onsemi的2N7002LT1G是一款用於小信號切換應用的N通道MOSFET。這款MOSFET採用緊湊的SOT-23封裝，支持高達60V的漏源電壓（VDSS）和在25°C下115mA的連續漏電流（ID）。它具有在VGS = 10V時7.5歐姆的低導通電阻（RDS(on)），在電路操作中提高了其效率。
該裝置還提供了強大的熱性能，其最大接點至周圍環境的熱阻（RθJA）為556 °C/W，使用FR-5板時。對於需要更高熱效率的應用，該裝置在氧化鋁基板上的性能顯示出改善的RθJA為417 °C/W。2N7002LT1G設計用於處理高達800mA的脈衝漏電流（IDM），為各種設計要求提供靈活性。其動態特性包括輸入、輸出和反向轉移電容，便於在開關應用中進行準確建模。
MOSFET
MOSFETs（金屬氧化物半導體場效應晶體管）是一種用於放大或切換電子信號的晶體管。由於它們高輸入阻抗，最小化了從輸入源抽取的電流，以及它們能夠在高速下操作的能力，它們在電子設備中被廣泛使用。像 2N7002LT1G 這樣的 N 通道 MOSFET，在門相對於源有正電壓時導通，使它們適用於包括功率管理、負載開關和信號放大在內的多種應用。
選擇特定應用的MOSFET時，需要考慮的重要參數包括漏源電壓（VDSS）、漏電流（ID）、導通狀態電阻（RDS(on)）和熱特性。VDSS等級指示MOSFET在關閉時可以阻擋的最大電壓，而ID等級提供了它在開啟時可以導通的最大電流。RDS(on)值對於功率效率至關重要，因為較低的值會導致較少的功率消耗。熱特性，如接點至環境熱阻（RθJA），也對於確保設備在安全溫度範圍內運行很重要。
除了這些參數外，MOSFET的開關特性，如開啟和關閉時間，對於需要快速開關速度的應用至關重要。源極和漏極之間的體二極管特性，描述了涉及逆向電流流動的應用中內置二極管的行為。總的來說，選擇MOSFET應基於對其電氣和熱性能的全面評估，以滿足預定應用的具體要求。