PMV37ENER: 60V，N 通道溝槽 MOSFET，SOT23，邏輯電平相容

Nexperia

Nexperia 的 PMV37ENER 是一款 N 通道增強型場效電晶體 (FET)，專為電源開關應用中的高效率和可靠性而設計。利用先進的 Trench MOSFET 技術，它在緊湊的 SOT23 表面黏著元件 (SMD) 塑膠封裝中提供了卓越的性能。該元件的特點是其邏輯電平相容性，允許直接由微控制器輸出驅動，無需額外的驅動電路。

該裝置設計用於在擴展的溫度範圍內運作，最大接面溫度 (Tj) 為 175 °C，確保在惡劣條件下的可靠性。它還包括超過 2 kV HBM（H2 級）的靜電放電 (ESD) 保護，在處理和操作過程中保護裝置。憑藉其低導通電阻和高電流處理能力，PMV37ENER 適用於廣泛的應用，包括繼電器驅動器、高速線路驅動器、低側負載開關和各種開關電路。

• 汲極-源極電壓 (VDS)： 60 V
• 閘極-源極電壓 (VGS)： ±20 V
• 汲極電流 (ID)： 3.5 A (於 VGS = 10 V, Tamb = 25 °C)
• 汲極-源極導通電阻 (RDSon)： 37 至 49 mΩ (於 VGS = 10 V, ID = 3.5 A)
• 擴展溫度範圍： Tj = 175 °C
• ESD 保護： > 2 kV HBM (等級 H2)
• 封裝： SOT23

• 繼電器驅動器
• 高速線路驅動器
• 低側負載開關
• 開關電路

場效電晶體 (FET) 是廣泛用於各種應用中切換和放大電子訊號的半導體元件。N 通道 MOSFET（例如 PMV37ENER）是一種 FET，當正電壓施加到閘極端子時允許電流流動，使其適用於高速開關應用。溝槽 MOSFET 技術透過降低導通電阻和提高效率進一步增強了效能。

在為特定應用選擇 MOSFET 時，工程師應考慮汲極-源極電壓 (VDS)、閘極-源極電壓 (VGS)、汲極電流 (ID) 和導通電阻 (RDSon) 等參數。此外，器件的熱特性和 ESD 保護等級對於確保預期應用環境中的可靠性和壽命也很重要。

PMV37ENER 的邏輯電平相容性特別有益，允許直接與微控制器輸出介接。此功能結合其擴展的溫度範圍和強大的 ESD 保護，使 PMV37ENER 成為在緊湊空間內設計可靠且高效的電源開關電路的絕佳選擇。

總體而言，PMV37ENER 體現了 MOSFET 技術的進步，為工程師提供了一種適用於各種電源開關應用的高效能、可靠的解決方案。