onsemi 的 2N7002LT1G 是一款專為小信號開關應用設計的 N 通道 MOSFET。這款 MOSFET 採用緊湊的 SOT-23 封裝，支援高達 60V 的汲極-源極電壓 (VDSS) 和 25°C 時 115mA 的連續汲極電流 (ID)。它具有 7.5 歐姆 (VGS = 10V) 的低導通電阻 (RDS(on))，提高了電路運作效率。
該裝置還提供強大的熱性能，在 FR-5 板上的最大接面至環境熱阻 (RθJA) 為 556 °C/W。對於需要更高熱效率的應用，該裝置在氧化鋁基板上的性能顯示出改進的 RθJA 為 417 °C/W。2N7002LT1G 設計用於處理高達 800mA 的脈衝汲極電流 (IDM)，為各種設計需求提供靈活性。其動態特性包括輸入、輸出和反向傳輸電容，有助於在開關應用中進行精確建模。
MOSFET
MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）是一種用於放大或開關電子信號的晶體管。由於其高輸入阻抗（可最大限度地減少輸入源的電流消耗）及其高速運行的能力，它們廣泛用於電子設備中。N 通道 MOSFET，如 2N7002LT1G，在相對於源極向柵極施加正電壓時導通，使其適合各種應用，包括電源管理、負載開關和信號放大。
為特定應用選擇 MOSFET 時，需要考慮的重要參數包括汲極-源極電壓 (VDSS)、汲極電流 (ID)、導通電阻 (RDS(on)) 和熱特性。VDSS 額定值表示 MOSFET 在關閉時可以阻斷的最大電壓，而 ID 額定值提供其在導通時可以傳導的最大電流。RDS(on) 值對於電源效率至關重要，因為較低的值會導致較少的功耗。熱特性（例如結到環境熱阻 (RθJA)）對於確保元件在安全溫度限制內運行也很重要。
除了這些參數外，MOSFET 的開關特性（例如開啟和關閉時間）對於需要快速開關速度的應用至關重要。體二極體特性描述了汲極和源極之間固有二極體的行為，這與涉及反向電流流動的應用相關。總體而言，MOSFET 的選擇應基於對其電氣和熱效能的綜合評估，以滿足預期應用的特定要求。