2N7002-7-F: N 通道 MOSFET，60V，210mA，SOT-23，RDS(ON) 7.5Ω

Diodes Inc.

2N7002-7-F 是一款 N 通道增強模式 MOSFET，旨在提供低導通電阻 (RDS(ON))，同時保持卓越的開關性能。此 MOSFET 具有 60V 的最大汲極-源極電壓 (VDSS)，210mA 的連續汲極電流 (ID)，以及在 5V 閘極-源極電壓 (VGS) 下最大 7.5Ω 的 RDS(ON)。其設計針對電源管理應用中的高效率進行了最佳化，結合了低閘極閾值電壓、低輸入電容和小型表面黏著 SOT-23 封裝中的快速開關速度。

此元件適用於一系列應用，包括馬達控制和電源管理功能，其中高效的功率處理和可靠的性能非常重要。2N7002-7-F 由 Diodes Inc. 製造，完全符合 RoHS 標準，使其成為環保意識應用的合適選擇。

• 汲極-源極電壓 (VDSS): 60V
• 連續汲極電流 (ID): 210mA
• 靜態汲極-源極導通電阻 (RDS(ON)): 7.5Ω (VGS=5V 時)
• 閘極-源極電壓 (VGSS): ±20V 連續，±40V 脈衝
• 功耗 (PD): 370mW (TA=25°C 時)
• 熱阻，接面至環境 (RθJA): 348°C/W
• 封裝: SOT-23

• 馬達控制
• 電源管理功能

N 通道增強模式 MOSFET 因其在開關應用中的效率和可靠性而被廣泛用於電子電路中。這些元件的運作方式是當向閘極端子施加足夠的電壓時，允許電流在汲極和源極端子之間流動，有效地充當開關。N 通道名稱是指通過元件傳導電流的電荷載子（電子）類型。

在選擇 N 通道 MOSFET 時，工程師會考慮幾個關鍵參數，包括汲極-源極電壓 (VDSS)、汲極電流 (ID) 和靜態汲極-源極導通電阻 (RDS(ON))。這些參數決定了 MOSFET 處理應用電壓和電流需求的能力及其效率。閘極-源極電壓 (VGSS) 也很重要，因為它影響開啟和關閉裝置所需的電壓。

在需要高效電源管理和快速切換的應用中，MOSFET 的低 RDS(ON) 和快速切換速度特別有價值。小封裝尺寸（如 SOT-23）對於空間受限的設計也是有利的。此外，符合 RoHS 等環境標準通常也是元件選擇中的一個考量因素。

總體而言，像 2N7002-7-F 這樣的 N 通道 MOSFET 對於從馬達控制到電源管理功能等各種應用至關重要，這些應用需要高效且可靠的電源開關。