2N7002H6327XTSA2: MOSFET kênh N, 60V, 0.3A, RDS(on) tối đa 3Ω, Mức Logic, Chuyển Mạch Nhanh
Infineon

2N7002H6327XTSA2 từ Infineon là một MOSFET N-channel chế độ tăng cường được thiết kế cho các ứng dụng chuyển mạch tốc độ cao. Linh kiện này hoạt động với điện áp cực dẫn đến cực nguồn tối đa (VDS) là 60V và có thể xử lý dòng dẫn liên tục (ID) lên đến 0.3A tại 25°C. Với điện trở trạng thái bật tối đa (RDS(on)) là 3Ω tại VGS=10V, nó cung cấp khả năng xử lý công suất hiệu quả cho kích thước của nó. Thiết bị cũng có khả năng tương thích với mức logic, cho phép nó được điều khiển trực tiếp bởi các tín hiệu logic điện áp thấp.

MOSFET này được đánh giá chịu lực lượng, chỉ ra khả năng xử lý các đợt năng lượng trong quá trình hoạt động. Tính năng chuyển mạch nhanh của nó làm cho nó phù hợp cho các ứng dụng tần số cao. 2N7002H6327XTSA2 được đóng gói trong gói PG-SOT23 nhỏ gọn, làm cho nó lý tưởng cho các ứng dụng có không gian hạn chế. Nó cũng tuân thủ RoHS và không chứa halogen, tuân thủ các tiêu chuẩn môi trường hiện tại.

Thông số và Tính năng Chính

  • Điện áp Drain-Source (VDS): 60V
  • Dòng Drain liên tục (ID) ở 25°C: 0.3A
  • Dòng Drain xung (ID,pulse): 1.2A
  • Điện trở On-State (RDS(on)) tối đa: 3Ω tại VGS=10V
  • Tương thích Mức Logic
  • Được đánh giá Avalanche
  • Chuyển mạch Nhanh
  • Gói: PG-SOT23

2N7002H6327XTSA2 Bảng dữ liệu

2N7002H6327XTSA2 bảng dữ liệu (PDF)

2N7002H6327XTSA2 Thay Thế
Các linh kiện thay thế tương đương có thể phục vụ như một sự thay thế cho 2N7002H6327XTSA2, các linh kiện phổ biến nhất đầu tiên

Ứng dụng

  • Ứng dụng chuyển mạch tốc độ cao
  • Mạch quản lý nguồn
  • Bộ chuyển đổi DC-DC
  • Mạch điều khiển động cơ

Danh mục

Transistor

Thông tin chung

MOSFET (Transistor Hiệu Ứng Trường Bán Dẫn Kim Loại-Oxit) là một loại transistor được sử dụng để khuếch đại hoặc chuyển mạch tín hiệu điện tử. Chúng là các linh kiện cơ bản trong các thiết bị điện tử hiện đại, phục vụ một loạt các ứng dụng từ quản lý công suất đến xử lý tín hiệu. MOSFET kênh N, như 2N7002H6327XTSA2, được thiết kế để dẫn điện giữa các cực dòng và nguồn khi một điện áp dương được áp dụng vào cổng so với nguồn.

Khi chọn một MOSFET cho một ứng dụng cụ thể, các thông số quan trọng như điện áp nguồn-drain (VDS), dòng điện drain (ID), và điện trở nguồn-drain ở trạng thái mở (RDS(on)) là quan trọng để xem xét. Các thông số này xác định khả năng xử lý điện áp và dòng điện của thiết bị, cũng như hiệu quả của nó. Tính tương thích mức logic là một yếu tố quan trọng khác, đặc biệt trong các ứng dụng điện áp thấp nơi MOSFET cần được điều khiển trực tiếp bởi một vi điều khiển hoặc thiết bị logic khác.

Tốc độ mà một MOSFET có thể bật và tắt là quan trọng trong các ứng dụng tần số cao. Việc chuyển đổi nhanh chóng giảm thiểu mất mát công suất và cải thiện hiệu suất. Ngoài ra, các thiết bị được đánh giá về lũy tiến cung cấp độ tin cậy tăng cường trong các điều kiện có thể xảy ra sự cố điện áp. Bao bì cũng là một yếu tố cần xem xét, với các gói nhỏ gọn như PG-SOT23 cho phép thiết kế tiết kiệm không gian.

Tóm lại, việc lựa chọn một MOSFET đòi hỏi một đánh giá cẩn thận về các đặc tính điện của nó, khả năng tương thích với tín hiệu điều khiển, hiệu suất chuyển mạch, và kích thước vật lý. Hiểu biết những khía cạnh này sẽ đảm bảo hiệu suất tối ưu trong ứng dụng dự định.

Chỉ số Phổ Biến của PartsBox

  • Doanh nghiệp: 4/10
  • Sở thích: 2/10

Cơ sở dữ liệu linh kiện điện tử

Popular electronic components