2N7002P,215: 60 V，360 mA N 通道溝槽 MOSFET，SOT23 封裝

Nexperia

Nexperia 2N7002P 是一款 N 通道增強模式場效電晶體 (FET)，利用溝槽 MOSFET 技術提供高效率和快速切換能力。封裝在小型 SOT23 (TO-236AB) 表面黏著元件 (SMD) 塑膠封裝中，專為空間受限的應用而設計。此元件符合 AEC-Q101 標準，適用於汽車應用，並具有邏輯電平相容性，便於在各種電路中使用。

憑藉其非常快速的開關特性，2N7002P 非常適合需要高速運作的應用。此元件採用的 Trench MOSFET 技術確保了低導通電阻，有助於提高電源管理任務的效率。其緊湊的 SOT23 封裝允許有效利用 PCB 空間，使其成為各種電子設計的多功能選擇。

• 汲極-源極電壓 (VDS): 60 V
• 閘極-源極電壓 (VGS): ±20 V
• 汲極電流 (ID): 360 mA (VGS = 10 V, Tamb = 25 °C)
• 汲極-源極導通電阻 (RDSon): 1 Ω 至 1.6 Ω (VGS = 10 V, ID = 500 mA)
• 總功耗 (Ptot): 350 mW (Tamb = 25 °C)
• 接面溫度 (Tj): -55 °C 至 150 °C
• 封裝: SOT23 (TO-236AB)

• 高速線路驅動器
• 繼電器驅動器
• 低側負載開關
• 開關電路

場效電晶體 (FET) 是一種常用於電子電路中進行開關和放大的電晶體。N 通道 FET（例如 2N7002P）在閘極端子施加電壓時，會沿著 n 型半導體路徑導通電流，從而控制汲極和源極端子之間的流量。

選擇 N 通道 FET 時，重要的考慮因素包括元件可以處理的最大汲極-源極電壓 (VDS)、閘極-源極電壓 (VGS) 和汲極電流 (ID)。導通電阻 (RDSon) 也很關鍵，因為它會影響元件的功率效率。此外，封裝尺寸和熱特性應符合應用的空間和熱管理要求。

N 通道 FET 用於各種應用，從電源管理和開關到訊號放大。它們的快速開關速度和高效率使其適用於數位和類比電路。工程師在選擇 N 通道 FET 時應考慮其應用的具體要求，包括工作電壓、電流、開關速度和熱考量。