PMV37ENEAR: 60V，N通道溝槽MOSFET，SOT23，邏輯級兼容

Nexperia

PMV37ENEA是一款60V N通道增強模式場效應晶體管（FET），採用溝槽MOSFET技術，提供高效率和性能。它採用緊湊的SOT23（TO-236AB）表面貼裝器件（SMD）塑料封裝，適用於廣泛的應用。該元件的特點是其邏輯級兼容性，允許直接由邏輯電路驅動，無需額外的驅動IC。此外，它支持高達175°C的擴展溫度範圍，適用於高溫環境。

具有超過2 kV HBM（H2級）的靜電放電（ESD）保護和根據AEC-Q101標準的資格認證，PMV37ENEA被設計用於汽車和其他要求嚴苛的應用中，具有可靠性和堅固性。其低導通電阻和高效率使其成為電源管理任務的絕佳選擇，包括繼電器驅動、高速線路驅動、低側負載開關和各種開關電路。

• 漏源電壓（VDS）： 60 V
• 閘源電壓（VGS）： ±20 V
• 漏電流（ID）： 在VGS = 10 V, 25 °C時為3.5 A
• 漏源導通電阻（RDSon）： 在VGS = 10 V, ID = 3.5 A, 25 °C時為37 mΩ至49 mΩ
• 總功率耗散（Ptot）： 在25 °C時為710 mW
• 結溫（Tj）： -55 °C至175 °C
• ESD保護： > 2 kV HBM

• 繼電器驅動器
• 高速線驅動器
• 低側負載開關
• 切換電路

N通道MOSFET是一種在電子電路中廣泛用於切換和放大信號的場效應晶體管（FET）。它們通過使用電場來控制在漏極和源極端子之間的電流流動來運作。N通道指的是導電的電荷載體（電子）的類型。

在選擇N通道MOSFET時，工程師應考慮諸如漏源電壓（VDS）、閘源電壓（VGS）、漏電流（ID）和漏源導通電阻（RDSon）等參數。這些參數決定了MOSFET適用於不同應用的適合性，包括功率管理、信號處理和高頻切換。

溝槽 MOSFET 技術在降低導通電阻和提高效率方面提供了優勢，適合於需要高功率密度和最小熱產生的應用。邏輯級兼容性允許直接與微控制器或邏輯電路接口，簡化了設計。

除了電氣規格外，封裝類型、熱特性和保護功能（例如，ESD保護）也很重要。這些方面影響MOSFET在特定應用中的性能以及其承受惡劣操作條件的能力。