onsemi的2N7002KT1G是一款小信號N通道MOSFET，專為高效率應用而設計。它採用緊湊的SOT-23封裝形式，支持高達60V的漏源電壓（VDSS）和最大380mA的漏電流（ID）。它以在10V時為1.6Ω至4.5V時為2.5Ω的低導通電阻（RDS(on)）為特點，提高了電路設計中元件的整體效率。
這個元件設計有對靜電放電（ESD）的保護，確保在敏感應用中的可靠性和耐用性。其低RDS(on)有助於減少功率耗散，使其適用於需要功率效率的應用。2N7002KT1G獲得AEC-Q101資格並且PPAP能力，適用於需要嚴格質量和可靠性標準的汽車應用和其他場景。
MOSFET
MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）是電子電路中的基本元件，作為開關或放大器。它們因高效率、快速切換速度和易於整合到各種電路設計中而受到青睞。特別是 N-通道 MOSFET，在功率轉換和管理應用中廣泛使用，因為它們能夠有效處理顯著的功率水平。
選擇特定應用的MOSFET時，工程師會考慮參數，如源極至漏極電壓（VDSS）、漏電流（ID）和導通電阻（RDS(on)）。VDSS參數指示MOSFET在關閉時可以阻擋的最大電壓，而ID參數指定它在開啟時可以處理的最大電流。RDS(on)值對於評估運行期間的功率損失至關重要，較低的值表示更高的效率。
除了這些參數外，封裝類型和熱特性也是重要考慮因素，因為它們影響MOSFET的散熱能力和在各種操作條件下維持性能的能力。像ESD阻力這樣的保護功能對於確保組件在敏感應用中的可靠性和壽命也至關重要。
2N7002KT1G MOSFET 由 onsemi 提供，為包括汽車和便攜式設備在內的廣泛應用提供了性能、效率和可靠性的平衡。