2N7002BK,215: 60V，350mA N通道溝槽MOSFET，SOT23封裝

Nexperia

Nexperia的2N7002BK是一款N通道增強模式場效應晶體管（FET），採用溝槽MOSFET技術。它封裝在一個緊湊的SOT23（TO-236AB）表面貼裝裝置（SMD）塑料封裝中，專為具有非常快速切換能力的邏輯級應用而設計。該元件配備了高達2 kV的ESD保護，確保在各種應用中的堅固性能。

這款 MOSFET 的特點是漏源電壓 (VDS) 為 60 V，25°C 時的漏電流 (ID) 為 350 mA，閘源電壓 (VGS) 為 ±20 V。在閘源電壓為 10 V 和漏電流為 500 mA 時，漏源導通電阻 (RDSon) 被指定在 1 至 1.6 Ω 之間。其熱特性和動態參數，包括總閘極電荷和輸入/輸出電容，均優化用於高速切換應用。

• 漏源電壓（VDS）： 60 V
• 漏電流（ID）： 在25°C時為350 mA
• 閘源電壓（VGS）： ±20 V
• 漏源導通電阻（RDSon）： 在VGS = 10 V, ID = 500 mA時為1至1.6 Ω
• 總功率耗散（Ptot）： 在25°C時為370 mW
• 結溫（Tj）： 150 °C
• ESD保護： 高達2 kV
• 封裝： SOT23（TO-236AB）

• 繼電器驅動器
• 高速線路驅動器
• 低側負載開關
• 切換電路

N通道MOSFET是一種場效應晶體管（FET），主要用於在各種電子設備中切換和放大電子信號。它們通過使用電場來控制源極和漏極之間的電流流動來操作。N通道指的是通過裝置流動的電荷載體（電子）的類型。

在選擇N通道MOSFET時，工程師應考慮諸如漏源電壓（VDS）、漏電流（ID）、閘源電壓（VGS）和漏源導通電阻（RDSon）等參數。其他重要因素包括設備的功率耗散能力、熱阻以及任何保護功能，如ESD保護。

MOSFET在設計電源電路、電機控制電路以及作為各種電子設備中的開關中不可或缺。它們能夠快速切換，使其適用於高速和高頻應用。封裝的選擇（例如，SOT23）也至關重要，影響元件在電路設計中的熱管理和整體足跡。

總的來說，選擇 N 通道 MOSFET 應由應用的特定要求指導，包括操作電壓和電流水平、切換速度、熱考慮和封裝限制。