BSS138BK từ Nexperia là Transistor hiệu ứng trường (FET) chế độ tăng cường kênh N sử dụng công nghệ Trench MOSFET để cung cấp hiệu suất cao trong gói nhựa Thiết bị gắn bề mặt (SMD) SOT23 (TO-236AB) nhỏ gọn. Linh kiện này được thiết kế để tương thích mức logic, có khả năng chuyển mạch rất nhanh và bảo vệ chống phóng tĩnh điện (ESD) lên đến 1.5 kV, phù hợp với nhiều ứng dụng chuyển mạch tốc độ cao.
Các tính năng chính bao gồm điện áp cực máng-cực nguồn (VDS) là 60V, điện áp cực cổng-cực nguồn (VGS) là ±20V và dòng cực máng (ID) lên đến 360mA ở nhiệt độ môi trường 25°C. BSS138BK cũng thể hiện điện trở trạng thái bật cực máng-cực nguồn thấp (RDSon) từ 1 đến 1.6Ω tại VGS = 10V và ID = 350mA, đảm bảo hoạt động hiệu quả. Các đặc tính nhiệt và thiết kế mạnh mẽ của nó làm cho nó đáng tin cậy để sử dụng trong các ứng dụng khác nhau, bao gồm trình điều khiển rơ le, công tắc tải phía thấp, trình điều khiển đường dây tốc độ cao và mạch chuyển mạch.
Transistor
MOSFET kênh N là một loại Transistor hiệu ứng trường (FET) được sử dụng rộng rãi trong các mạch điện tử để chuyển mạch và khuếch đại tín hiệu. Chúng hoạt động bằng cách sử dụng điện áp đầu vào để kiểm soát dòng điện chạy qua một kênh. Ký hiệu kênh N đề cập đến loại hạt mang điện (electron) di chuyển qua thiết bị.
Khi chọn MOSFET kênh N, các kỹ sư xem xét các thông số như điện áp cực máng-nguồn (VDS), điện áp cực cổng-nguồn (VGS), dòng điện cực máng (ID) và điện trở trạng thái bật cực máng-nguồn (RDSon). Các thông số này xác định khả năng của thiết bị trong việc xử lý các mức điện áp, dòng điện và công suất một cách hiệu quả.
MOSFET kênh N được ưa chuộng vì hiệu suất cao, tốc độ chuyển mạch nhanh và khả năng điều khiển dòng điện lớn. Chúng được ứng dụng trong nhiều loại mạch khác nhau, bao gồm nguồn cung cấp điện, bộ điều khiển động cơ và công tắc điện tử. Những cân nhắc chính khi chọn MOSFET kênh N bao gồm các yêu cầu ứng dụng cụ thể, quản lý nhiệt và nhu cầu về các tính năng bảo vệ như khả năng chống ESD.
BSS138BK là ví dụ điển hình cho việc sử dụng công nghệ MOSFET rãnh, giúp nâng cao hiệu suất bằng cách giảm điện trở trạng thái bật và cải thiện tốc độ chuyển mạch. Điều này làm cho nó phù hợp với các ứng dụng yêu cầu quản lý năng lượng hiệu quả và khả năng chuyển mạch nhanh.