IRLML2060TRPBF: HEXFET Power MOSFET, 60V, 1.2A, RDS(on) tối đa 480mΩ tại 10V
Infineon

IRLML2060TRPBF là một MOSFET công suất HEXFET được thiết kế bởi Infineon cho quản lý năng lượng hiệu quả trong mạch điện tử. Nó hoạt động ở điện áp nguồn-drain (VDS) 60V và có thể xử lý dòng điện liên tục (ID) 1.2A tại điện áp cổng-nguồn (VGS) 10V. Thiết bị có điện trở nguồn-drain tĩnh tối đa (RDS(on)) 480mΩ tại VGS = 10V, tăng lên 640mΩ tại VGS = 4.5V, đảm bảo hoạt động hiệu quả với tổn thất năng lượng tối thiểu.

MOSFET này tương thích với các kỹ thuật lắp đặt bề mặt hiện có, làm cho nó dễ dàng tích hợp vào các thiết kế khác nhau. Nó được thiết kế với bố trí chân tiêu chuẩn của ngành, đảm bảo khả năng tương thích với nhiều nhà cung cấp. Sự tuân thủ RoHS của nó chỉ ra rằng nó không chứa chì, bromua hoặc halogen, làm cho nó trở thành lựa chọn thân thiện với môi trường cho các ứng dụng chuyển mạch nguồn. IRLML2060TRPBF phù hợp với nhiều ứng dụng, bao gồm công tắc tải/hệ thống, do hiệu suất và độ tin cậy mạnh mẽ của nó.

Thông số và Tính năng Chính

  • VDS (Điện Áp Nguồn-Drain): 60V
  • ID (Dòng Drain Liên Tục) @ TA = 25°C: 1.2A
  • RDS(on) (Điện Trở Drain-to-Source Tĩnh) @ VGS = 10V: 480mΩ
  • VGS (Điện Áp Cổng-Nguồn) Tối Đa: ±16V
  • PD (Công Suất Tối Đa) @ TA = 25°C: 1.25W
  • TJ, TSTG (Phạm Vi Nhiệt Độ Nút và Bảo Quản): -55 đến +150°C

IRLML2060TRPBF Bảng dữ liệu

IRLML2060TRPBF bảng dữ liệu (PDF)

IRLML2060TRPBF Thay Thế
Các linh kiện thay thế tương đương có thể phục vụ như một sự thay thế cho IRLML2060TRPBF, các linh kiện phổ biến nhất đầu tiên

Ứng dụng

  • Công tắc Tải/Hệ thống

Danh mục

MOSFET công suất

Thông tin chung

Các Power MOSFET là thành phần cơ bản trong mạch điện tử để kiểm soát dòng điện. Chúng hoạt động như công tắc hoặc bộ khuếch đại, quản lý phân phối điện năng một cách hiệu quả trong nhiều ứng dụng, từ điện tử tiêu dùng đến hệ thống công nghiệp. Khi chọn một Power MOSFET, các yếu tố quan trọng bao gồm điện áp tối đa giữa dòng và nguồn (VDS), dòng điện liên tục (ID), điện áp giữa cổng và nguồn (VGS), và điện trở dòng-đến-nguồn tĩnh (RDS(on)). Các thông số này xác định khả năng của MOSFET trong việc xử lý các mức công suất yêu cầu với tổn thất tối thiểu.

IRLML2060TRPBF, được thiết kế bởi Infineon, là một ví dụ về Power MOSFET hiệu suất cao phù hợp cho các ứng dụng chuyển mạch tải/hệ thống. Nó có một điện trở mở thấp, đảm bảo quản lý công suất hiệu quả và tạo ra nhiệt tối thiểu. Các kỹ sư cũng nên xem xét loại gói cho quản lý nhiệt và tương thích với các quy trình sản xuất hiện có. Hơn nữa, tuân thủ môi trường, như RoHS, là rất quan trọng để đảm bảo tính phù hợp của linh kiện cho thị trường toàn cầu. Tóm lại, việc chọn Power MOSFET phù hợp liên quan đến việc cân nhắc giữa hiệu suất, hiệu quả, quản lý nhiệt và tuân thủ tiêu chuẩn môi trường.

Chỉ số Phổ Biến của PartsBox

  • Doanh nghiệp: 2/10
  • Sở thích: 2/10

Cơ sở dữ liệu linh kiện điện tử

Popular electronic components