T2N7002BK,LM(T: MOSFET N-Channel, 60V, 400mA, SOT23, RDS(ON) 1.05Ω

Toshiba

T2N7002BK là một MOSFET N-Channel Silicon được thiết kế cho các ứng dụng chuyển mạch tốc độ cao. Nó có một trở kháng drain-source thấp (RDS(ON)) là 1.05 Ω (điển hình) tại VGS = 10V, làm cho nó phù hợp cho quản lý năng lượng hiệu quả trong các mạch khác nhau. Thành phần được đóng gói trong một gói SOT23 nhỏ gọn, tạo điều kiện tích hợp dễ dàng vào các thiết kế có không gian hạn chế.

MOSFET này hỗ trợ một điện áp nguồn-drain (VDSS) lên đến 60V và có thể xử lý một dòng điện drain liên tục (ID) lên đến 400mA, với khả năng dòng điện drain xung lên đến 1200mA. Nó cũng tích hợp bảo vệ ESD với mức HBM 2 kV, tăng cường độ tin cậy của nó trong môi trường nhạy cảm. T2N7002BK được tối ưu hóa cho hiệu suất với một loạt các điện áp cổng-nguồn, thể hiện sự linh hoạt trong các điều kiện hoạt động khác nhau.

• Điện áp Drain-Source (VDSS): 60V
• Điện áp Gate-Source (VGSS): ±20V
• Dòng Drain liên tục (ID): 400mA
• Dòng Drain xung (IDP): 1200mA
• Điện trở Drain-Source khi mở (RDS(ON)): 1.05 Ω (tiêu biểu) tại VGS = 10V
• Công suất tiêu thụ (PD): 320 mW đến 1000 mW
• Nhiệt độ kênh (Tch): 150°C
• Bảo vệ ESD: Mức HBM 2 kV

• Ứng dụng chuyển mạch tốc độ cao

MOSFETs (Transistor Hiệu Ứng Trường Bán Dẫn Kim Loại-Oxit) là một thành phần cơ bản trong thiết kế điện tử, cung cấp hiệu quả cao và độ tin cậy cho các nhiệm vụ chuyển mạch và khuếch đại. Chúng hoạt động bằng cách điều khiển độ dẫn giữa các cực thoát và nguồn bằng điện áp, làm cho chúng thiết yếu cho quản lý năng lượng, xử lý tín hiệu và hơn thế nữa.

Khi chọn một MOSFET, các thông số quan trọng bao gồm điện áp drain-source (VDSS), dòng drain (ID), điện áp gate-source (VGSS), và điện trở drain-source khi mở (RDS(ON)). Các thông số này xác định khả năng của MOSFET trong việc xử lý điện áp cao, dòng điện, và hiệu quả của nó. Ngoài ra, bao bì, quản lý nhiệt, và mức độ bảo vệ ESD cũng là những yếu tố quan trọng cần xem xét.

Đối với các ứng dụng chuyển mạch tốc độ cao, một MOSFET với RDS(ON) thấp được ưa chuộng để giảm thiểu mất mát năng lượng và sinh nhiệt. Sự lựa chọn của dải điện áp cổng-nguồn (VGSS) cũng ảnh hưởng đến sự tương thích với các mạch điều khiển. Hơn nữa, việc hiểu biết về các đặc tính nhiệt và đảm bảo tản nhiệt đầy đủ là quan trọng cho hoạt động đáng tin cậy.

Tóm lại, việc chọn MOSFET đúng đắn đòi hỏi phải phân tích kỹ lưỡng các đặc tính điện, tính chất nhiệt và yêu cầu ứng dụng. MOSFET như T2N7002BK, với RDS(ON) thấp và các tính năng bảo vệ mạnh mẽ, cung cấp một lựa chọn hấp dẫn cho các kỹ sư muốn tối ưu hóa thiết kế của họ về hiệu suất và độ tin cậy.