2N7002BK,215: MOSFET N-channel 60 V, 350 mA, gói SOT23
Nexperia

2N7002BK từ Nexperia là một Transistor hiệu ứng trường (FET) kênh N chế độ tăng cường sử dụng công nghệ MOSFET Rãnh. Nó được đóng gói trong một gói nhựa SMD (Thiết bị Gắn Mặt) SOT23 (TO-236AB) nhỏ gọn, được thiết kế cho các ứng dụng mức logic với khả năng chuyển mạch rất nhanh. Linh kiện này được trang bị bảo vệ ESD lên đến 2 kV, đảm bảo hiệu suất mạnh mẽ trong các ứng dụng khác nhau.

MOSFET này được đặc trưng bởi một điện áp nguồn-drain (VDS) là 60 V và một dòng điện drain (ID) là 350 mA ở 25°C, với một điện áp cổng-nguồn (VGS) là ±20 V. Điện trở nguồn-drain ở trạng thái mở (RDSon) được chỉ định giữa 1 và 1.6 Ω ở một điện áp cổng-nguồn của 10 V và một dòng điện drain của 500 mA. Các đặc tính nhiệt và các thông số động của nó, bao gồm tổng điện tích cổng và dung lượng vào/ra, được tối ưu hóa cho các ứng dụng chuyển mạch tốc độ cao.

Thông số và Tính năng Chính

  • Điện áp Drain-Source (VDS): 60 V
  • Dòng Drain (ID): 350 mA tại 25°C
  • Điện áp Gate-Source (VGS): ±20 V
  • Điện trở Drain-Source khi mở (RDSon): 1 đến 1.6 Ω tại VGS = 10 V, ID = 500 mA
  • Tổng công suất tiêu thụ (Ptot): 370 mW tại 25°C
  • Nhiệt độ nút giao (Tj): 150 °C
  • Bảo vệ ESD: Lên đến 2 kV
  • Gói: SOT23 (TO-236AB)

2N7002BK,215 Thay Thế
Các linh kiện thay thế tương đương có thể phục vụ như một sự thay thế cho 2N7002BK,215, các linh kiện phổ biến nhất đầu tiên

Ứng dụng

  • Trình điều khiển rơ le
  • Trình điều khiển dòng cao tốc
  • Công tắc tải phía dưới
  • Mạch chuyển mạch

Danh mục

MOSFET

Thông tin chung

MOSFET N-channel là một loại Transistor Hiệu Ứng Trường (FET) chủ yếu được sử dụng để chuyển mạch và khuếch đại tín hiệu điện tử trong các loại thiết bị điện tử khác nhau. Chúng hoạt động bằng cách sử dụng một trường điện để kiểm soát dòng điện chảy giữa các cực nguồn và cực thoát. N-channel đề cập đến loại hạt mang điện tích (electron) chảy qua thiết bị.

Khi chọn một MOSFET kênh N, kỹ sư nên xem xét các thông số như điện áp nguồn-drain (VDS), dòng điện drain (ID), điện áp cổng-nguồn (VGS), và điện trở nguồn-drain khi mở (RDSon). Các yếu tố quan trọng khác bao gồm khả năng tiêu hao công suất của thiết bị, điện trở nhiệt, và bất kỳ tính năng bảo vệ nào như bảo vệ ESD.

MOSFETs là một phần không thể thiếu trong thiết kế của mạch cung cấp điện, mạch điều khiển động cơ, và như là công tắc trong các thiết bị điện tử. Khả năng chuyển đổi nhanh chóng của chúng làm cho chúng phù hợp cho các ứng dụng tốc độ cao và tần số cao. Sự lựa chọn của bao bì (ví dụ, SOT23) cũng rất quan trọng, ảnh hưởng đến quản lý nhiệt và tổng diện tích của linh kiện trong thiết kế mạch.

Nói chung, việc lựa chọn một MOSFET kênh N nên được hướng dẫn bởi các yêu cầu cụ thể của ứng dụng, bao gồm điện áp và mức dòng hoạt động, tốc độ chuyển mạch, xem xét nhiệt và ràng buộc bao bì.

Chỉ số Phổ Biến của PartsBox

  • Doanh nghiệp: 3/10
  • Sở thích: 2/10

Cơ sở dữ liệu linh kiện điện tử

Popular electronic components