2N7002K-T1-GE3: MOSFET N-Channel 60V, SOT-23, RDS(on) thấp 2 Ohm, Chuyển mạch Nhanh 25ns

Vishay

2N7002K-T1-GE3 là một MOSFET kênh N từ Vishay Siliconix, được thiết kế cho các ứng dụng chuyển mạch nhanh. Nó hoạt động ở điện áp nguồn-drain (VDS) 60V, với dòng điện drain tối đa (ID) là 0.3A. Thiết bị có điện trở on thấp (RDS(on)) 2 Ohm khi VGS là 10V, góp phần vào hiệu quả hoạt động của mạch. Ngoài ra, nó còn có điện áp ngưỡng thấp 2V (tiêu biểu) và tốc độ chuyển mạch nhanh 25ns, nâng cao hiệu suất trong các mạch tốc độ cao.

MOSFET này được đóng gói trong một gói SOT-23 (TO-236) nhỏ gọn, làm cho nó phù hợp cho các ứng dụng có không gian hạn chế. Nó cũng cung cấp rò rỉ đầu vào và đầu ra thấp, dung lượng đầu vào thấp là 25pF, và được trang bị bảo vệ ESD 2000V, đảm bảo độ tin cậy trong các điều kiện hoạt động khác nhau. 2N7002K-T1-GE3 được thiết kế cho các ứng dụng yêu cầu chuyển mạch tốc độ cao và hoạt động điện áp thấp, làm cho nó là lựa chọn lý tưởng cho các giao diện mức logic trực tiếp, trình điều khiển, hệ thống sử dụng pin, và rơ le trạng thái rắn.

• Điện áp Drain-Source (VDS): 60V
• Điện áp Gate-Source (VGS): ±20V
• Dòng Drain liên tục (ID) tại 25°C: 0.3A
• Dòng Drain xung (IDM): 0.8A
• Công suất tiêu thụ (PD) tại 25°C: 0.35W
• Điện trở bật (RDS(on)) tại VGS = 10V: 2 Ohm
• Điện áp ngưỡng cổng (VGS(th)): 1 - 2.5V
• Dung lượng đầu vào (Ciss): 30pF
• Thời gian bật (td(on)): 25ns
• Thời gian tắt (td(off)): 35ns

• Giao diện logic cấp độ trực tiếp: TTL/CMOS
• Trình điều khiển cho rơ le, solenoid, đèn, búa, hiển thị, bộ nhớ, transistor
• Hệ thống hoạt động bằng pin
• Rơ le trạng thái rắn

MOSFET kênh N là một loại transistor hiệu ứng trường (FET) được sử dụng rộng rãi trong các mạch điện tử để chuyển mạch và khuếch đại tín hiệu. Chúng hoạt động bằng cách sử dụng một trường điện để kiểm soát độ dẫn của một kênh trong một vật liệu bán dẫn. MOSFET kênh N đặc biệt được chú ý vì hiệu suất cao và khả năng chuyển mạch nhanh của chúng.

Khi lựa chọn một MOSFET kênh N, một số thông số quan trọng cần được xem xét, bao gồm điện áp thoát-nguồn (VDS), điện áp cổng-nguồn (VGS), dòng điện thoát liên tục (ID), và điện trở trạng thái mở (RDS(on)). Các thông số này xác định khả năng của thiết bị để xử lý điện áp và dòng điện trong các ứng dụng cụ thể. Ngoài ra, tốc độ chuyển mạch, được biểu diễn bởi thời gian bật và tắt, là quan trọng cho các ứng dụng đòi hỏi chuyển mạch nhanh.

Điện áp ngưỡng (VGS(th)) là một yếu tố quan trọng khác, chỉ ra điện áp cổng-nguồn tối thiểu cần thiết để bật thiết bị. Các điện áp ngưỡng thấp có thể có lợi trong các ứng dụng điện áp thấp. Dung lượng đầu vào và đầu ra ảnh hưởng đến tốc độ chuyển mạch và mức tiêu thụ năng lượng trong các sự kiện chuyển mạch.

MOSFET kênh N được sử dụng trong một loạt các ứng dụng, từ quản lý và chuyển đổi công suất đến xử lý tín hiệu và mạch chuyển mạch tốc độ cao. Sự linh hoạt và hiệu quả của chúng làm cho chúng trở thành các thành phần thiết yếu trong thiết kế điện tử hiện đại.