PMV55ENEAR: 60V，N 通道 Trench MOSFET，SOT23，邏輯電平，快速切換

Nexperia

Nexperia PMV55ENEA 是一款採用溝槽 MOSFET 技術的 60V N 通道增強型場效電晶體 (FET)。它封裝在緊湊的 SOT23 (TO-236AB) 表面黏著元件 (SMD) 塑膠封裝中，專為高密度 PCB 應用而設計。此 MOSFET 以其邏輯電位兼容性而著稱，使其能夠由邏輯電路直接驅動，無需額外的閘極驅動器。

PMV55ENEA 具有非常快速的切換能力，是高速切換應用的理想選擇。它還包括超過 2 kV HBM 的內建靜電放電 (ESD) 保護，增強了其在敏感環境中的穩健性。此外，它通過了 AEC-Q101 認證，使其適用於可靠性至關重要的汽車應用。

• 汲極-源極電壓 (VDS)： 60V
• 閘極-源極電壓 (VGS)： ±20V
• 汲極電流 (ID)： 3.1A (VGS = 10V, 25°C)
• 汲極-源極導通電阻 (RDSon)： 46 至 60mΩ (VGS = 10V, ID = 3.1A, 25°C)
• 總閘極電荷 (QG(tot))： 12.7 至 19nC
• 靜態汲極-源極崩潰電壓 (V(BR)DSS)： 60V
• 閘極-源極閾值電壓 (VGSth)： 1.3 至 2.7V

• 繼電器驅動器
• 高速線路驅動器
• 低側負載開關
• 開關電路

N 通道 MOSFET 是一種場效電晶體 (FET)，廣泛用於電子電路中的訊號切換和放大。它們通過使用電場來控制源極和汲極端子之間的電流流動。N 通道是指流經元件的電荷載子 (電子) 的類型。

選擇 N 通道 MOSFET 時，關鍵考量因素包括汲極-源極電壓 (VDS)、閘極-源極電壓 (VGS)、汲極電流 (ID) 和汲極-源極導通電阻 (RDSon)。這些參數決定了 MOSFET 處理電壓和電流位準的能力，以及其在開關應用中的效率和速度。

MOSFET 是廣泛應用中的基本元件，從電源管理和轉換到訊號處理。MOSFET 技術的選擇（例如 Trench MOSFET）會影響裝置的效能特性，包括切換速度、導通電阻以及對過電壓的穩健性。

對於工程師來說，了解其應用的具體要求對於選擇合適的 MOSFET 至關重要。這包括考慮操作環境，例如溫度範圍和潛在靜電放電的存在，這可能會影響 MOSFET 的效能和可靠性。