2N7002P,235: 60 V，360 mA N通道溝槽MOSFET，SOT23封裝

Nexperia

2N7002P,235 由 Nexperia 製造，是一種 N 通道增強模式場效應晶體管（FET），採用溝槽 MOSFET 技術。它採用小型 SOT23 (TO-236AB) 表面貼裝裝置（SMD）塑膠封裝，為各種應用提供了緊湊的解決方案。該元件旨在用作高速線路驅動器、繼電器驅動器、低側負載開關以及開關電路等應用。

它具有 60 V 的漏源電壓（VDS）、-20 至 20 V 的門源電壓（VGS）範圍，以及在 25°C 時高達 360 mA 的連續漏電流（ID）。該裝置以其快速切換能力和邏輯級兼容性為特點，適用於廣泛的電子電路。2N7002P,235 也通過了 AEC-Q101 資格，表明其適用於汽車應用的可靠性。

• 源極-漏極電壓（VDS）： 60 V
• 閘極-源極電壓（VGS）： -20 至 20 V
• 漏電流（ID）： 在 VGS = 10 V；Tamb = 25 °C 時為 360 mA
• 源極-漏極導通電阻（RDSon）： 在 VGS = 10 V；ID = 500 mA 時為 1 至 1.6 Ω
• 總功率耗散（Ptot）： 在 Tamb = 25 °C 時為 350 mW
• 結溫（Tj）： -55 至 150 °C

• 高速線路驅動器
• 繼電器驅動器
• 低側負載開關
• 切換電路

N-通道 MOSFET 是一種廣泛用於電子電路中的場效應電晶體（FET），用於開關和放大信號。它們通過使用電場來控制漏源端之間的電流流動，該電流由施加到閘極端的電壓調制。N-通道指的是導電電流的電荷載體（電子）的類型。

在選擇N通道MOSFET時，應考慮幾個關鍵參數，包括漏源電壓（VDS）、門源電壓（VGS）和漏電流（ID）。這些參數決定了MOSFET在電路中的功率處理能力和效率。導通電阻（RDSon）也是一個重要因素，因為它影響MOSFET導通時的功率損失和熱生成。

N通道MOSFET的應用多樣，從便攜設備的電源管理到工業應用中的馬達驅動。它們的快速切換能力使它們適用於高速切換應用，如在電源轉換器和逆變器中。

工程師還應考慮MOSFET的熱特性，包括熱阻和最大結溫，以確保在各種操作條件下可靠運行。如SOT23封裝的封裝選項，為空間受限應用提供了緊湊的解決方案。