2N7002,215: 60V、300mA N通道溝槽MOSFET,快速切換,SOT23
Nexperia

2N7002,215由Nexperia提供,是一款N通道增強模式場效應晶體管(FET),採用溝槽MOSFET技術,封裝在塑料表面貼裝SOT23封裝中。該元件旨在通過啟用非常快速的切換能力,在各種電子電路中提供高效性能。採用溝槽MOSFET技術不僅提高了設備的性能,還有助於其長時間的可靠性和耐用性。

2N7002,215 的關鍵特點包括其適用於邏輯級閘驅動源,表明其能夠在數字電路中常見的較低電壓水平下運行。這一特性,結合其快速切換速度,使其成為高速切換應用的絕佳選擇。該元件封裝在一個 SOT23 封裝中,這是一個緊湊的形式因素,便於輕鬆集成到廣泛的電子設備中。

關鍵規格和特點

  • 漏源電壓(VDS): 60V
  • 漏電流(ID): 300mA
  • 總功率耗散(Ptot): 0.83W
  • 漏源導通電阻(RDSon): 2.8至5Ω
  • 閘源電壓(VGS): ±30V,峰值±40V
  • 結點溫度(Tj): -65至150°C
  • 封裝: SOT23

2N7002,215 數據手冊

2N7002,215 數據表(PDF)

2N7002,215 替代品
可作為2N7002,215的等效替代元件,最受歡迎的元件優先

應用

  • 邏輯級轉換器
  • 高速線路驅動器

類別

晶體管

一般資訊

場效應晶體管(FETs)是一種控制電流流動的晶體管,使用電場。它們是各種電子電路中的關鍵組件,包括放大器、振盪器和開關。N通道MOSFET,如2N7002,215,特別適用於在電子設備中開關和放大信號。

在選擇特定應用的FET時,重要的是要考慮因素,如漏源電壓、漏電流、功率耗散和切換速度。FET的封裝也起著關鍵作用,特別是在緊湊或表面貼裝設計中。如2N7002,215所使用的溝槽MOSFET技術,通過降低導通電阻和提高切換速度來提高性能。

對於需要快速切換和低功耗損失的應用,如2N7002,215這樣的N通道MOSFET是理想的。它們能夠在邏輯級門驅動電壓下操作,使其適合與微控制器和其他數字邏輯電路接口。此外,緊湊的SOT23封裝允許在PCB設計中有效利用空間。

總的來說,當選擇 MOSFET 時,工程師應仔細評估元件的規格與其應用的要求。2N7002,215 提供了性能、可靠性和易於集成的平衡組合,使其成為廣泛電子設計的多功能選擇。

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