IRLML2060TRPBF: HEXFET Power MOSFET, 60V, 1.2A, RDS(on) tối đa 480mΩ @ 10V
Infineon

IRLML2060TRPBF là một MOSFET công suất HEXFET được thiết kế bởi Infineon để quản lý năng lượng hiệu quả trong các mạch điện tử. Nó hoạt động ở điện áp cực máng-nguồn (VDS) là 60V và có thể xử lý dòng cực máng liên tục (ID) là 1.2A ở điện áp cực cổng-nguồn (VGS) là 10V. Thiết bị có điện trở bật tĩnh cực máng-nguồn tối đa (RDS(on)) là 480mΩ tại VGS = 10V, tăng lên 640mΩ tại VGS = 4.5V, đảm bảo hoạt động hiệu quả với tổn thất điện năng tối thiểu.

MOSFET này tương thích với các kỹ thuật gắn bề mặt hiện có, giúp dễ dàng kết hợp vào các thiết kế khác nhau. Nó được thiết kế với sơ đồ chân tiêu chuẩn công nghiệp, đảm bảo khả năng tương thích đa nhà cung cấp. Việc tuân thủ RoHS cho thấy nó không chứa chì, brom hoặc halogen, khiến nó trở thành lựa chọn thân thiện với môi trường cho các ứng dụng chuyển mạch nguồn. IRLML2060TRPBF phù hợp với nhiều ứng dụng, bao gồm công tắc tải/hệ thống, nhờ hiệu suất mạnh mẽ và độ tin cậy của nó.

Các thông số kỹ thuật và tính năng chính

  • VDS (Điện áp Drain-Source): 60V
  • ID (Dòng Drain liên tục) @ TA = 25°C: 1.2A
  • RDS(on) (Điện trở bật tĩnh Drain-to-Source) @ VGS = 10V: 480mΩ
  • VGS (Điện áp Gate-to-Source) Tối đa: ±16V
  • PD (Công suất tiêu tán tối đa) @ TA = 25°C: 1.25W
  • TJ, TSTG (Dải nhiệt độ Junction và lưu trữ): -55 đến +150°C

Bảng dữ liệu IRLML2060TRPBF

Bảng dữ liệu IRLML2060TRPBF (PDF)

IRLML2060TRPBF Linh kiện thay thế
Các linh kiện thay thế tương đương có thể dùng làm vật thay thế cho IRLML2060TRPBF, các linh kiện phổ biến nhất trước tiên

Ứng dụng

  • Công tắc Tải/Hệ thống

Danh mục

MOSFET công suất

Thông tin chung

MOSFET công suất là các thành phần cơ bản trong mạch điện tử để kiểm soát dòng điện. Chúng hoạt động như công tắc hoặc bộ khuếch đại, quản lý hiệu quả phân phối điện trong một loạt các ứng dụng, từ điện tử tiêu dùng đến hệ thống công nghiệp. Khi chọn MOSFET công suất, các cân nhắc quan trọng bao gồm điện áp cực máng-nguồn tối đa (VDS), dòng điện cực máng liên tục (ID), điện áp cổng-nguồn (VGS) và điện trở bật tĩnh từ cực máng đến cực nguồn (RDS(on)). Các thông số này xác định khả năng của MOSFET trong việc xử lý các mức công suất cần thiết với tổn thất tối thiểu.

IRLML2060TRPBF, được thiết kế bởi Infineon, là một ví dụ điển hình về MOSFET công suất hiệu năng cao phù hợp cho các ứng dụng chuyển mạch tải/hệ thống. Nó có điện trở bật thấp, đảm bảo quản lý năng lượng hiệu quả và giảm thiểu sinh nhiệt. Các kỹ sư cũng nên xem xét loại vỏ linh kiện để quản lý nhiệt và khả năng tương thích với các quy trình sản xuất hiện có. Hơn nữa, việc tuân thủ môi trường, chẳng hạn như RoHS, là rất quan trọng để đảm bảo sự phù hợp của linh kiện đối với thị trường toàn cầu. Tóm lại, việc chọn MOSFET công suất phù hợp liên quan đến việc cân bằng hiệu năng, hiệu quả, quản lý nhiệt và tuân thủ các tiêu chuẩn môi trường.

Chỉ số phổ biến PartsBox

  • Doanh nghiệp: 3/10
  • Sở thích: 2/10

Cơ sở dữ liệu linh kiện điện tử

Popular electronic components