2N7002-7-F: MOSFET kênh N, 60V, 210mA, SOT-23, RDS(ON) 7.5Ω
Diodes Inc.

2N7002-7-F là một MOSFET Chế độ Tăng cường Kênh N được thiết kế để cung cấp điện trở trạng thái bật thấp (RDS(ON)) trong khi vẫn duy trì hiệu suất chuyển mạch vượt trội. MOSFET này có điện áp cực máng-cực nguồn tối đa (VDSS) là 60V, dòng điện cực máng liên tục (ID) là 210mA, và RDS(ON) tối đa là 7.5Ω tại điện áp cực cổng-cực nguồn (VGS) là 5V. Thiết kế của nó được tối ưu hóa cho hiệu quả cao trong các ứng dụng quản lý năng lượng, kết hợp điện áp ngưỡng cổng thấp, điện dung đầu vào thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh trong một gói SOT-23 gắn bề mặt nhỏ.

Linh kiện này phù hợp với nhiều ứng dụng, bao gồm điều khiển động cơ và các chức năng quản lý năng lượng, nơi khả năng xử lý năng lượng hiệu quả và hiệu suất đáng tin cậy là rất quan trọng. 2N7002-7-F được sản xuất bởi Diodes Inc. và hoàn toàn tuân thủ các tiêu chuẩn RoHS, khiến nó trở thành lựa chọn phù hợp cho các ứng dụng có ý thức về môi trường.

Các thông số kỹ thuật và tính năng chính

  • Điện áp Cực máng-Cực nguồn (VDSS): 60V
  • Dòng điện Cực máng liên tục (ID): 210mA
  • Điện trở dẫn tĩnh Cực máng-Cực nguồn (RDS(ON)): 7.5Ω tại VGS=5V
  • Điện áp Cực cổng-Cực nguồn (VGSS): ±20V liên tục, ±40V xung
  • Công suất tiêu tán (PD): 370mW tại TA=25°C
  • Điện trở nhiệt, Tiếp giáp đến Môi trường (RθJA): 348°C/W
  • Kiểu vỏ: SOT-23

Bảng dữ liệu 2N7002-7-F

Bảng dữ liệu 2N7002-7-F (PDF)

2N7002-7-F Linh kiện thay thế
Các linh kiện thay thế tương đương có thể dùng làm vật thay thế cho 2N7002-7-F, các linh kiện phổ biến nhất trước tiên

Ứng dụng

  • Điều khiển động cơ
  • Chức năng quản lý năng lượng

Danh mục

Transistor

Thông tin chung

MOSFET chế độ tăng cường kênh N được sử dụng rộng rãi trong các mạch điện tử vì hiệu quả và độ tin cậy của chúng trong các ứng dụng chuyển mạch. Các linh kiện này hoạt động bằng cách cho phép dòng điện chạy giữa các cực máng và cực nguồn khi một điện áp đủ lớn được đặt vào cực cổng, hoạt động hiệu quả như một công tắc. Ký hiệu Kênh N đề cập đến loại hạt mang điện (electron) dẫn dòng điện qua thiết bị.

Khi chọn MOSFET kênh N, các kỹ sư xem xét một số thông số chính, bao gồm điện áp cực máng-nguồn (VDSS), dòng cực máng (ID) và điện trở bật tĩnh cực máng-nguồn (RDS(ON)). Các thông số này xác định khả năng của MOSFET trong việc xử lý các yêu cầu về điện áp và dòng điện của ứng dụng, cũng như hiệu suất của nó. Điện áp cực cổng-nguồn (VGSS) cũng quan trọng, vì nó ảnh hưởng đến điện áp cần thiết để bật và tắt thiết bị.

Trong các ứng dụng yêu cầu quản lý năng lượng hiệu quả và chuyển mạch nhanh, RDS(ON) thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh của MOSFET đặc biệt có giá trị. Kích thước gói nhỏ, chẳng hạn như SOT-23, cũng có lợi cho các thiết kế hạn chế về không gian. Ngoài ra, việc tuân thủ các tiêu chuẩn môi trường như RoHS thường là một cân nhắc trong việc lựa chọn linh kiện.

Nhìn chung, MOSFET kênh N như 2N7002-7-F rất cần thiết cho nhiều ứng dụng, từ điều khiển động cơ đến các chức năng quản lý năng lượng, nơi yêu cầu chuyển mạch nguồn hiệu quả và đáng tin cậy.

Chỉ số phổ biến PartsBox

  • Doanh nghiệp: 5/10
  • Sở thích: 5/10

Cơ sở dữ liệu linh kiện điện tử

Popular electronic components