2N7002KT1G: MOSFET Kênh N SOT-23, 60V, 380mA, RDS(on) thấp

onsemi

2N7002KT1G từ onsemi là MOSFET kênh N tín hiệu nhỏ được thiết kế cho các ứng dụng hiệu suất cao. Được đóng gói trong hệ số dạng SOT-23 nhỏ gọn, MOSFET này hỗ trợ điện áp cực máng-nguồn (VDSS) lên đến 60V và dòng điện cực máng tối đa (ID) là 380mA. Nó được đặc trưng bởi điện trở bật thấp (RDS(on)) thay đổi trong khoảng 1,6Ω ở 10V và 2,5Ω ở 4,5V, nâng cao hiệu quả tổng thể của linh kiện trong các thiết kế mạch.

Linh kiện này được thiết kế với khả năng bảo vệ chống phóng tĩnh điện (ESD), đảm bảo độ tin cậy và độ bền trong các ứng dụng nhạy cảm. RDS(on) thấp của nó góp phần giảm tiêu tán công suất, làm cho nó phù hợp với các ứng dụng mà hiệu quả năng lượng là rất quan trọng. 2N7002KT1G đạt chuẩn AEC-Q101 và có khả năng PPAP, làm cho nó phù hợp với các ứng dụng ô tô và các tình huống khác đòi hỏi các tiêu chuẩn chất lượng và độ tin cậy nghiêm ngặt.

• Điện áp cực máng-nguồn (VDSS): 60V
• Dòng cực máng (ID MAX): 380mA tại 25°C
• RDS(on): 1.6Ω tại 10V, 2.5Ω tại 4.5V
• Điện áp cực cổng-nguồn (VGS): ±20V
• Công suất tiêu tán (PD): 420mW
• Bảo vệ ESD: 2000V

• Công tắc tải phía thấp
• Mạch dịch mức
• Bộ chuyển đổi DC-DC
• Ứng dụng di động (ví dụ: Máy ảnh kỹ thuật số, PDA, Điện thoại di động)

MOSFET (Transistor hiệu ứng trường kim loại-oxit-bán dẫn) là một thành phần cơ bản trong các mạch điện tử, hoạt động như công tắc hoặc bộ khuếch đại. Chúng được ưa chuộng vì hiệu suất cao, tốc độ chuyển mạch nhanh và dễ tích hợp vào các thiết kế mạch khác nhau. Đặc biệt, MOSFET kênh N được sử dụng rộng rãi trong các ứng dụng chuyển đổi và quản lý năng lượng do khả năng xử lý mức công suất đáng kể một cách hiệu quả.

Khi chọn MOSFET cho một ứng dụng cụ thể, các kỹ sư xem xét các thông số như điện áp cực máng-nguồn (VDSS), dòng cực máng (ID) và điện trở bật (RDS(on)). Thông số VDSS cho biết điện áp tối đa mà MOSFET có thể chặn khi tắt, trong khi thông số ID chỉ định dòng điện tối đa mà nó có thể xử lý khi bật. Giá trị RDS(on) rất quan trọng để đánh giá tổn thất điện năng trong quá trình hoạt động, với các giá trị thấp hơn cho thấy hiệu suất cao hơn.

Ngoài các thông số này, loại gói và đặc tính nhiệt cũng là những cân nhắc quan trọng, vì chúng ảnh hưởng đến khả năng tản nhiệt của MOSFET và duy trì hiệu suất trong các điều kiện hoạt động khác nhau. Các tính năng bảo vệ như khả năng chống ESD cũng rất quan trọng để đảm bảo độ tin cậy và tuổi thọ của linh kiện trong các ứng dụng nhạy cảm.

MOSFET 2N7002KT1G của onsemi minh họa cho những cân nhắc này, cung cấp sự cân bằng về hiệu suất, hiệu quả và độ tin cậy cho nhiều ứng dụng, bao gồm ô tô và thiết bị di động.