Nexperia 的 BSS138BK 是一款 N 通道增強模式場效電晶體 (FET)，利用 Trench MOSFET 技術在緊湊的 SOT23 (TO-236AB) 表面黏著元件 (SMD) 塑膠封裝中提供高效率和效能。此元件專為邏輯電位兼容性而設計，具有非常快速的切換能力和高達 1.5 kV 的靜電放電 (ESD) 保護，使其適用於廣泛的高速切換應用。
主要特點包括 60V 的汲極-源極電壓 (VDS)、±20V 的閘極-源極電壓 (VGS)，以及在 25°C 環境溫度下高達 360mA 的汲極電流 (ID)。BSS138BK 在 VGS = 10V 和 ID = 350mA 時還表現出 1 至 1.6Ω 的低汲極-源極導通電阻 (RDSon)，確保高效運作。其熱特性和堅固的設計使其在各種應用中可靠，包括繼電器驅動器、低側負載開關、高速線路驅動器和切換電路。
電晶體
N 通道 MOSFET 是一種場效電晶體 (FET)，廣泛用於電子電路中進行訊號切換和放大。它們透過使用輸入電壓來控制流經通道的電流。N 通道名稱指的是在元件中移動的電荷載子（電子）類型。
選擇 N 通道 MOSFET 時，工程師會考慮汲極-源極電壓 (VDS)、閘極-源極電壓 (VGS)、汲極電流 (ID) 和汲極-源極導通電阻 (RDSon) 等參數。這些參數決定了元件有效處理電壓、電流和功率水準的能力。
N 通道 MOSFET 因其高效率、快速開關速度和驅動大電流的能力而受到青睞。它們應用於各種電路，包括電源供應器、馬達控制器和電子開關。選擇 N 通道 MOSFET 時的關鍵考慮因素包括特定應用要求、熱管理以及對 ESD 電阻等保護功能的需求。
BSS138BK 體現了 Trench MOSFET 技術的使用，該技術透過降低導通電阻和提高開關速度來增強效能。這使其適用於需要高效電源管理和快速開關能力的應用。