2N7002ET1G: MOSFET kênh N, 60V, 310mA, SOT-23, RDS(on) thấp
onsemi

2N7002ET1G là một MOSFET kênh N được thiết kế để quản lý năng lượng và xử lý tín hiệu hiệu quả trong nhiều ứng dụng. Thiết bị này sử dụng công nghệ rãnh (trench) để đạt được điện trở bật thấp (RDS(on)) và hiệu suất chuyển mạch cao, làm cho nó phù hợp với việc chuyển đổi và điều khiển năng lượng hiệu suất cao. Gói SOT-23 nhỏ cho phép thiết kế nhỏ gọn trong các ứng dụng hạn chế về không gian.

Với điện áp cực đại từ cực máng đến cực nguồn là 60V và dòng cực máng liên tục là 310mA, 2N7002ET1G có khả năng xử lý mức công suất vừa phải. Điện áp ngưỡng thấp của nó đảm bảo dễ dàng điều khiển từ các mạch logic, tăng cường khả năng tương thích với nhiều giao diện điều khiển. Thiết bị đạt chuẩn AEC-Q101 và có khả năng PPAP, phù hợp cho các ứng dụng ô tô và các môi trường nghiêm ngặt khác.

Các thông số kỹ thuật và tính năng chính

  • Điện áp Drain-to-Source (VDSS): 60V
  • Điện áp Gate-to-Source (VGS): ±20V
  • Dòng Drain liên tục (ID): 310mA
  • Công suất tiêu tán: 300mW
  • RDS(on): 2.5Ω tại 10V, 3.0Ω tại 4.5V
  • Điện trở nhiệt Junction-to-Ambient (RθJA): 417°C/W trạng thái ổn định
  • Dải nhiệt độ hoạt động Junction: -55°C đến +150°C
  • Điện dung đầu vào (CISS): 40pF
  • Tổng điện tích Gate (QG(TOT)): 0.81nC

Bảng dữ liệu 2N7002ET1G

Bảng dữ liệu 2N7002ET1G (PDF)

2N7002ET1G Linh kiện thay thế
Các linh kiện thay thế tương đương có thể dùng làm vật thay thế cho 2N7002ET1G, các linh kiện phổ biến nhất trước tiên

Ứng dụng

  • Công tắc tải phía thấp (Low side load switch)
  • Mạch dịch mức
  • Bộ chuyển đổi DC-DC
  • Các ứng dụng di động (ví dụ: máy ảnh kỹ thuật số, PDA, điện thoại di động)

Danh mục

Bóng bán dẫn (Transistors)

Thông tin chung

MOSFET (Transistor hiệu ứng trường oxit kim loại - bán dẫn) là một thành phần cơ bản trong các mạch điện tử, hoạt động như các công tắc hoặc bộ khuếch đại hiệu quả. Chúng được sử dụng rộng rãi trong chuyển đổi và quản lý năng lượng, xử lý tín hiệu và làm trình điều khiển tải trong các ứng dụng khác nhau. MOSFET cung cấp trở kháng đầu vào cao và trở kháng đầu ra thấp, làm cho chúng có hiệu quả cao cho các ứng dụng chuyển mạch.

Khi chọn MOSFET, các kỹ sư nên xem xét các định mức điện áp và dòng điện tối đa của thiết bị, RDS(on) cho hiệu suất năng lượng, tốc độ chuyển mạch và hiệu suất nhiệt. Bao bì cũng quan trọng đối với việc tích hợp vật lý vào mạch. MOSFET có sẵn trong nhiều loại khác nhau, chẳng hạn như kênh N cho chuyển mạch tốc độ cao và kênh P cho khả năng điều khiển dễ dàng hơn.

2N7002ET1G, với RDS(on) thấp và gói SOT-23 nhỏ gọn, là một ví dụ về MOSFET được thiết kế để chuyển mạch và quản lý năng lượng hiệu quả trong cả ứng dụng ô tô và thiết bị di động. Công nghệ rãnh (trench technology) và điện áp ngưỡng thấp làm cho nó phù hợp với các ứng dụng hiệu suất cao.

Đối với các ứng dụng yêu cầu độ tin cậy cao, chẳng hạn như ô tô, việc chọn một MOSFET đạt chuẩn AEC-Q101 và có khả năng PPAP, như 2N7002ET1G, đảm bảo rằng linh kiện đáp ứng các tiêu chuẩn chất lượng nghiêm ngặt. Hiểu các đặc tính nhiệt và đảm bảo tản nhiệt đầy đủ cũng rất quan trọng để ngăn ngừa quá nhiệt và đảm bảo độ tin cậy lâu dài.

Chỉ số phổ biến PartsBox

  • Doanh nghiệp: 4/10
  • Sở thích: 2/10

Cơ sở dữ liệu linh kiện điện tử

Popular electronic components