BSS138BK từ Nexperia là một Transistor Hiệu Ứng Trường (FET) N-channel chế độ tăng cường sử dụng công nghệ Trench MOSFET để cung cấp hiệu quả và hiệu suất cao trong một gói nhựa SMD (Thiết Bị Gắn Bề Mặt) nhỏ gọn SOT23 (TO-236AB). Linh kiện này được thiết kế để tương thích với mức logic, có khả năng chuyển mạch nhanh và bảo vệ chống Tĩnh Điện (ESD) lên đến 1.5 kV, làm cho nó phù hợp với một loạt các ứng dụng chuyển mạch tốc độ cao.
Các đặc điểm chính bao gồm điện áp nguồn-drain (VDS) 60V, điện áp cổng-nguồn (VGS) ±20V, và dòng điện drain (ID) lên đến 360mA ở nhiệt độ môi trường 25°C. BSS138BK cũng thể hiện điện trở nguồn-drain trạng thái mở thấp (RDSon) từ 1 đến 1.6Ω tại VGS = 10V và ID = 350mA, đảm bảo hoạt động hiệu quả. Đặc tính nhiệt và thiết kế mạnh mẽ làm cho nó đáng tin cậy để sử dụng trong nhiều ứng dụng, bao gồm trình điều khiển rơ le, công tắc tải phía dưới, trình điều khiển dòng tốc độ cao, và mạch chuyển mạch.
Transistor
MOSFET kênh N là một loại Transistor Hiệu Ứng Trường (FET) được sử dụng rộng rãi trong các mạch điện tử để chuyển mạch và khuếch đại tín hiệu. Chúng hoạt động bằng cách sử dụng điện áp đầu vào để kiểm soát dòng điện chảy qua một kênh. Chỉ định kênh N đề cập đến loại hạt mang điện tích (electron) di chuyển qua thiết bị.
Khi lựa chọn một MOSFET kênh N, các kỹ sư xem xét các thông số như điện áp thoát-nguồn (VDS), điện áp cổng-nguồn (VGS), dòng điện thoát (ID), và điện trở trạng thái mở thoát-nguồn (RDSon). Các thông số này xác định khả năng của thiết bị để xử lý điện áp, dòng điện, và mức công suất một cách hiệu quả.
MOSFET kênh N được ưa chuộng vì hiệu suất cao, tốc độ chuyển mạch nhanh và khả năng điều khiển dòng điện đáng kể. Chúng được ứng dụng trong nhiều mạch điện, bao gồm nguồn cung cấp điện, bộ điều khiển động cơ và công tắc điện tử. Các yếu tố quan trọng khi chọn MOSFET kênh N bao gồm yêu cầu cụ thể của ứng dụng, quản lý nhiệt và nhu cầu về các tính năng bảo vệ như kháng ESD.
BSS138BK minh họa việc sử dụng công nghệ Trench MOSFET, nâng cao hiệu suất bằng cách giảm điện trở trạng thái on và cải thiện tốc độ chuyển mạch. Điều này làm cho nó phù hợp cho các ứng dụng yêu cầu quản lý công suất hiệu quả và khả năng chuyển mạch nhanh.