2N7002-T1-E3: MOSFET kênh N 60-V (D-S), VGS(th) 1-2.5V, ID 0.115A

Vishay

2N7002-T1-E3 là một MOSFET kênh N do Vishay sản xuất, được thiết kế để quản lý năng lượng hiệu quả và các ứng dụng chuyển mạch tốc độ cao. Linh kiện này được đặc trưng bởi khả năng xử lý điện áp cực máng-cực nguồn (VDS) lên đến 60V, với điện áp ngưỡng cực cổng-cực nguồn (VGS(th)) dao động từ 1 đến 2.5V. Dòng điện cực máng liên tục tối đa (ID) mà nó có thể hỗ trợ là 0.115A, làm cho nó phù hợp cho các ứng dụng dòng điện thấp đến trung bình.

Các tính năng chính của 2N7002-T1-E3 bao gồm điện trở bật thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh, góp phần giảm tổn thất điện năng và cải thiện hiệu suất trong các mạch điện tử. Thiết bị được đóng gói trong dạng SOT-23 nhỏ gọn, mang lại sự cân bằng giữa hiệu suất và kích thước, khiến nó trở nên lý tưởng cho các ứng dụng hạn chế về không gian. Thiết kế mạnh mẽ của nó đảm bảo độ tin cậy và tuổi thọ, ngay cả trong điều kiện hoạt động đầy thách thức.

• Điện áp cực máng-nguồn (VDS): 60V
• Điện áp ngưỡng cực cổng-nguồn (VGS(th)): 1 đến 2.5V
• Dòng cực máng liên tục (ID): 0.115A
• Điện trở bật (rDS(on)): 7.5 Ohm @ VGS = 10V
• Điện dung đầu vào (Ciss): 22pF
• Tốc độ chuyển mạch: 7ns
• Dải nhiệt độ hoạt động: -55 đến 150°C

• Các ứng dụng chuyển mạch tốc độ cao
• Mạch quản lý năng lượng
• Hệ thống chạy bằng pin
• Trình điều khiển cho rơ-le, cuộn dây solenoid, đèn và transistor

MOSFET kênh N là một loại transistor hiệu ứng trường (FET) được sử dụng rộng rãi trong các mạch điện tử để chuyển mạch và khuếch đại tín hiệu. Chúng hoạt động bằng cách sử dụng điện trường để kiểm soát độ dẫn điện của một kênh, cho phép quản lý năng lượng hiệu quả và chuyển mạch tốc độ cao. Ký hiệu 'Kênh N' đề cập đến loại hạt mang điện (electron) chạy qua thiết bị.

Khi chọn MOSFET kênh N, các kỹ sư xem xét một số thông số chính bao gồm điện áp cực máng-nguồn (VDS), điện áp ngưỡng cực cổng-nguồn (VGS(th)) và dòng cực máng liên tục (ID). Các thông số này xác định sự phù hợp của MOSFET cho các ứng dụng cụ thể, từ chuyển đổi năng lượng đến khuếch đại tín hiệu.

Ưu điểm của việc sử dụng MOSFET Kênh N bao gồm hiệu suất cao, tốc độ chuyển mạch nhanh và điện trở dẫn thấp, góp phần giảm tổn thất điện năng và sinh nhiệt. Tuy nhiên, điều quan trọng là phải đảm bảo rằng các thông số kỹ thuật của MOSFET phù hợp với yêu cầu của ứng dụng dự kiến, bao gồm điện áp hoạt động, công suất dòng điện và tần số chuyển mạch.

Ngoài các thông số kỹ thuật điện, đóng gói và quản lý nhiệt cũng là những cân nhắc quan trọng. Loại gói ảnh hưởng đến điện trở nhiệt của MOSFET và do đó, khả năng tản nhiệt của nó. Quản lý nhiệt thích hợp là rất quan trọng để duy trì hiệu suất và độ tin cậy của thiết bị theo thời gian.