IRLML2060TRPBF: HEXFET功率MOSFET，60V，1.2A，RDS(on)最大480mΩ @ 10V

Infineon

IRLML2060TRPBF 是由英飛凌設計的 HEXFET 功率 MOSFET，用於電子電路中的高效電源管理。它在 60V 的漏源電壓（VDS）下運行，並且在 10V 的閘源電壓（VGS）下可以處理 1.2A 的持續漏電流（ID）。該裝置在 VGS = 10V 時具有最大靜態漏源至漏電阻（RDS(on)）為 480mΩ，在 VGS = 4.5V 時增加至 640mΩ，確保高效運行並最小化功率損失。

這款MOSFET與現有的表面貼裝技術兼容，易於融入各種設計中。它採用行業標準的引腳排列，確保了多供應商的兼容性。其RoHS合規性表明它不含鉛、溴或鹵素，使其成為電源切換應用中的環保選擇。IRLML2060TRPBF適用於廣泛的應用，包括負載/系統開關，因其堅固的性能和可靠性。

• VDS（漏源電壓）： 60V
• ID（25°C時的連續漏電流）： 1.2A
• RDS(on)（VGS=10V時的靜態漏源電阻）： 480mΩ
• VGS（閘源電壓）最大值： ±16V
• PD（25°C時的最大功耗）： 1.25W
• TJ, TSTG（結和儲存溫度範圍）： -55至+150°C

• 負載/系統開關

功率MOSFET是電子電路中控制電力流動的基本組件。它們作為開關或放大器運作，有效地在從消費電子到工業系統的廣泛應用中管理電力分配。選擇功率MOSFET時，重要的考慮因素包括最大漏源電壓（VDS）、連續漏電流（ID）、門源電壓（VGS）和靜態漏源導通電阻（RDS(on)）。這些參數決定了MOSFET處理所需功率水平的能力，並盡量減少損失。

由英飛凌設計的IRLML2060TRPBF是一款適用於負載/系統切換應用的高性能功率MOSFET。它具有低導通電阻，確保高效的電力管理和最小的熱產生。工程師還應考慮封裝類型，以實現熱管理和與現有製造過程的兼容性。此外，環境合規性，如RoHS，對於確保元件適用於全球市場至關重要。總之，選擇合適的功率MOSFET需要平衡性能、效率、熱管理和環境標準的合規性。