2N7002P,235: MOSFET kênh N, 60 V, 360 mA, gói hàng SOT23

Nexperia

2N7002P,235 của Nexperia là một Transistor Hiệu Ứng Trường (FET) chế độ tăng cường kênh N sử dụng công nghệ Trench MOSFET. Được đóng gói trong một gói thiết bị gắn bề mặt (SMD) nhựa nhỏ SOT23 (TO-236AB), nó cung cấp một giải pháp nhỏ gọn cho các ứng dụng khác nhau. Thành phần này được thiết kế để hoạt động như một trình điều khiển dòng cao tốc, trình điều khiển rơ le, công tắc tải phía dưới, và trong các mạch chuyển mạch, cùng với các ứng dụng khác.

Nó có điện áp nguồn-drain (VDS) là 60 V, phạm vi điện áp cổng-nguồn (VGS) từ -20 đến 20 V, và dòng điện drain liên tục (ID) lên đến 360 mA ở 25°C. Thiết bị được đặc trưng bởi khả năng chuyển mạch nhanh và tương thích cấp logic, làm cho nó phù hợp cho nhiều mạch điện tử. 2N7002P,235 cũng được chứng nhận AEC-Q101, chỉ ra độ tin cậy của nó cho các ứng dụng ô tô.

• Điện áp Drain-Source (VDS): 60 V
• Điện áp Gate-Source (VGS): -20 đến 20 V
• Dòng điện Drain (ID): 360 mA tại VGS = 10 V; Tamb = 25 °C
• Điện trở Drain-Source khi mở (RDSon): 1 đến 1.6 Ω tại VGS = 10 V; ID = 500 mA
• Công suất tiêu thụ tổng (Ptot): 350 mW tại Tamb = 25 °C
• Nhiệt độ Junction (Tj): -55 đến 150 °C

• Bộ lái dòng tốc độ cao
• Bộ lái rơle
• Công tắc tải phía dưới
• Mạch chuyển mạch

MOSFET kênh N là một loại Transistor Hiệu Ứng Trường (FET) được sử dụng rộng rãi trong các mạch điện tử để chuyển mạch và khuếch đại tín hiệu. Chúng hoạt động bằng cách sử dụng một trường điện để điều khiển dòng điện chảy giữa các cực drain và source, được điều chỉnh bởi điện áp áp dụng lên cực gate. Kênh N đề cập đến loại hạt mang điện (electron) dẫn điện trong thiết bị.

Khi lựa chọn một MOSFET N-channel, một số thông số quan trọng cần được xem xét, bao gồm điện áp drain-source (VDS), điện áp gate-source (VGS), và dòng điện drain (ID). Những thông số này xác định khả năng xử lý công suất và hiệu quả của MOSFET trong mạch. Điện trở trạng thái on (RDSon) cũng là một yếu tố quan trọng, vì nó ảnh hưởng đến sự mất mát công suất và sinh nhiệt khi MOSFET đang dẫn.

Ứng dụng của MOSFET kênh N rất đa dạng, từ quản lý năng lượng trong các thiết bị di động đến điều khiển động cơ trong các ứng dụng công nghiệp. Khả năng chuyển mạch nhanh của chúng làm cho chúng phù hợp cho các ứng dụng chuyển mạch tốc độ cao, như trong bộ chuyển đổi và bộ đảo nguồn.

Các kỹ sư cũng nên xem xét các đặc tính nhiệt của MOSFET, bao gồm điện trở nhiệt và nhiệt độ nút tối đa, để đảm bảo hoạt động đáng tin cậy dưới các điều kiện hoạt động khác nhau. Các lựa chọn đóng gói, như gói SOT23, cung cấp một giải pháp nhỏ gọn cho các ứng dụng có không gian hạn chế.