2N7002K-T1-GE3: N-Channel 60V MOSFET, SOT-23, RDS(on) thấp 2 Ohm, Chuyển mạch nhanh 25ns

Vishay

2N7002K-T1-GE3 là MOSFET kênh N từ Vishay Siliconix, được thiết kế cho các ứng dụng chuyển mạch nhanh. Nó hoạt động ở điện áp máng-nguồn (VDS) là 60V, với dòng máng tối đa (ID) là 0.3A. Thiết bị có điện trở bật thấp (RDS(on)) là 2 Ohm khi VGS là 10V, góp phần vào hiệu quả hoạt động của mạch. Ngoài ra, nó tự hào có điện áp ngưỡng thấp 2V (điển hình) và tốc độ chuyển mạch nhanh 25ns, nâng cao hiệu suất trong các mạch tốc độ cao.

MOSFET này được đóng gói trong gói SOT-23 (TO-236) nhỏ gọn, phù hợp cho các ứng dụng hạn chế về không gian. Nó cũng cung cấp dòng rò đầu vào và đầu ra thấp, điện dung đầu vào thấp 25pF và được trang bị bảo vệ ESD 2000V, đảm bảo độ tin cậy trong nhiều điều kiện hoạt động khác nhau. 2N7002K-T1-GE3 được thiết kế cho các ứng dụng yêu cầu chuyển mạch tốc độ cao và hoạt động điện áp thấp, khiến nó trở thành lựa chọn lý tưởng cho các giao diện mức logic trực tiếp, trình điều khiển, hệ thống chạy bằng pin và rơle trạng thái rắn.

• Điện áp Drain-Source (VDS): 60V
• Điện áp Gate-Source (VGS): ±20V
• Dòng Drain liên tục (ID) tại 25°C: 0.3A
• Dòng Drain xung (IDM): 0.8A
• Công suất tiêu tán (PD) tại 25°C: 0.35W
• Điện trở dẫn (RDS(on)) tại VGS = 10V: 2 Ohm
• Điện áp ngưỡng Gate (VGS(th)): 1 - 2.5V
• Điện dung đầu vào (Ciss): 30pF
• Thời gian bật (td(on)): 25ns
• Thời gian tắt (td(off)): 35ns

• Giao diện mức logic trực tiếp: TTL/CMOS
• Trình điều khiển cho rơle, solenoid, đèn, búa, màn hình, bộ nhớ, transistor
• Hệ thống chạy bằng pin
• Rơle trạng thái rắn

MOSFET Kênh N là một loại transistor hiệu ứng trường (FET) được sử dụng rộng rãi trong các mạch điện tử để chuyển mạch và khuếch đại tín hiệu. Chúng hoạt động bằng cách sử dụng điện trường để kiểm soát độ dẫn của một kênh trong vật liệu bán dẫn. MOSFET Kênh N đặc biệt được chú ý vì hiệu quả cao và khả năng chuyển mạch nhanh.

Khi chọn MOSFET kênh N, cần xem xét một số thông số chính, bao gồm điện áp cực máng-nguồn (VDS), điện áp cực cổng-nguồn (VGS), dòng cực máng liên tục (ID) và điện trở bật (RDS(on)). Các thông số này xác định khả năng xử lý điện áp và dòng điện của thiết bị trong các ứng dụng cụ thể. Ngoài ra, tốc độ chuyển mạch, được thể hiện bằng thời gian bật và tắt, rất quan trọng đối với các ứng dụng yêu cầu chuyển mạch nhanh.

Điện áp ngưỡng (VGS(th)) là một yếu tố quan trọng khác, cho biết điện áp cổng-nguồn tối thiểu cần thiết để bật thiết bị. Điện áp ngưỡng thấp hơn có thể thuận lợi trong các ứng dụng điện áp thấp. Điện dung đầu vào và đầu ra ảnh hưởng đến tốc độ chuyển mạch và mức tiêu thụ điện năng trong các sự kiện chuyển mạch.

MOSFET kênh N được sử dụng trong nhiều ứng dụng, từ quản lý và chuyển đổi năng lượng đến xử lý tín hiệu và mạch chuyển mạch tốc độ cao. Tính linh hoạt và hiệu quả của chúng làm cho chúng trở thành các thành phần thiết yếu trong thiết kế điện tử hiện đại.