2N7002LT1G từ onsemi là một MOSFET kênh N được thiết kế cho các ứng dụng chuyển mạch tín hiệu nhỏ. Được đóng gói trong một gói SOT-23 nhỏ gọn, MOSFET này hỗ trợ một điện áp nguồn-drain (VDSS) lên đến 60V và một dòng điện drain liên tục (ID) là 115mA ở 25°C. Nó có một điện trở trạng thái bật thấp (RDS(on)) là 7.5 Ohms tại VGS = 10V, tăng cường hiệu quả trong hoạt động mạch.
Thiết bị cũng cung cấp hiệu suất nhiệt mạnh mẽ với điện trở nhiệt tối đa từ nút đến môi trường xung quanh (RθJA) là 556 °C/W trên bảng FR-5. Đối với các ứng dụng yêu cầu hiệu suất nhiệt cao hơn, hiệu suất của thiết bị trên nền alumina cho thấy RθJA được cải thiện là 417 °C/W. 2N7002LT1G được thiết kế để xử lý dòng điện drain xung (IDM) lên đến 800mA, cung cấp sự linh hoạt cho một loạt các yêu cầu thiết kế. Các đặc tính động của nó bao gồm dung lượng đầu vào, đầu ra, và chuyển đổi ngược, tạo điều kiện mô hình hóa chính xác trong các ứng dụng chuyển mạch.
MOSFET
MOSFETs (Transistor Hiệu ứng Trường Ô-xít Kim loại) là một loại transistor được sử dụng để khuếch đại hoặc chuyển mạch các tín hiệu điện tử. Chúng được sử dụng rộng rãi trong các thiết bị điện tử do có trở kháng đầu vào cao, giảm thiểu dòng rút từ nguồn đầu vào, và khả năng hoạt động ở tốc độ cao. MOSFET N-channel, như 2N7002LT1G, dẫn khi một điện áp dương được áp dụng lên cổng so với nguồn, làm cho chúng phù hợp cho một loạt các ứng dụng bao gồm quản lý công suất, chuyển mạch tải, và khuếch đại tín hiệu.
Khi chọn một MOSFET cho một ứng dụng cụ thể, các thông số quan trọng cần xem xét bao gồm điện áp nguồn-drain (VDSS), dòng điện drain (ID), điện trở trạng thái bật (RDS(on)), và các đặc tính nhiệt. Đánh giá VDSS chỉ ra điện áp tối đa mà MOSFET có thể chặn khi tắt, trong khi đánh giá ID cung cấp dòng điện tối đa mà nó có thể dẫn khi bật. Giá trị RDS(on) rất quan trọng cho hiệu suất công suất, vì giá trị thấp hơn dẫn đến ít sự tiêu hao công suất hơn. Các đặc tính nhiệt, như điện trở nhiệt từ nút đến môi trường xung quanh (RθJA), cũng quan trọng để đảm bảo thiết bị hoạt động trong giới hạn nhiệt độ an toàn.
Ngoài các thông số này, các đặc tính chuyển mạch của MOSFET, như thời gian bật và tắt, là quan trọng cho các ứng dụng yêu cầu tốc độ chuyển mạch nhanh. Các đặc tính của diode thân, mô tả hành vi của diode nội tại giữa drain và source, là liên quan cho các ứng dụng liên quan đến dòng điện ngược. Tổng thể, việc lựa chọn MOSFET nên dựa trên đánh giá toàn diện về hiệu suất điện và nhiệt để đáp ứng các yêu cầu cụ thể của ứng dụng dự định.