T2N7002BK,LM(T: MOSFET Kênh N, 60V, 400mA, SOT23, RDS(ON) 1.05Ω

Toshiba

T2N7002BK là một MOSFET kênh N Silicon được thiết kế cho các ứng dụng chuyển mạch tốc độ cao. Nó có điện trở bật cực máng-nguồn thấp (RDS(ON)) là 1,05 Ω (điển hình) tại VGS = 10V, làm cho nó phù hợp để quản lý năng lượng hiệu quả trong các mạch khác nhau. Linh kiện này được đóng gói ở dạng SOT23 nhỏ gọn, tạo điều kiện tích hợp dễ dàng vào các thiết kế hạn chế về không gian.

MOSFET này hỗ trợ điện áp cực máng-nguồn (VDSS) lên đến 60V và có thể xử lý dòng cực máng liên tục (ID) lên đến 400mA, với khả năng dòng cực máng xung lên đến 1200mA. Nó cũng tích hợp bảo vệ ESD với mức HBM là 2 kV, nâng cao độ tin cậy trong môi trường nhạy cảm. T2N7002BK được tối ưu hóa cho hiệu suất với một loạt các điện áp cực cổng-nguồn, cho thấy tính linh hoạt trong các điều kiện hoạt động khác nhau.

• Điện áp cực máng-nguồn (VDSS): 60V
• Điện áp cực cổng-nguồn (VGSS): ±20V
• Dòng cực máng liên tục (ID): 400mA
• Dòng cực máng xung (IDP): 1200mA
• Điện trở bật cực máng-nguồn (RDS(ON)): 1.05 Ω (điển hình) tại VGS = 10V
• Công suất tiêu tán (PD): 320 mW đến 1000 mW
• Nhiệt độ kênh (Tch): 150°C
• Bảo vệ ESD: HBM mức 2 kV

• Các ứng dụng chuyển mạch tốc độ cao

MOSFET (Transistor hiệu ứng trường oxit kim loại - bán dẫn) là một thành phần cơ bản trong thiết kế điện tử, mang lại hiệu suất và độ tin cậy cao cho các tác vụ chuyển mạch và khuếch đại. Chúng hoạt động bằng cách kiểm soát độ dẫn điện giữa các cực máng (drain) và cực nguồn (source) bằng điện áp, khiến chúng trở nên thiết yếu cho quản lý năng lượng, xử lý tín hiệu và hơn thế nữa.

Khi chọn MOSFET, các thông số chính bao gồm điện áp cực máng-nguồn (VDSS), dòng điện cực máng (ID), điện áp cực cổng-nguồn (VGSS) và điện trở bật cực máng-nguồn (RDS(ON)). Các thông số này xác định khả năng của MOSFET trong việc xử lý điện áp cao, dòng điện và hiệu suất của nó. Ngoài ra, đóng gói, quản lý nhiệt và mức độ bảo vệ ESD là những cân nhắc quan trọng.

Đối với các ứng dụng chuyển mạch tốc độ cao, MOSFET có RDS(ON) thấp được ưu tiên để giảm thiểu tổn thất điện năng và sinh nhiệt. Việc lựa chọn dải điện áp cổng-nguồn (VGSS) cũng ảnh hưởng đến khả năng tương thích với các mạch điều khiển. Hơn nữa, việc hiểu các đặc tính nhiệt và đảm bảo tản nhiệt đầy đủ là rất quan trọng để hoạt động đáng tin cậy.

Tóm lại, việc chọn đúng MOSFET liên quan đến việc phân tích cẩn thận các đặc tính điện, tính chất nhiệt và yêu cầu ứng dụng. Các MOSFET như T2N7002BK, với RDS(ON) thấp và các tính năng bảo vệ mạnh mẽ, cung cấp một lựa chọn hấp dẫn cho các kỹ sư muốn tối ưu hóa thiết kế của họ về hiệu suất và độ tin cậy.