PMV55ENEAR: 60V，N通道溝槽MOSFET，SOT23，逻輯級，快速切換

Nexperia

Nexperia的PMV55ENEA是一款60V，N通道增強模式場效應晶體管（FET），採用溝槽MOSFET技術。它採用緊湊的SOT23（TO-236AB）表面貼裝裝置（SMD）塑料封裝，專為高密度PCB應用而設計。這款MOSFET以其邏輯級兼容性為特點，使其能夠直接由邏輯電路驅動，無需額外的閘驅動器。

PMV55ENEA具有非常快速的切換能力，非常適合高速切換應用。它還包括內置的靜電放電（ESD）保護，超過2 kV HBM，增強了在敏感環境中的堅固性。此外，它是AEC-Q101合格的，使其適合在可靠性至關重要的汽車應用中使用。

• 排污源電壓（VDS）： 60V
• 閘源電壓（VGS）： ±20V
• 排污電流（ID）： 在 VGS = 10V, 25°C 時為 3.1A
• 排污源導通電阻（RDSon）： 在 VGS = 10V, ID = 3.1A, 25°C 時為 46 至 60mΩ
• 總閘電荷（QG(tot)）： 12.7 至 19nC
• 靜態排污源擊穿電壓（V(BR)DSS）： 60V
• 閘源閾值電壓（VGSth）： 1.3 至 2.7V

• 繼電器驅動器
• 高速線路驅動器
• 低側負載開關
• 切換電路

N通道MOSFET是一種場效應晶體管（FET），廣泛用於電子電路中的開關和信號放大。它們通過使用電場來控制源極和漏極之間的電流流動。N通道指的是流經裝置的電荷載體（電子）的類型。

在選擇 N 通道 MOSFET 時，關鍵考慮因素包括漏源電壓（VDS）、閘源電壓（VGS）、漏電流（ID）和漏源導通電阻（RDSon）。這些參數決定了 MOSFET 處理電壓和電流水平的能力，以及其在切換應用中的效率和速度。

MOSFET是從功率管理和轉換到信號處理的廣泛應用中不可或缺的元件，MOSFET技術的選擇，如溝槽MOSFET，影響裝置的性能特性，包括開關速度、導通電阻和對過電壓的堅固性。

對於工程師來說，了解其應用的具體要求對於選擇合適的MOSFET至關重要。這包括考慮操作環境，如溫度範圍和潛在的靜電放電存在，這些都可能影響MOSFET的性能和可靠性。