PMV37ENER: 60V, N-channel Trench MOSFET, SOT23, Tương thích mức logic
Nexperia

PMV37ENER từ Nexperia là một Transistor hiệu ứng trường (FET) kênh N chế độ tăng cường được thiết kế cho hiệu suất cao và độ tin cậy trong các ứng dụng chuyển mạch năng lượng. Sử dụng công nghệ MOSFET Rãnh tiên tiến, nó cung cấp hiệu suất vượt trội trong một gói nhựa SMD SOT23 gắn bề mặt. Linh kiện này được đặc trưng bởi khả năng tương thích mức logic, cho phép nó được điều khiển trực tiếp bởi đầu ra vi điều khiển mà không cần mạch điều khiển bổ sung.

Thiết bị được thiết kế để hoạt động trong phạm vi nhiệt độ mở rộng, với nhiệt độ nút giao (Tj) tối đa là 175 °C, đảm bảo độ tin cậy dưới điều kiện khắc nghiệt. Nó cũng bao gồm bảo vệ chống tĩnh điện (ESD) vượt quá 2 kV HBM (lớp H2), bảo vệ thiết bị trong quá trình xử lý và vận hành. Với điện trở trạng thái mở thấp và khả năng xử lý dòng điện cao, PMV37ENER phù hợp với nhiều ứng dụng bao gồm trình điều khiển rơ le, trình điều khiển dòng cao tốc, công tắc tải phía dưới, và các mạch chuyển mạch khác nhau.

Thông số và Tính năng Chính

  • Điện áp Drain-Source (VDS): 60 V
  • Điện áp Gate-Source (VGS): ±20 V
  • Dòng Drain (ID): 3.5 A tại VGS = 10 V, Tamb = 25 °C
  • Điện trở Drain-Source trạng thái bật (RDSon): 37 đến 49 mΩ tại VGS = 10 V, ID = 3.5 A
  • Phạm vi nhiệt độ mở rộng: Tj = 175 °C
  • Bảo vệ ESD: > 2 kV HBM (lớp H2)
  • Gói: SOT23

PMV37ENER Thay Thế
Các linh kiện thay thế tương đương có thể phục vụ như một sự thay thế cho PMV37ENER, các linh kiện phổ biến nhất đầu tiên

Ứng dụng

  • Trình điều khiển rơ le
  • Trình điều khiển dòng cao tốc
  • Công tắc tải phía dưới
  • Mạch chuyển mạch

Danh mục

Transistor

Thông tin chung

Transistor hiệu ứng trường (FET) là các thiết bị bán dẫn được sử dụng rộng rãi để chuyển mạch và khuếch đại tín hiệu điện tử trong nhiều ứng dụng. MOSFET kênh N, như PMV37ENER, là một loại FET cho phép dòng điện chảy khi một điện áp dương được áp dụng lên cực cổng, làm cho chúng phù hợp cho các ứng dụng chuyển mạch tốc độ cao. Công nghệ MOSFET rãnh cải thiện thêm hiệu suất bằng cách giảm điện trở trạng thái bật và tăng hiệu quả.

Khi chọn một MOSFET cho một ứng dụng cụ thể, các kỹ sư nên xem xét các thông số như điện áp nguồn-drain (VDS), điện áp cổng-nguồn (VGS), dòng điện drain (ID), và điện trở trạng thái bật (RDSon). Ngoài ra, các đặc tính nhiệt và mức bảo vệ ESD của thiết bị là quan trọng để đảm bảo độ tin cậy và tuổi thọ trong môi trường ứng dụng dự định.

Khả năng tương thích mức logic của PMV37ENER đặc biệt có lợi, cho phép kết nối trực tiếp với đầu ra vi điều khiển. Tính năng này, kết hợp với phạm vi nhiệt độ mở rộng và bảo vệ ESD mạnh mẽ, làm cho PMV37ENER là một lựa chọn xuất sắc để thiết kế các mạch chuyển đổi điện năng đáng tin cậy và hiệu quả trong không gian nhỏ.

Tóm lại, PMV37ENER là một ví dụ về sự tiến bộ trong công nghệ MOSFET, cung cấp cho kỹ sư một giải pháp hiệu suất cao, đáng tin cậy cho một loạt các ứng dụng chuyển mạch năng lượng.

Chỉ số Phổ Biến của PartsBox

  • Doanh nghiệp: 2/10
  • Sở thích: 0/10

Cơ sở dữ liệu linh kiện điện tử

Popular electronic components