2N7002: N-通道MOSFET,60V,200mA,SOT-23
onsemi

2N7002是由onsemi設計和製造的小信號N通道MOSFET。利用onsemi的高單元密度DMOS技術,這款MOSFET旨在提供低導通電阻,同時保持高切換性能和可靠性。它特別適用於低壓、低電流應用,為功率MOSFET閘驅動和其他切換操作提供了高效解決方案。

該元件封裝在SOT-23封裝中,提供適用於各種電子設計的緊湊足跡。其設計針對需要高效功率管理和控制的應用,如伺服電機控制,其中其快速切換能力和堅固性是有益的。該設備還以其高飽和電流能力著稱,進一步提高了在苛刻應用中的性能。

關鍵規格和特點

  • 漏源電壓(VDSS): 60V
  • 閘源電壓(VGSS): ±20V
  • 連續漏電流(ID): 200mA
  • 脈衝漏電流(IDM): 500mA
  • 功率耗散(PD): 400mW
  • 熱阻,結至環境(RθJA): 625°C/W
  • 閘閾電壓(VGS(th)): 1至2.5V
  • 靜態漏源導通電阻(RDS(on)): 1.2至7.5Ω
  • 操作和儲存溫度範圍: -55至150°C

2N7002 數據手冊

2N7002 數據表(PDF)

2N7002 替代品
可作為2N7002的等效替代元件,最受歡迎的元件優先

應用

  • 低壓電源管理
  • 伺服馬達控制
  • 功率MOSFET閘驅動
  • 通用開關應用

類別

晶體管

一般資訊

N 通道 MOSFET 是電子設計中的基本組件,作為電路中的高效開關或放大器。它們通過使用電場來控制「通道」的導電性,在這種情況下是 N 型半導體材料,允許或阻止漏源端子之間的電流流動。閘極端子接收控制電壓。

在選擇N通道MOSFET時,幾個因素很重要:最大漏源電壓(VDSS),它表示MOSFET可以阻擋的最大電壓;漏電流(ID),即裝置可以導通的最大電流;以及閘源電壓(VGSS),即閘極可以安全處理的電壓範圍。此外,導通狀態電阻(RDS(on))至關重要,因為它影響MOSFET在導通狀態下的功率損失和效率。

N-通道 MOSFET 的應用範圍廣泛,從電源管理和轉換到馬達控制和信號放大。它們能夠快速且高效地切換,使其適用於模擬和數位電路。工程師必須考慮其應用的特定要求,包括所需的電流處理能力、電壓水平和切換速度,以選擇合適的 MOSFET。

此外,由於運行時產生的熱量,熱管理是一個重要考慮因素。熱阻和最大結溫是幫助確保MOSFET在安全溫度限制內運行的關鍵規格,保持其可靠性和壽命。

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