2N7002K: N 通道 MOSFET,60V,380mA,SOT-23,ESD 保護
onsemi

2N7002K 是由 onsemi 開發的 N 通道 MOSFET,具有 60V 的汲極-源極電壓 (VDSS) 和 380mA 的最大汲極電流 (ID)。該元件採用緊湊的 SOT-23 封裝,適用於表面黏著技術 (SMT) 應用。此 MOSFET 的主要特點之一是其 ESD 保護,增強了其在敏感應用中的可靠性。

2N7002K 專為各種電路而設計,在低側負載開關、電位轉換電路和 DC-DC 轉換器等角色中表現出色。它也非常適合可攜式應用,包括數位相機、PDA、手機等。該元件符合 AEC-Q101 標準並具備 PPAP 能力,表明其適用於汽車應用和其他需要嚴格品質和可靠性標準的場景。

主要規格和功能

  • 汲極-源極電壓 (VDSS):60V
  • 最大汲極電流 (ID):25°C 時為 380mA
  • RDS(on):10V 時為 1.6Ω,4.5V 時為 2.5Ω
  • 閘極-源極電壓 (VGS):±20V
  • 脈衝汲極電流 (IDM):5.0A
  • 功耗:使用 1 平方英寸焊盤時為 420mW,使用最小焊盤時為 300mW
  • 操作接面和儲存溫度範圍:-55°C 至 +150°C
  • ESD 保護:2000V

2N7002K 規格書

2N7002K 資料表 (PDF)

2N7002K 個替代品
可作為 2N7002K 替代品的等效替代元件,最受歡迎的元件優先

應用

  • 低側負載開關
  • 電位移位電路
  • DC-DC 轉換器
  • 可攜式應用(例如數位相機、PDA、手機)

類別

電晶體

一般資訊

N 通道 MOSFET 是電子電路中的關鍵組件,充當開關或放大器。它們能夠用低電壓信號控制高功率電路,使其在電源管理、信號處理和控制應用中不可或缺。選擇 N 通道 MOSFET 時,重要的考慮因素包括漏源電壓 (VDSS)、漏極電流 (ID)、RDS(on) 和封裝類型。

onsemi 的 2N7002K MOSFET 以其緊湊的 SOT-23 封裝和 ESD 保護而著稱,提供了性能和可靠性的完美結合。其低 RDS(on) 確保了高效運行,而 ESD 保護增強了其在敏感環境中的耐用性。這款 MOSFET 適用於汽車和便攜式設備應用,是工程師的多功能選擇。

在選擇 MOSFET 時,工程師還應考慮熱特性和功耗,以確保元件在其安全工作區 (SOA) 內運作。2N7002K 的熱特性使其適用於空間有限且熱管理受到關注的應用。

總體而言,2N7002K 代表了一種可靠、高效且多功能的選擇,適用於從汽車系統到可攜式電子產品的廣泛應用,使其成為工程師工具箱中有價值的元件。

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