2N7002K-7: MOSFET N-Channel chế độ tăng cường, 60V, 380mA, SOT23
Diodes Inc.

2N7002K-7 từ Diodes Inc. là một MOSFET N-Channel Chế độ Tăng cường được thiết kế cho các ứng dụng quản lý công suất và điều khiển động cơ hiệu quả. Nó có trong gói SOT23 nhỏ gọn, phù hợp cho bố trí PCB mật độ cao. MOSFET này được đặc trưng bởi điện trở trạng thái bật thấp (RDS(ON)) và khả năng chuyển mạch nhanh, quan trọng trong việc giảm thiểu mất mát công suất và cải thiện hiệu suất hệ thống tổng thể.

Với điện áp nguồn-drain tối đa (VDSS) 60V và khả năng dòng drain liên tục (ID) lên đến 380mA ở 25°C, 2N7002K-7 phù hợp cho nhiều ứng dụng. Nó cũng có dòng rò vào và ra thấp, đảm bảo tổn thất công suất tối thiểu khi ở trạng thái tắt. Thiết bị được bảo vệ ESD lên đến 2kV, cung cấp độ tin cậy và robustness bổ sung trong môi trường khắc nghiệt.

Thông số và Tính năng Chính

  • Điện áp Dòng-Nguồn (VDSS): 60V
  • Dòng Điện Liên tục (ID): 380mA tại 25°C
  • Điện trở Dòng-Nguồn Tĩnh (RDS(ON)): 2Ω tại VGS = 10V
  • Điện áp Cổng-Nguồn (VGSS): ±20V
  • Công suất Tiêu thụ Tối đa (PD): 370mW
  • Phạm vi Nhiệt độ Hoạt động: -55 đến +150°C
  • Gói: SOT23

2N7002K-7 Bảng dữ liệu

2N7002K-7 bảng dữ liệu (PDF)

2N7002K-7 Thay Thế
Các linh kiện thay thế tương đương có thể phục vụ như một sự thay thế cho 2N7002K-7, các linh kiện phổ biến nhất đầu tiên

Ứng dụng

  • Điều khiển động cơ
  • Chức năng quản lý năng lượng
  • Đèn nền

Danh mục

MOSFET

Thông tin chung

Các MOSFET chế độ tăng cường N-Channel là các thiết bị bán dẫn được sử dụng rộng rãi trong các mạch điện tử cho mục đích chuyển mạch và khuếch đại. Những thành phần này hoạt động bằng cách sử dụng một trường điện để kiểm soát độ dẫn của một kênh trong một vật liệu bán dẫn, cho phép hoặc chặn dòng điện chảy qua.

Khi chọn một MOSFET N-Channel, kỹ sư nên xem xét một số tham số quan trọng như điện áp nguồn-drain (VDSS), dòng drain liên tục (ID), và điện trở nguồn-drain tĩnh (RDS(ON)). Những tham số này xác định khả năng của MOSFET trong việc xử lý mức điện áp và dòng điện trong một ứng dụng cụ thể, cũng như hiệu quả và hiệu suất nhiệt của nó.

Ngoài ra, tốc độ chuyển mạch, dung lượng đầu vào và bao bì cũng là những yếu tố quan trọng. Tốc độ chuyển mạch nhanh là mong muốn để giảm thiểu tổn thất chuyển mạch, trong khi dung lượng đầu vào thấp giúp đạt được tần số hoạt động cao hơn. Loại bao bì ảnh hưởng đến quản lý nhiệt và tích hợp vật lý của MOSFET vào mạch.

MOSFET kênh N thường được sử dụng trong mạch nguồn, ứng dụng điều khiển động cơ và làm các yếu tố chuyển mạch trong các thiết bị điện tử khác nhau. Khả năng kiểm soát dòng điện và điện áp cao một cách hiệu quả trong khi giảm thiểu mất mát năng lượng làm cho chúng trở thành các thành phần thiết yếu trong thiết kế điện tử hiện đại.

Chỉ số Phổ Biến của PartsBox

  • Doanh nghiệp: 4/10
  • Sở thích: 2/10

Cơ sở dữ liệu linh kiện điện tử

Popular electronic components