2N7002K-7: N 通道增強模式 MOSFET，60V，380mA，SOT23

Diodes Inc.

Diodes Inc. 的 2N7002K-7 是一款 N 通道增強模式 MOSFET，專為高效電源管理和馬達控制應用而設計。它採用緊湊的 SOT23 封裝，適用於高密度 PCB 佈局。此 MOSFET 的特點是低導通電阻 (RDS(ON)) 和快速開關能力，這對於最大限度地減少功率損耗和提高整體系統效率至關重要。

2N7002K-7 具有 60V 的最大汲極-源極電壓 (VDSS) 和 25°C 時高達 380mA 的連續汲極電流 (ID) 能力，非常適合各種應用。它還具有低輸入和輸出漏電流，確保在關閉狀態下將功率浪費降至最低。該元件具有高達 2kV 的 ESD 保護，在惡劣環境中提供額外的可靠性和穩健性。

• 汲極-源極電壓 (VDSS): 60V
• 連續汲極電流 (ID): 380mA at 25°C
• 靜態汲極-源極導通電阻 (RDS(ON)): 2Ω at VGS = 10V
• 閘極-源極電壓 (VGSS): ±20V
• 最大功耗 (PD): 370mW
• 工作溫度範圍: -55 至 +150°C
• 封裝: SOT23

• 馬達控制
• 電源管理功能
• 背光

N 通道增強型 MOSFET 是廣泛用於電子電路中進行切換和放大的半導體元件。這些元件透過利用電場來控制半導體材料中通道的導電性，從而允許或阻斷電流流動。

選擇 N 通道 MOSFET 時，工程師應考慮幾個關鍵參數，例如汲極-源極電壓 (VDSS)、連續汲極電流 (ID) 和靜態汲極-源極導通電阻 (RDS(ON))。這些參數決定了 MOSFET 在給定應用中處理電壓和電流水平的能力，以及其效率和熱性能。

此外，開關速度、輸入電容和封裝也是重要因素。快速開關速度對於減少開關損耗是可取的，而低輸入電容有助於實現更高的工作頻率。封裝類型影響熱管理和 MOSFET 在電路中的物理集成。

N 通道 MOSFET 通常用於電源電路、馬達控制應用以及作為各種電子設備中的開關元件。它們能夠有效地控制高電流和電壓，同時最大限度地減少功率損耗，這使它們成為現代電子設計中的重要元件。