2N7002KT1G: MOSFET N-Channel SOT-23, 60V, 380mA, RDS(on) thấp

onsemi

2N7002KT1G từ onsemi là một MOSFET N-Kênh tín hiệu nhỏ được thiết kế cho các ứng dụng hiệu quả cao. Được đóng gói trong một hình dạng nhỏ gọn SOT-23, MOSFET này hỗ trợ một điện áp nguồn-đến-đất (VDSS) lên đến 60V và một dòng điện tối đa (ID) 380mA. Nó được đặc trưng bởi một điện trở mở thấp (RDS(on)) thay đổi từ 1.6Ω ở 10V đến 2.5Ω ở 4.5V, tăng cường hiệu quả tổng thể của linh kiện trong thiết kế mạch.

Thành phần này được thiết kế với bảo vệ chống tĩnh điện (ESD), đảm bảo độ tin cậy và độ bền trong các ứng dụng nhạy cảm. RDS(on) thấp của nó góp phần giảm tiêu hao công suất, làm cho nó phù hợp cho các ứng dụng nơi hiệu quả công suất là quan trọng. 2N7002KT1G được chứng nhận AEC-Q101 và có khả năng PPAP, làm cho nó phù hợp cho các ứng dụng ô tô và các tình huống khác yêu cầu tiêu chuẩn chất lượng và độ tin cậy nghiêm ngặt.

• Điện áp Drain-to-Source (VDSS): 60V
• Dòng Drain (ID MAX): 380mA tại 25°C
• RDS(on): 1.6Ω tại 10V, 2.5Ω tại 4.5V
• Điện áp Gate-to-Source (VGS): ±20V
• Công suất Tiêu thụ (PD): 420mW
• Bảo vệ ESD: 2000V

• Công tắc tải phía dưới
• Mạch chuyển mức
• Bộ chuyển đổi DC-DC
• Ứng dụng di động (ví dụ, Máy ảnh kỹ thuật số, PDAs, Điện thoại di động)

MOSFET (Transistor hiệu ứng trường bán dẫn kim loại-oxit) là một thành phần cơ bản trong mạch điện tử, hoạt động như công tắc hoặc bộ khuếch đại. Chúng được ưa chuộng vì hiệu suất cao, tốc độ chuyển mạch nhanh và dễ dàng tích hợp vào các thiết kế mạch khác nhau. MOSFET kênh N, đặc biệt, được sử dụng rộng rãi trong các ứng dụng chuyển đổi và quản lý công suất do khả năng xử lý hiệu quả các mức công suất đáng kể.

Khi chọn một MOSFET cho một ứng dụng cụ thể, các kỹ sư xem xét các thông số như điện áp thoát-nguồn (VDSS), dòng thoát (ID), và điện trở đóng (RDS(on)). Thông số VDSS chỉ ra điện áp tối đa mà MOSFET có thể chặn khi tắt, trong khi thông số ID chỉ ra dòng tối đa mà nó có thể xử lý khi bật. Giá trị RDS(on) là quan trọng để đánh giá tổn thất công suất trong quá trình hoạt động, với các giá trị thấp hơn chỉ ra hiệu quả cao hơn.

Ngoài các thông số này, loại gói và đặc tính nhiệt cũng là những yếu tố quan trọng cần xem xét, vì chúng ảnh hưởng đến khả năng tản nhiệt của MOSFET và duy trì hiệu suất dưới các điều kiện hoạt động khác nhau. Các tính năng bảo vệ như kháng ESD cũng rất quan trọng để đảm bảo độ tin cậy và tuổi thọ của linh kiện trong các ứng dụng nhạy cảm.

MOSFET 2N7002KT1G của onsemi minh họa những xem xét này, cung cấp một sự cân bằng giữa hiệu suất, hiệu quả và độ tin cậy cho nhiều ứng dụng, bao gồm cả thiết bị ô tô và di động.