2N7002K-T1-GE3: N-通道 60V MOSFET，SOT-23，低 RDS(on) 2 歐姆，快速切換 25ns

Vishay

2N7002K-T1-GE3 是 Vishay Siliconix 的 N 通道 MOSFET，專為快速切換應用而設計。它在漏源電壓（VDS）為 60V 時運行，最大漏電流（ID）為 0.3A。該裝置在 VGS 為 10V 時具有低導通電阻（RDS(on)）為 2 歐姆，有助於其在電路操作中的效率。此外，它擁有 2V（典型值）的低門檻電壓和 25ns 的快速切換速度，提高了其在高速電路中的性能。

這款MOSFET封裝在一個緊湊的SOT-23（TO-236）封裝中，適用於空間受限的應用。它還提供低輸入和輸出漏電流、低輸入電容25pF，並配備2000V ESD保護，確保在各種操作條件下的可靠性。2N7002K-T1-GE3設計用於需要高速開關和低電壓操作的應用，是直接進行邏輯級接口、驅動器、電池操作系統和固態繼電器的理想選擇。

• 漏源電壓（VDS）：60V
• 閘源電壓（VGS）：±20V
• 25°C時連續漏電流（ID）：0.3A
• 脈衝漏電流（IDM）：0.8A
• 25°C時功率消耗（PD）：0.35W
• VGS = 10V時的導通電阻（RDS(on)）：2 Ohm
• 閘閾電壓（VGS(th)）：1 - 2.5V
• 輸入電容（Ciss）：30pF
• 開啟時間（td(on)）：25ns
• 關閉時間（td(off)）：35ns

• 直接邏輯級接口：TTL/CMOS
• 驅動繼電器、電磁閥、燈、錘、顯示器、記憶體、晶體管
• 電池操作系統
• 固態繼電器

N通道MOSFET是一種在電子電路中廣泛用於切換和放大信號的場效應晶體管(FET)。它們通過使用電場來控制半導體材料中的導電通道來運作。N通道MOSFET特別以其高效率和快速切換能力而著稱。

在選擇N通道MOSFET時，應考慮幾個關鍵參數，包括漏源電壓（VDS）、閘源電壓（VGS）、連續漏電流（ID）和導通電阻（RDS(on)）。這些參數決定了裝置在特定應用中處理電壓和電流的能力。此外，開關速度，由開啟和關閉時間表示，對於需要快速開關的應用至關重要。

閘源閾值電壓（VGS(th)）是另一個重要因素，它指示開啟設備所需的最小閘源電壓。低閾值電壓在低電壓應用中可能是有利的。輸入和輸出電容會影響切換速度和切換事件期間的功耗。

N通道MOSFET在從功率管理和轉換到信號處理和高速開關電路的廣泛應用中被使用。它們的多功能性和效率使它們成為現代電子設計中不可或缺的元件。