2N7002-T1-E3: MOSFET kênh N 60-V (D-S), VGS(th) 1-2.5V, ID 0.115A
Vishay

2N7002-T1-E3 là một MOSFET kênh N do Vishay sản xuất, được thiết kế cho quản lý năng lượng hiệu quả và các ứng dụng chuyển mạch tốc độ cao. Thành phần này được đặc trưng bởi khả năng xử lý điện áp nguồn-drain (VDS) lên đến 60V, với điện áp ngưỡng cổng-nguồn (VGS(th)) dao động từ 1 đến 2.5V. Dòng điện drain liên tục tối đa (ID) mà nó có thể hỗ trợ là 0.115A, làm cho nó phù hợp cho các ứng dụng dòng điện thấp đến trung bình.

Các tính năng chính của 2N7002-T1-E3 bao gồm điện trở mở thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh, góp phần giảm tổn thất công suất và cải thiện hiệu quả trong mạch điện tử. Thiết bị được đóng gói trong một hình dạng nhỏ gọn SOT-23, cung cấp sự cân bằng giữa hiệu suất và kích thước, làm cho nó lý tưởng cho các ứng dụng có không gian hạn chế. Thiết kế mạnh mẽ của nó đảm bảo độ tin cậy và tuổi thọ, ngay cả dưới điều kiện vận hành khắc nghiệt.

Thông số và Tính năng Chính

  • Điện áp Dòng-Nguồn (VDS): 60V
  • Điện áp Ngưỡng Cổng-Nguồn (VGS(th)): 1 đến 2.5V
  • Dòng Điện Liên Tục (ID): 0.115A
  • Điện Trở Khi Đóng (rDS(on)): 7.5 Ohm @ VGS = 10V
  • Dung Lượng Đầu Vào (Ciss): 22pF
  • Tốc Độ Chuyển Mạch: 7ns
  • Phạm Vi Nhiệt Độ Hoạt Động: -55 đến 150°C

2N7002-T1-E3 Bảng dữ liệu

2N7002-T1-E3 bảng dữ liệu (PDF)

2N7002-T1-E3 Thay Thế
Các linh kiện thay thế tương đương có thể phục vụ như một sự thay thế cho 2N7002-T1-E3, các linh kiện phổ biến nhất đầu tiên

Ứng dụng

  • Ứng dụng chuyển mạch tốc độ cao
  • Mạch quản lý nguồn
  • Hệ thống sử dụng pin
  • Trình điều khiển cho rơ le, solenoid, đèn và transistor

Danh mục

Transistor

Thông tin chung

MOSFET kênh N là một loại transistor hiệu ứng trường (FET) được sử dụng rộng rãi trong các mạch điện tử để chuyển mạch và khuếch đại tín hiệu. Chúng hoạt động bằng cách sử dụng một trường điện để kiểm soát độ dẫn của một kênh, cho phép quản lý công suất hiệu quả và chuyển mạch tốc độ cao. Chỉ dẫn 'Kênh N' đề cập đến loại hạt mang điện tích (electron) chảy qua thiết bị.

Khi chọn một MOSFET kênh N, các kỹ sư xem xét một số thông số chính bao gồm điện áp nguồn-drain (VDS), điện áp ngưỡng cổng-nguồn (VGS(th)), và dòng drain liên tục (ID). Các thông số này xác định sự phù hợp của MOSFET cho các ứng dụng cụ thể, từ chuyển đổi điện năng đến khuếch đại tín hiệu.

Các lợi ích của việc sử dụng MOSFET kênh N bao gồm hiệu suất cao, tốc độ chuyển mạch nhanh, và điện trở on thấp, góp phần giảm mất mát năng lượng và sinh nhiệt. Tuy nhiên, điều quan trọng là phải đảm bảo rằng các thông số kỹ thuật của MOSFET phù hợp với yêu cầu của ứng dụng dự định, bao gồm điện áp hoạt động, khả năng chịu dòng, và tần số chuyển mạch.

Ngoài các thông số kỹ thuật điện, bao bì và quản lý nhiệt cũng là các yếu tố quan trọng cần xem xét. Loại gói ảnh hưởng đến kháng nhiệt của MOSFET và, do đó, khả năng tản nhiệt của nó. Quản lý nhiệt đúng cách là quan trọng để duy trì hiệu suất và độ tin cậy của thiết bị theo thời gian.

Chỉ số Phổ Biến của PartsBox

  • Doanh nghiệp: 3/10
  • Sở thích: 2/10

Cơ sở dữ liệu linh kiện điện tử

Popular electronic components