T2N7002BK,LM(T: N 通道 MOSFET，60V，400mA，SOT23，RDS(ON) 1.05Ω

Toshiba

T2N7002BK 是一款專為高速開關應用設計的矽 N 通道 MOSFET。它具有 1.05 Ω（典型值，VGS = 10V 時）的低汲極-源極導通電阻 (RDS(ON))，使其適用於各種電路中的高效電源管理。該元件採用緊湊的 SOT23 封裝，便於整合到空間受限的設計中。

此 MOSFET 支援高達 60V 的汲極-源極電壓 (VDSS)，可處理高達 400mA 的連續汲極電流 (ID)，脈衝汲極電流能力高達 1200mA。它還包含 HBM 等級為 2 kV 的 ESD 保護，增強了其在敏感環境中的可靠性。T2N7002BK 針對各種閘極-源極電壓的性能進行了最佳化，展現了在不同操作條件下的多功能性。

• 汲極-源極電壓 (VDSS)： 60V
• 閘極-源極電壓 (VGSS)： ±20V
• 連續汲極電流 (ID)： 400mA
• 脈衝汲極電流 (IDP)： 1200mA
• 汲極-源極導通電阻 (RDS(ON))： 1.05 Ω (典型值) @ VGS = 10V
• 功耗 (PD)： 320 mW 至 1000 mW
• 通道溫度 (Tch)： 150°C
• ESD 保護： HBM 等級 2 kV

• 高速開關應用

MOSFET（金屬氧化物半導體場效電晶體）是電子設計中的基本元件，為開關和放大任務提供高效率和可靠性。它們透過電壓控制汲極和源極端子之間的導電性來運作，使其成為電源管理、信號處理等不可或缺的元件。

選擇 MOSFET 時，關鍵參數包括汲極-源極電壓 (VDSS)、汲極電流 (ID)、閘極-源極電壓 (VGSS) 和汲極-源極導通電阻 (RDS(ON))。這些參數決定了 MOSFET 處理高電壓、電流的能力及其效率。此外，封裝、熱管理和 ESD 保護等級也是重要的考量因素。

對於高速開關應用，首選具有低 RDS(ON) 的 MOSFET，以最大限度地減少功率損耗和熱量產生。閘極-源極電壓 (VGSS) 範圍的選擇也會影響與驅動電路的兼容性。此外，了解熱特性並確保足夠的散熱對於可靠運行至關重要。

總之，選擇正確的 MOSFET 涉及對電氣特性、熱性能和應用需求的仔細分析。像 T2N7002BK 這樣的 MOSFET，憑藉其低 RDS(ON) 和強大的保護功能，為尋求最佳化設計性能和可靠性的工程師提供了一個極具吸引力的選擇。