PMV164ENEAR: 60 V, N-चैनल ट्रेंच MOSFET, SOT23 पैकेज, लॉजिक-लेवल संगत
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PMV164ENEAR एक N-चैनल एन्हांसमेंट मोड फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर (FET) है जो ट्रेंच MOSFET तकनीक का उपयोग करता है। यह एक कॉम्पैक्ट SOT23 (TO-236AB) सरफेस-माउंटेड डिवाइस (SMD) प्लास्टिक पैकेज में इनकैप्सुलेटेड है, जो इसे उन अनुप्रयोगों की एक विस्तृत श्रृंखला के लिए उपयुक्त बनाता है जहां स्थान की कमी है। यह घटक लॉजिक स्तरों पर काम करने के लिए डिज़ाइन किया गया है, जो इसे आधुनिक माइक्रोकंट्रोलर इंटरफेस के साथ संगत बनाता है।

PMV164ENEAR की प्रमुख विशेषताओं में 175°C तक की विस्तारित ऑपरेटिंग तापमान सीमा और 2 kV HBM (क्लास H2) से अधिक अंतर्निहित इलेक्ट्रोस्टैटिक डिस्चार्ज (ESD) सुरक्षा शामिल है। यह AEC-Q101 योग्य भी है, जो ऑटोमोटिव अनुप्रयोगों में उपयोग के लिए इसकी उपयुक्तता को इंगित करता है। ये विशेषताएँ, डिवाइस के कम ऑन-स्टेट प्रतिरोध के साथ मिलकर, इसे बिजली प्रबंधन कार्यों के लिए एक कुशल विकल्प बनाती हैं।

मुख्य विनिर्देश और विशेषताएं

  • ड्रेन-सोर्स वोल्टेज (VDS): 60 V
  • गेट-सोर्स वोल्टेज (VGS): ±20 V
  • ड्रेन करंट (ID): 1.6 A, VGS = 10 V, 25°C पर
  • ड्रेन-सोर्स ऑन-स्टेट प्रतिरोध (RDSon): 164 से 218 mΩ, VGS = 10 V, ID = 1.6 A, 25°C पर
  • कुल बिजली अपव्यय (Ptot): 640 mW, 25°C पर
  • जंक्शन तापमान (Tj): -55 से 175°C
  • ESD सुरक्षा: > 2 kV HBM

PMV164ENEAR विकल्प (Substitutes)
समतुल्य वैकल्पिक इलेक्ट्रॉनिक घटक जो PMV164ENEAR के विकल्प के रूप में काम कर सकते हैं, सबसे लोकप्रिय इलेक्ट्रॉनिक घटक पहले

अनुप्रयोग

  • रिले ड्राइवर
  • हाई-स्पीड लाइन ड्राइवर
  • लो-साइड लोड स्विच
  • स्विचिंग सर्किट

श्रेणी

ट्रांजिस्टर

सामान्य जानकारी

N-चैनल MOSFETs एक प्रकार के फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर (FET) हैं जिनका व्यापक रूप से इलेक्ट्रॉनिक सर्किट में स्विचिंग और एम्पलीफिकेशन उद्देश्यों के लिए उपयोग किया जाता है। वे ड्रेन और सोर्स टर्मिनलों के बीच करंट के प्रवाह को नियंत्रित करने के लिए एक विद्युत क्षेत्र का उपयोग करके काम करते हैं। N-चैनल पदनाम चार्ज वाहकों (इलेक्ट्रॉनों) के प्रकार को संदर्भित करता है जो सोर्स और ड्रेन के बीच बने चैनल के माध्यम से चलते हैं।

N-चैनल MOSFET का चयन करते समय, महत्वपूर्ण विचारों में अधिकतम ड्रेन-सोर्स वोल्टेज (VDS), अधिकतम करंट जिसे यह संभाल सकता है (ID), गेट-सोर्स वोल्टेज (VGS), और ड्रेन-सोर्स ऑन-स्टेट प्रतिरोध (RDSon) शामिल हैं। ये पैरामीटर विशिष्ट अनुप्रयोगों के लिए डिवाइस की उपयुक्तता निर्धारित करते हैं, जिसमें इसकी दक्षता और बिजली प्रबंधन क्षमताएं शामिल हैं।

MOSFETs आधुनिक इलेक्ट्रॉनिक्स के अभिन्न अंग हैं, जो बिजली रूपांतरण, मोटर नियंत्रण और विभिन्न प्रकार के इलेक्ट्रॉनिक स्विच में प्रमुख घटकों के रूप में अनुप्रयोग पाते हैं। तेजी से और उच्च दक्षता के साथ स्विच करने की उनकी क्षमता उन्हें बिजली प्रबंधन और डिजिटल सर्किट में विशेष रूप से मूल्यवान बनाती है।

इंजीनियरों के लिए, सही MOSFET चुनने में उनके अनुप्रयोग की विशिष्ट आवश्यकताओं को समझना शामिल है, जिसमें ऑपरेटिंग वातावरण, शक्ति स्तर और स्विचिंग गति शामिल है। डिवाइस की पैकेजिंग, थर्मल विशेषताएं और कोई भी अतिरिक्त सुविधाएँ जैसे कि अंतर्निहित सुरक्षा तंत्र भी चयन प्रक्रिया को प्रभावित कर सकते हैं।

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