2N7002ET1G: N通道MOSFET，60V，310mA，SOT-23，低RDS(on)

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2N7002ET1G是一款N通道MOSFET，專為高效能源管理和信號處理在廣泛的應用中而設計。該裝置利用溝槽技術實現低導通電阻（RDS(on)）和高切換性能，使其適合於高效能源轉換和控制。小型SOT-23封裝允許在空間受限的應用中進行緊湊設計。

擁有最大60V的漏源電壓和310mA的連續漏電流，2N7002ET1G能夠處理中等功率水平。其低門檻電壓確保了從邏輯電路的容易驅動，增強了其與各種控制介面的兼容性。該裝置獲得AEC-Q101認證並且PPAP能力，使其適用於汽車應用和其他嚴格環境。

• 源極至漏極電壓（VDSS）： 60V
• 閘極至源極電壓（VGS）： ±20V
• 連續漏極電流（ID）： 310mA
• 功率消耗： 300mW
• RDS（on）： 在10V時為2.5Ω，在4.5V時為3.0Ω
• 結至環境熱阻（RθJA）： 417°C/W穩態
• 工作結溫範圍： -55°C至+150°C
• 輸入電容（CISS）： 40pF
• 總閘極電荷（QG（TOT））： 0.81nC

• 低側負載開關
• 級移電路
• DC-DC轉換器
• 便攜式應用（例如，數碼相機、PDA、手機）

MOSFET（金屬-氧化物-半導體場效應晶體管）是電子電路中的基本元件，作為高效的開關或放大器。它們廣泛用於功率轉換和管理、信號處理，以及各種應用中的負載驅動。MOSFET提供高輸入阻抗和低輸出阻抗，使它們在開關應用中高度有效。

在選擇MOSFET時，工程師應考慮裝置的最大電壓和電流額定值、RDS(on)以提高功率效率、開關速度和熱性能。封裝也對於物理整合到電路中很重要。MOSFET有各種類型，如N通道用於高速開關和P通道便於驅動能力。

2N7002ET1G憑藉其低RDS(on)和緊湊的SOT-23封裝，是一款為汽車和便攜式設備應用中的高效開關和電源管理而設計的MOSFET。其溝槽技術和低閾值電壓使其適用於高效率應用。

對於需要高可靠性的應用，如汽車，選擇符合AEC-Q101資格且具有PPAP能力的MOSFET，如2N7002ET1G，確保元件滿足嚴格的質量標準。了解熱特性並確保充分的散熱也至關重要，以防止過熱並確保長期可靠性。