PMV37ENEAR: 60 V，N 通道溝槽 MOSFET，SOT23，邏輯電平相容

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PMV37ENEA 是一款 60 V N 通道增強型場效電晶體 (FET)，利用溝槽 MOSFET 技術提供高效率和性能。它封裝在緊湊的 SOT23 (TO-236AB) 表面黏著元件 (SMD) 塑膠封裝中，專為廣泛的應用而設計。此元件的特點是其邏輯電平相容性，允許它直接由邏輯電路驅動，無需額外的驅動 IC。此外，它支援高達 175 °C 的擴展溫度範圍，使其適用於高溫環境。

PMV37ENEA 具有超過 2 kV HBM（H2 級）的靜電放電 (ESD) 保護，並符合 AEC-Q101 標準，專為汽車和其他嚴苛應用中的可靠性和穩健性而設計。其低導通電阻和高效率使其成為電源管理任務的絕佳選擇，包括繼電器驅動、高速線路驅動、低側負載開關和各種開關電路。

• 汲極-源極電壓 (VDS)： 60 V
• 閘極-源極電壓 (VGS)： ±20 V
• 汲極電流 (ID)： 3.5 A 於 VGS = 10 V, 25 °C
• 汲極-源極導通電阻 (RDSon)： 37 mΩ 至 49 mΩ 於 VGS = 10 V, ID = 3.5 A, 25 °C
• 總功耗 (Ptot)： 710 mW 於 25 °C
• 接面溫度 (Tj)： -55 °C 至 175 °C
• ESD 保護： > 2 kV HBM

• 繼電器驅動器
• 高速線路驅動器
• 低側負載開關
• 開關電路

N 通道 MOSFET 是一種廣泛用於電子電路中進行開關和放大訊號的場效電晶體 (FET)。它們透過使用電場來控制汲極和源極端子之間的電流流動。N 通道是指在元件中傳導電流的電荷載子（電子）類型。

在選擇 N 通道 MOSFET 時，工程師應考慮汲極-源極電壓 (VDS)、閘極-源極電壓 (VGS)、汲極電流 (ID) 和汲極-源極導通電阻 (RDSon) 等參數。這些參數決定了 MOSFET 是否適合不同的應用，包括電源管理、信號處理和高頻開關。

溝槽 MOSFET 技術在更低的導通電阻和更高的效率方面具有優勢，使其適用於需要高功率密度和最小發熱的應用。邏輯電平相容性允許直接與微控制器或邏輯電路介接，從而簡化設計。

除了電氣規格外，封裝類型、熱特性和保護功能（例如 ESD 保護）等因素也很重要。這些方面會影響 MOSFET 在特定應用中的效能及其承受惡劣操作條件的能力。