2N7002P,215: 60 V，360 mA N通道溝槽MOSFET，SOT23封裝

Nexperia

Nexperia的2N7002P是一款N通道增強模式場效應晶體管（FET），採用溝槽MOSFET技術，提供高效率和快速切換能力。它封裝在一個小型的SOT23（TO-236AB）表面貼裝裝置（SMD）塑料封裝中，適用於空間受限的應用。該元件獲得AEC-Q101資格認證，適用於汽車應用，並具有邏輯級兼容性，便於在各種電路中使用。

憑藉其非常快速的切換特性，2N7002P非常適合需要高速操作的應用。該元件採用的Trench MOSFET技術確保了低導通電阻，有助於其在電源管理任務中的效率。其緊湊的SOT23封裝允許有效利用PCB空間，使其成為廣泛電子設計的多功能選擇。

• 漏源電壓（VDS）： 60 V
• 閘源電壓（VGS）： ±20 V
• 漏電流（ID）： 在VGS = 10 V, Tamb = 25 °C時為360 mA
• 漏源導通電阻（RDSon）： 在VGS = 10 V, ID = 500 mA時為1 Ω至1.6 Ω
• 總功率耗散（Ptot）： 在Tamb = 25 °C時為350 mW
• 結溫（Tj）： -55 °C至150 °C
• 封裝： SOT23 (TO-236AB)

• 高速線路驅動器
• 繼電器驅動器
• 低側負載開關
• 開關電路

場效應晶體管（FETs）是一種在電子電路中用於切換和放大的晶體管類型。N通道FET，如2N7002P，當閘極端施加電壓時，沿著n型半導體路徑導通電流，控制從源極到漏極端的流動。

在選擇N通道FET時，重要的考慮因素包括設備可以處理的最大漏源電壓（VDS）、閘源電壓（VGS）和漏電流（ID）。導通電阻（RDSon）也很關鍵，因為它影響設備的功率效率。此外，封裝尺寸和熱特性應該符合應用的空間和熱管理要求。

N 通道 FET 在從功率管理和切換到信號放大的各種應用中被使用。它們的快速開關速度和高效率使它們適合於數字和模擬電路。工程師在選擇 N 通道 FET 時，應考慮其應用的特定要求，包括操作電壓、電流、開關速度和熱考慮因素。