2N7002BK,215: MOSFET Trench kênh N 60 V, 350 mA, gói SOT23

Nexperia

2N7002BK từ Nexperia là một Transistor hiệu ứng trường (FET) chế độ tăng cường kênh N sử dụng công nghệ Trench MOSFET. Nó được đóng gói trong vỏ nhựa SOT23 (TO-236AB) gắn bề mặt (SMD) nhỏ gọn, được thiết kế cho các ứng dụng mức logic với khả năng chuyển mạch rất nhanh. Linh kiện được trang bị bảo vệ ESD lên đến 2 kV, đảm bảo hiệu suất mạnh mẽ trong các ứng dụng khác nhau.

MOSFET này có đặc điểm là điện áp cực máng-nguồn (VDS) là 60 V và dòng cực máng (ID) là 350 mA ở 25°C, với điện áp cực cổng-nguồn (VGS) là ±20 V. Điện trở trạng thái bật cực máng-nguồn (RDSon) được quy định trong khoảng từ 1 đến 1.6 Ω ở điện áp cực cổng-nguồn là 10 V và dòng cực máng là 500 mA. Các đặc tính nhiệt và thông số động của nó, bao gồm tổng điện tích cực cổng và điện dung đầu vào/đầu ra, được tối ưu hóa cho các ứng dụng chuyển mạch tốc độ cao.

• Điện áp Drain-Source (VDS): 60 V
• Dòng Drain (ID): 350 mA tại 25°C
• Điện áp Gate-Source (VGS): ±20 V
• Điện trở bật Drain-Source (RDSon): 1 đến 1.6 Ω tại VGS = 10 V, ID = 500 mA
• Tổng công suất tiêu tán (Ptot): 370 mW tại 25°C
• Nhiệt độ tiếp giáp (Tj): 150 °C
• Bảo vệ ESD: Lên đến 2 kV
• Gói: SOT23 (TO-236AB)

• Trình điều khiển rơ le
• Trình điều khiển đường dây tốc độ cao
• Công tắc tải phía thấp (low-side)
• Mạch chuyển mạch

MOSFET kênh N là một loại Transistor hiệu ứng trường (FET) được sử dụng chủ yếu để chuyển mạch và khuếch đại tín hiệu điện tử trong nhiều loại thiết bị điện tử khác nhau. Chúng hoạt động bằng cách sử dụng điện trường để kiểm soát dòng điện giữa các cực nguồn (source) và cực máng (drain). Kênh N đề cập đến loại hạt mang điện (electron) chạy qua thiết bị.

Khi chọn MOSFET kênh N, các kỹ sư nên xem xét các thông số như điện áp drain-source (VDS), dòng drain (ID), điện áp gate-source (VGS) và điện trở bật drain-source (RDSon). Các yếu tố quan trọng khác bao gồm khả năng tiêu tán công suất của thiết bị, điện trở nhiệt và bất kỳ tính năng bảo vệ nào như bảo vệ ESD.

MOSFET là thành phần không thể thiếu trong thiết kế mạch cấp nguồn, mạch điều khiển động cơ và làm công tắc trong nhiều thiết bị điện tử khác nhau. Khả năng chuyển mạch nhanh chóng khiến chúng phù hợp cho các ứng dụng tốc độ cao và tần số cao. Việc lựa chọn kiểu đóng gói (ví dụ: SOT23) cũng rất quan trọng, ảnh hưởng đến việc quản lý nhiệt và diện tích chiếm dụng tổng thể của linh kiện trong thiết kế mạch.

Nhìn chung, việc lựa chọn MOSFET kênh N nên được hướng dẫn bởi các yêu cầu cụ thể của ứng dụng, bao gồm điện áp hoạt động và mức dòng điện, tốc độ chuyển mạch, các cân nhắc về nhiệt và các ràng buộc về đóng gói.