2N7002LT1G từ onsemi là MOSFET kênh N được thiết kế cho các ứng dụng chuyển mạch tín hiệu nhỏ. Được đặt trong gói SOT-23 nhỏ gọn, MOSFET này hỗ trợ điện áp cực máng-nguồn (VDSS) lên đến 60V và dòng cực máng liên tục (ID) là 115mA ở 25°C. Nó có điện trở trạng thái bật thấp (RDS(on)) là 7.5 Ohms tại VGS = 10V, nâng cao hiệu quả hoạt động của mạch.
Thiết bị cũng cung cấp hiệu suất nhiệt mạnh mẽ với điện trở nhiệt tối đa từ mối nối đến môi trường xung quanh (RθJA) là 556 °C/W trên bo mạch FR-5. Đối với các ứng dụng yêu cầu hiệu suất nhiệt cao hơn, hiệu suất của thiết bị trên chất nền alumina cho thấy RθJA được cải thiện là 417 °C/W. 2N7002LT1G được thiết kế để xử lý dòng điện cực máng xung (IDM) lên đến 800mA, mang lại sự linh hoạt cho một loạt các yêu cầu thiết kế. Các đặc tính động của nó bao gồm điện dung đầu vào, đầu ra và truyền ngược, tạo điều kiện cho việc mô hình hóa chính xác trong các ứng dụng chuyển mạch.
MOSFET
MOSFET (Transistor hiệu ứng trường oxit kim loại - bán dẫn) là một loại transistor được sử dụng để khuếch đại hoặc chuyển mạch tín hiệu điện tử. Chúng được sử dụng rộng rãi trong các thiết bị điện tử do trở kháng đầu vào cao, giúp giảm thiểu dòng điện rút ra từ nguồn đầu vào và khả năng hoạt động ở tốc độ cao. MOSFET kênh N, như 2N7002LT1G, dẫn điện khi một điện áp dương được áp dụng cho cực cổng so với cực nguồn, làm cho chúng phù hợp với nhiều ứng dụng bao gồm quản lý năng lượng, chuyển mạch tải và khuếch đại tín hiệu.
Khi chọn MOSFET cho một ứng dụng cụ thể, các thông số quan trọng cần xem xét bao gồm điện áp cực máng-nguồn (VDSS), dòng cực máng (ID), điện trở trạng thái bật (RDS(on)) và các đặc tính nhiệt. Xếp hạng VDSS cho biết điện áp tối đa mà MOSFET có thể chặn khi tắt, trong khi xếp hạng ID cung cấp dòng điện tối đa mà nó có thể dẫn khi bật. Giá trị RDS(on) rất quan trọng đối với hiệu suất năng lượng, vì giá trị thấp hơn dẫn đến tiêu tán điện năng ít hơn. Các đặc tính nhiệt, chẳng hạn như điện trở nhiệt từ mối nối đến môi trường xung quanh (RθJA), cũng rất quan trọng để đảm bảo thiết bị hoạt động trong giới hạn nhiệt độ an toàn.
Ngoài các thông số này, các đặc tính chuyển mạch của MOSFET, chẳng hạn như thời gian bật và tắt, rất quan trọng đối với các ứng dụng yêu cầu tốc độ chuyển mạch nhanh. Các đặc tính diode thân (body-diode), mô tả hành vi của diode nội tại giữa cực máng và cực nguồn, có liên quan đến các ứng dụng liên quan đến dòng điện ngược. Nhìn chung, việc lựa chọn MOSFET phải dựa trên đánh giá toàn diện về hiệu suất điện và nhiệt của nó để đáp ứng các yêu cầu cụ thể của ứng dụng dự kiến.