Nexperia的BSS138BK是一款N通道增強模式場效應晶體管（FET），利用溝槽MOSFET技術提供高效率和性能，封裝在緊湊的SOT23（TO-236AB）表面貼裝裝置（SMD）塑料封裝中。該元件設計用於邏輯級兼容，具有非常快的開關能力和高達1.5kV的靜電放電（ESD）保護，適用於廣泛的高速開關應用。
關鍵特性包括漏源電壓（VDS）為60V，閘源電壓（VGS）為±20V，以及在25°C環境溫度下的漏電流（ID）可達360mA。BSS138BK還展示了在VGS = 10V和ID = 350mA時，漏源導通電阻（RDSon）為1至1.6Ω，確保高效運行。其熱特性和堅固設計使其可靠地用於各種應用，包括繼電器驅動器、低側負載開關、高速線路驅動器和開關電路。
晶體管
N通道MOSFET是一種在電子電路中廣泛用於開關和放大信號的場效應晶體管（FET）。它們通過使用輸入電壓來控制通過通道的電流流動。N通道的指定是指通過裝置移動的電荷載體（電子）的類型。
在選擇 N-通道 MOSFET 時，工程師會考慮諸如漏源電壓（VDS）、閘源電壓（VGS）、漏電流（ID）和漏源導通電阻（RDSon）等參數。這些參數決定了裝置處理電壓、電流和功率水平的能力。
N 通道 MOSFET 因其高效率、快速開關速度和驅動大電流的能力而受到青睞。它們在各種電路中找到應用，包括電源、電機控制器和電子開關。選擇 N 通道 MOSFET 時，關鍵考慮因素包括特定應用要求、熱管理和需要的保護功能，如 ESD 抗性。
BSS138BK體現了溝槽MOSFET技術的使用，該技術通過降低導通電阻和提高切換速度來提高性能。這使其適用於需要高效能源管理和快速切換能力的應用。