2N7002K-T1-GE3 是 Vishay Siliconix 的 N 通道 MOSFET，專為快速切換應用而設計。它在 60V 的汲極-源極電壓 (VDS) 下運作，最大汲極電流 (ID) 為 0.3A。該元件在 VGS 為 10V 時具有 2 歐姆的低導通電阻 (RDS(on))，有助於提高電路運作效率。此外，它還具有 2V（典型值）的低閾值電壓和 25ns 的快速切換速度，增強了其在高速電路中的性能。
此 MOSFET 封裝在緊湊的 SOT-23 (TO-236) 封裝中，使其適用於空間受限的應用。它還提供低輸入和輸出漏電流、25pF 的低輸入電容，並配備 2000V ESD 保護，確保在各種操作條件下的可靠性。2N7002K-T1-GE3 專為需要高速開關和低電壓操作的應用而設計，使其成為直接邏輯電平介面、驅動器、電池供電系統和固態繼電器的理想選擇。
MOSFET
N 通道 MOSFET 是一種場效電晶體 (FET)，廣泛用於電子電路中以切換和放大訊號。它們透過使用電場來控制半導體材料中通道的導電性來運作。N 通道 MOSFET 以其高效率和快速開關能力而聞名。
選擇 N 通道 MOSFET 時，應考慮幾個關鍵參數，包括汲極-源極電壓 (VDS)、閘極-源極電壓 (VGS)、連續汲極電流 (ID) 和導通電阻 (RDS(on))。這些參數決定了元件在特定應用中處理電壓和電流的能力。此外，以開啟和關閉時間表示的開關速度對於需要快速開關的應用至關重要。
閾值電壓 (VGS(th)) 是另一個重要因素，表示開啟裝置所需的最小閘極-源極電壓。較低的閾值電壓在低電壓應用中可能具有優勢。輸入和輸出電容會影響開關速度和開關事件期間的功耗。
N 通道 MOSFET 用於廣泛的應用，從電源管理和轉換到訊號處理和高速開關電路。它們的多功能性和效率使其成為現代電子設計中的重要元件。