्स वोल्टेज (VDS), गेट-सोर्स वोल्टेज (VGS), ड्रेन करंट (ID), और ड्रेन-सोर्स ऑन-स्टेट रेजिस्टेंस (RDSon) जैसे मापदंडों पर विचार करना चाहिए। ये पैरामीटर किसी दिए गए एप्लिकेशन में आवश्यक बिजली स्तरों और स्विचिंग आवृत्तियों को संभालने की MOSFET की क्षमता निर्धारित करते हैं।
इसके अतिरिक्त, पैकेज का प्रकार और थर्मल विशेषताएं महत्वपूर्ण विचार हैं। SOT23 पैकेज अपने कॉम्पैक्ट आकार के लिए लोकप्रिय है, जो इसे स्थान-बाधित अनुप्रयोगों के लिए उपयुक्त बनाता है। ओवरहीटिंग को रोकने और विभिन्न परिस्थितियों में विश्वसनीय संचालन सुनिश्चित करने के लिए थर्मल प्रबंधन महत्वपूर्ण है।
अंत में, लॉजिक लेवल कम्पैटिबिलिटी और ESD सुरक्षा जैसी सुविधाएँ सर्किट डिज़ाइन को सरल बनाने और घटक के स्थायित्व को बढ़ाने में फायदेमंद हैं।