2N7002P,235: 60 V，360 mA N 通道溝槽 MOSFET，SOT23 封裝

Nexperia

Nexperia 的 2N7002P,235 是一款 N 通道增強模式場效電晶體 (FET)，採用溝槽 MOSFET 技術。封裝在小型 SOT23 (TO-236AB) 表面貼裝元件 (SMD) 塑膠封裝中，為各種應用提供了緊湊的解決方案。此元件設計用於高速線路驅動器、繼電器驅動器、低側負載開關以及開關電路等應用。

它具有 60 V 的汲極-源極電壓 (VDS)，-20 至 20 V 的閘極-源極電壓 (VGS) 範圍，以及在 25°C 時高達 360 mA 的連續汲極電流 (ID)。該裝置的特點是其快速開關能力和邏輯電平相容性，使其適用於各種電子電路。2N7002P,235 也通過了 AEC-Q101 認證，表明其在汽車應用中的可靠性。

• 汲極-源極電壓 (VDS): 60 V
• 閘極-源極電壓 (VGS): -20 至 20 V
• 汲極電流 (ID): 360 mA 於 VGS = 10 V; Tamb = 25 °C
• 汲極-源極導通狀態電阻 (RDSon): 1 至 1.6 Ω 於 VGS = 10 V; ID = 500 mA
• 總功耗 (Ptot): 350 mW 於 Tamb = 25 °C
• 接面溫度 (Tj): -55 至 150 °C

• 高速線路驅動器
• 繼電器驅動器
• 低側負載開關
• 開關電路

N 通道 MOSFET 是一種場效應電晶體 (FET)，廣泛用於電子電路中以切換和放大訊號。它們透過使用電場來控制汲極和源極端子之間的電流流動，該電流由施加到閘極端子的電壓調變。N 通道是指在元件中傳導電流的電荷載子（電子）類型。

選擇 N 通道 MOSFET 時，應考慮幾個關鍵參數，包括汲極-源極電壓 (VDS)、閘極-源極電壓 (VGS) 和汲極電流 (ID)。這些參數決定了 MOSFET 在電路中的功率處理能力和效率。導通電阻 (RDSon) 也是一個重要因素，因為它影響 MOSFET 導通時的功率損耗和熱量產生。

N 通道 MOSFET 的應用多種多樣，從便攜式設備中的電源管理到工業應用中的驅動馬達。它們的快速切換能力使其適用於高速切換應用，例如功率轉換器和逆變器。

工程師還應考慮 MOSFET 的熱特性，包括熱阻和最大接面溫度，以確保在各種操作條件下的可靠運作。封裝選項（如 SOT23 封裝）為空間受限的應用提供了緊湊的解決方案。