2N7002K: N-通道 MOSFET,60V,380mA,SOT-23,ESD 保護
onsemi

2N7002K 是由 onsemi 開發的 N-通道 MOSFET,具有 60V 的漏源電壓(VDSS)和 380mA 的最大漏電流(ID)。該元件採用緊湊的 SOT-23 封裝,適用於表面貼裝技術(SMT)應用。這款 MOSFET 的一個關鍵特點是其 ESD 保護功能,增強了在敏感應用中的可靠性。

2N7002K在各種電路中的使用中表現出色,如低側負載開關、電平轉換電路和DC-DC轉換器。它也非常適合便攜式應用,包括數碼相機、PDA、手機等。該元件獲得AEC-Q101資格認證並且PPAP能力,表明其適用於汽車應用和其他需要嚴格質量和可靠性標準的場景。

關鍵規格和特點

  • 漏源電壓(VDSS):60V
  • 最大漏電流(ID):25°C時380mA
  • RDS(on):10V時1.6Ω,4.5V時2.5Ω
  • 閘源電壓(VGS):±20V
  • 脈衝漏電流(IDM):5.0A
  • 功率耗散:1平方英寸墊片420mW,最小墊片300mW
  • 工作結和存儲溫度範圍:-55°C至+150°C
  • ESD保護:2000V

2N7002K 數據手冊

2N7002K 數據表(PDF)

2N7002K 替代品
可作為2N7002K的等效替代元件,最受歡迎的元件優先

應用

  • 低側負載開關
  • 級移電路
  • DC-DC 轉換器
  • 便攜式應用(例如,數碼相機、PDA、手機)

類別

晶體管

一般資訊

N通道MOSFET是電子電路中的關鍵元件,作為開關或放大器。它們使得能夠用低電壓信號控制高功率電路,使它們在電源管理、信號處理和控制應用中不可或缺。選擇N通道MOSFET時,重要的考慮因素包括漏源電壓(VDSS)、漏電流(ID)、RDS(on)和封裝類型。

onsemi 的 2N7002K MOSFET 以其緊湊的 SOT-23 封裝和 ESD 保護而著稱,提供了性能和可靠性的完美結合。其低 RDS(on) 確保了高效運作,而 ESD 保護則增強了其在敏感環境中的耐用性。適用於汽車和便攜式設備應用,這款 MOSFET 是工程師的多功能選擇。

在選擇 MOSFET 時,工程師還應考慮熱特性和功率耗散,以確保元件在其安全操作區 (SOA) 內運行。2N7002K 的熱特性使其適用於空間有限且熱管理是關注點的應用。

總的來說,2N7002K代表了一個可靠、高效和多功能的選擇,適用於從汽車系統到便攜電子的廣泛應用,使其成為工程師工具箱中的寶貴元件。

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