2N7002BK,215: 60 V，350 mA N 通道溝槽 MOSFET，SOT23 封裝

Nexperia

Nexperia 的 2N7002BK 是一款 N 通道增強模式場效電晶體 (FET)，採用溝槽 MOSFET 技術。它封裝在緊湊的 SOT23 (TO-236AB) 表面黏著元件 (SMD) 塑膠封裝中，專為具有非常快速切換能力的邏輯電平應用而設計。該元件配備高達 2 kV 的 ESD 保護，確保在各種應用中的強大性能。

此 MOSFET 的特性為：在 25°C 時，汲極-源極電壓 (VDS) 為 60 V，汲極電流 (ID) 為 350 mA，閘極-源極電壓 (VGS) 為 ±20 V。在閘極-源極電壓為 10 V 且汲極電流為 500 mA 時，汲極-源極導通電阻 (RDSon) 介於 1 至 1.6 Ω 之間。其熱特性和動態參數（包括總閘極電荷和輸入/輸出電容）針對高速開關應用進行了最佳化。

• 汲極-源極電壓 (VDS)： 60 V
• 汲極電流 (ID)： 350 mA @ 25°C
• 閘極-源極電壓 (VGS)： ±20 V
• 汲極-源極導通電阻 (RDSon)： 1 至 1.6 Ω @ VGS = 10 V, ID = 500 mA
• 總功耗 (Ptot)： 370 mW @ 25°C
• 接面溫度 (Tj)： 150 °C
• ESD 保護： 高達 2 kV
• 封裝： SOT23 (TO-236AB)

• 繼電器驅動器
• 高速線路驅動器
• 低側負載開關
• 開關電路

N 通道 MOSFET 是一種場效電晶體 (FET)，主要用於各種類型電子設備中的電子訊號開關和放大。它們透過電場來控制源極和汲極端子之間的電流流動。N 通道是指流經元件的電荷載子（電子）類型。

在選擇 N 通道 MOSFET 時，工程師應考慮汲極-源極電壓 (VDS)、汲極電流 (ID)、閘極-源極電壓 (VGS) 和汲極-源極導通電阻 (RDSon) 等參數。其他重要因素包括元件的功耗能力、熱阻以及任何保護功能，如 ESD 保護。

MOSFET 是電源供應電路、馬達控制電路設計中不可或缺的元件，並在各種電子設備中作為開關使用。它們快速切換的能力使其適用於高速和高頻應用。封裝的選擇（例如 SOT23）也至關重要，會影響電路設計中的熱管理和元件的整體佔用空間。

總體而言，N 通道 MOSFET 的選擇應以應用的具體需求為指導，包括工作電壓和電流水平、開關速度、熱考量和封裝限制。