2N7002KT1G: N 通道 SOT-23 MOSFET，60V，380mA，低 RDS(on)

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onsemi 的 2N7002KT1G 是一款專為高效率應用設計的小訊號 N 通道 MOSFET。此 MOSFET 採用緊湊的 SOT-23 封裝，支援高達 60V 的汲極-源極電壓 (VDSS) 和 380mA 的最大汲極電流 (ID)。其特點是低導通電阻 (RDS(on))，在 10V 時為 1.6Ω，在 4.5V 時為 2.5Ω，從而提高了元件在電路設計中的整體效率。

此元件設計具有靜電放電 (ESD) 保護，確保在敏感應用中的可靠性和耐用性。其低 RDS(on) 有助於降低功耗，使其適用於對電源效率至關重要的應用。2N7002KT1G 符合 AEC-Q101 標準且具備 PPAP 能力，使其適用於汽車應用和其他需要嚴格品質和可靠性標準的場景。

• 汲極-源極電壓 (VDSS)： 60V
• 汲極電流 (ID MAX)： 25°C 時為 380mA
• RDS(on)： 10V 時為 1.6Ω，4.5V 時為 2.5Ω
• 閘極-源極電壓 (VGS)： ±20V
• 功耗 (PD)： 420mW
• ESD 保護： 2000V

• 低側負載開關
• 電平轉換電路
• DC-DC 轉換器
• 可攜式應用（例如，數位相機、PDA、手機）

MOSFET（金屬氧化物半導體場效電晶體）是電子電路中的基本元件，用作開關或放大器。它們因高效率、快速開關速度和易於整合到各種電路設計中而受到青睞。特別是 N 通道 MOSFET，由於能夠高效處理顯著的功率水平，廣泛用於電源轉換和管理應用。

在為特定應用選擇 MOSFET 時，工程師會考慮汲極-源極電壓 (VDSS)、汲極電流 (ID) 和導通電阻 (RDS(on)) 等參數。VDSS 參數表示 MOSFET 在關閉時可以阻斷的最大電壓，而 ID 參數指定其在開啟時可以處理的最大電流。RDS(on) 值對於評估運作期間的功率損耗至關重要，較低的值表示較高的效率。

除了這些參數外，封裝類型和熱特性也是重要的考慮因素，因為它們會影響 MOSFET 散熱和在各種操作條件下維持性能的能力。像 ESD 抗性這樣的保護功能對於確保元件在敏感應用中的可靠性和壽命也至關重要。

onsemi 的 2N7002KT1G MOSFET 體現了這些考量，為包括汽車和可攜式設備在內的廣泛應用提供了性能、效率和可靠性的平衡。