PMV37ENER: 60V，N通道溝槽MOSFET，SOT23，邏輯級兼容

Nexperia

Nexperia的PMV37ENER是一款N通道增強模式場效應晶體管（FET），專為功率開關應用中的高效率和可靠性而設計。利用先進的溝槽MOSFET技術，它在緊湊的SOT23表面貼裝器件（SMD）塑料封裝中提供卓越的性能。該元件具有邏輯級兼容性，允許直接由微控制器輸出驅動，無需額外的驅動電路。

該裝置設計用於在擴展的溫度範圍內運行，最大結溫（Tj）為 175 °C，確保在惡劣條件下的可靠性。它還包括超過 2 kV HBM（類別 H2）的靜電放電（ESD）保護，保護裝置在處理和操作期間。憑藉其低導通電阻和高電流處理能力，PMV37ENER 適用於包括繼電器驅動器、高速線路驅動器、低側負載開關和各種開關電路在內的廣泛應用。

• 漏源電壓(VDS): 60 V
• 閘源電壓(VGS): ±20 V
• 漏電流(ID): 3.5 A，VGS = 10 V，Tamb = 25 °C時
• 漏源導通電阻(RDSon): 37至49 mΩ，VGS = 10 V，ID = 3.5 A時
• 擴展溫度範圍: Tj = 175 °C
• ESD保護: > 2 kV HBM (類別H2)
• 封裝: SOT23

• 繼電器驅動器
• 高速線驅動器
• 低側負載開關
• 切換電路

場效應晶體管（FET）是廣泛用於切換和放大各種應用中的電子信號的半導體裝置。N通道MOSFET，如PMV37ENER，是一種FET，當閘極端施加正電壓時允許電流流動，使其適用於高速切換應用。溝槽MOSFET技術進一步通過降低導通電阻和提高效率來增強性能。

在為特定應用選擇MOSFET時，工程師應考慮參數，如漏源電壓（VDS）、閘源電壓（VGS）、漏電流（ID）和導通狀態電阻（RDSon）。此外，設備的熱特性和ESD保護等級對於確保在預期應用環境中的可靠性和壽命也很重要。

PMV37ENER的邏輯級兼容性特別有益，允許與微控制器輸出直接接口。這一特點，結合其擴展的溫度範圍和強大的ESD保護，使PMV37ENER成為在緊湊空間設計可靠和高效的電源開關電路的絕佳選擇。

總的來說，PMV37ENER體現了MOSFET技術的進步，為工程師提供了一種高性能、可靠的解決方案，適用於廣泛的功率開關應用。