2N7002: N 通道 MOSFET,60V,200mA,SOT-23
onsemi

2N7002 是由 onsemi 設計和製造的小訊號 N 通道 MOSFET。利用 onsemi 的高單元密度 DMOS 技術,該 MOSFET 旨在提供低導通電阻,同時保持高開關性能和可靠性。它特別適用於低電壓、低電流應用,為功率 MOSFET 閘極驅動和其他開關操作提供了高效的解決方案。

該元件封裝在 SOT-23 封裝中,提供適合各種電子設計的緊湊佔用空間。其設計針對需要高效電源管理和控制的應用,例如伺服馬達控制,其快速開關能力和堅固性在這些應用中非常有益。該裝置還以其高飽和電流能力而聞名,進一步增強了其在嚴苛應用中的性能。

主要規格和功能

  • 汲極-源極電壓 (VDSS): 60V
  • 閘極-源極電壓 (VGSS): ±20V
  • 連續汲極電流 (ID): 200mA
  • 脈衝汲極電流 (IDM): 500mA
  • 功耗 (PD): 400mW
  • 熱阻,接面至環境 (RθJA): 625°C/W
  • 閘極閾值電壓 (VGS(th)): 1 至 2.5V
  • 靜態汲極-源極導通電阻 (RDS(on)): 1.2 至 7.5Ω
  • 工作和儲存溫度範圍: -55 至 150°C

2N7002 規格書

2N7002 資料表 (PDF)

2N7002 個替代品
可作為 2N7002 替代品的等效替代元件,最受歡迎的元件優先

應用

  • 低壓電源管理
  • 伺服馬達控制
  • 功率 MOSFET 閘極驅動
  • 通用開關應用

類別

電晶體

一般資訊

N 通道 MOSFET 是電子設計中的基礎元件,在電路中充當高效開關或放大器。它們透過使用電場來控制「通道」(在本例中為 N 型半導體材料)的導電性來運作,允許或阻止電流在汲極和源極端子之間流動。閘極端子接收控制電壓。

選擇 N 通道 MOSFET 時,有幾個因素很重要:最大汲極-源極電壓 (VDSS),表示 MOSFET 可以阻斷的最大電壓;汲極電流 (ID),即元件可以傳導的最大電流;以及閘極-源極電壓 (VGSS),即閘極可以安全處理的電壓範圍。此外,導通電阻 (RDS(on)) 至關重要,因為它會影響 MOSFET 在導通狀態下的功率損耗和效率。

N 通道 MOSFET 的應用非常廣泛,從電源管理和轉換到馬達控制和信號放大。它們能夠快速且高效地切換,使其適用於類比和數位電路。工程師必須考慮其應用的具體要求,包括所需的電流處理能力、電壓水平和開關速度,以選擇合適的 MOSFET。

此外,由於操作過程中會產生熱量,熱管理是一個重要的考慮因素。熱阻和最大結溫是關鍵規格,有助於確保 MOSFET 在安全溫度限制內運行,從而保持其可靠性和壽命。

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