BSS138BK: 60 V，360 mA N通道溝槽MOSFET，SOT23封裝

Nexperia

Nexperia BSS138BK是一款N通道增強模式場效應晶體管（FET），採用溝槽MOSFET技術，封裝在小型SOT23（TO-236AB）表面貼裝裝置（SMD）塑膠封裝中。該元件旨在提供高效的功率控制和開關能力，具有高達60V的漏源電壓和最高360mA的連續漏電流。

BSS138BK的關鍵特點包括與邏輯級別的兼容性，提供在各種電路設計中的易用性，以及高達1.5 kV的ESD保護，確保在敏感應用中的可靠性和耐用性。其非常快的切換能力使其適合高速切換應用。此外，它是AEC-Q101合格的，表明其適用於汽車應用。

• 漏源電壓（VDS）：60 V
• 閘源電壓（VGS）：±20 V
• 漏電流（ID）：在VGS = 10 V, 25°C時為360 mA
• 漏源導通電阻（RDSon）：在VGS = 10 V, ID = 350 mA時為1至1.6 Ω
• 總功率消耗（Ptot）：在25°C時為350 mW
• 接點溫度（Tj）：-55至150 °C
• ESD保護：高達1.5 kV

• 繼電器驅動器
• 低側負載開關
• 高速線路驅動器
• 切換電路

MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）是一種設計用於放大或切換電子信號的FET。由於其高效率、可靠性和處理顯著功率水平的能力，它們廣泛用於電子設備中。像BSS138BK這樣的N通道MOSFET，以電子作為載流子，通常用於高速切換應用。

選擇MOSFET時，關鍵參數如漏源電壓、閘源電壓、漏電流和功耗需要考慮，以確保元件滿足電路要求。此外，封裝類型和熱特性是影響MOSFET性能和適用性的重要因素。

MOSFET在各種應用中都是不可或缺的，從便攜式設備的電源管理到汽車系統中的馬達控制。它們有效地切換和控制電源的能力，使它們成為現代電子設計中的關鍵元件。了解您的應用需求，包括所需的電壓和電流水平，以及期望的切換速度，將指導您選擇合適的MOSFET。