2N7002P,235: MOSFET kênh N rãnh 60 V, 360 mA, vỏ SOT23
Nexperia

2N7002P,235 của Nexperia là Transistor hiệu ứng trường (FET) chế độ tăng cường kênh N sử dụng công nghệ Trench MOSFET. Được đóng gói trong vỏ nhựa thiết bị gắn bề mặt (SMD) SOT23 (TO-236AB) nhỏ, nó cung cấp giải pháp nhỏ gọn cho các ứng dụng khác nhau. Linh kiện này được thiết kế để hoạt động như một trình điều khiển dòng tốc độ cao, trình điều khiển rơle, công tắc tải phía thấp và trong các mạch chuyển mạch, cùng các ứng dụng khác.

Nó có điện áp cực máng-nguồn (VDS) là 60 V, dải điện áp cực cổng-nguồn (VGS) từ -20 đến 20 V và dòng điện cực máng liên tục (ID) lên đến 360 mA ở 25°C. Thiết bị được đặc trưng bởi khả năng chuyển mạch nhanh và khả năng tương thích mức logic, làm cho nó phù hợp với nhiều loại mạch điện tử. 2N7002P,235 cũng đạt chuẩn AEC-Q101, cho thấy độ tin cậy của nó đối với các ứng dụng ô tô.

Các thông số kỹ thuật và tính năng chính

  • Điện áp Drain-Source (VDS): 60 V
  • Điện áp Gate-Source (VGS): -20 đến 20 V
  • Dòng Drain (ID): 360 mA tại VGS = 10 V; Tamb = 25 °C
  • Điện trở trạng thái bật Drain-Source (RDSon): 1 đến 1.6 Ω tại VGS = 10 V; ID = 500 mA
  • Tổng công suất tiêu tán (Ptot): 350 mW tại Tamb = 25 °C
  • Nhiệt độ tiếp giáp (Tj): -55 đến 150 °C

2N7002P,235 Linh kiện thay thế
Các linh kiện thay thế tương đương có thể dùng làm vật thay thế cho 2N7002P,235, các linh kiện phổ biến nhất trước tiên

Ứng dụng

  • Trình điều khiển đường dây tốc độ cao
  • Trình điều khiển rơ le
  • Công tắc tải phía thấp
  • Mạch chuyển mạch

Danh mục

Transistor

Thông tin chung

MOSFET kênh N là một loại Transistor hiệu ứng trường (FET) được sử dụng rộng rãi trong các mạch điện tử để chuyển mạch và khuếch đại tín hiệu. Chúng hoạt động bằng cách sử dụng điện trường để kiểm soát dòng điện giữa các cực máng (drain) và cực nguồn (source), được điều biến bởi điện áp đặt vào cực cổng (gate). Kênh N đề cập đến loại hạt mang điện (electron) dẫn dòng điện trong thiết bị.

Khi chọn MOSFET kênh N, cần xem xét một số thông số chính, bao gồm điện áp cực máng-cực nguồn (VDS), điện áp cực cổng-cực nguồn (VGS) và dòng điện cực máng (ID). Các thông số này xác định khả năng xử lý công suất và hiệu suất của MOSFET trong mạch. Điện trở trạng thái bật (RDSon) cũng là một yếu tố quan trọng, vì nó ảnh hưởng đến tổn thất công suất và sinh nhiệt khi MOSFET đang dẫn điện.

Các ứng dụng của MOSFET kênh N rất đa dạng, từ quản lý năng lượng trong các thiết bị di động đến điều khiển động cơ trong các ứng dụng công nghiệp. Khả năng chuyển mạch nhanh của chúng khiến chúng phù hợp cho các ứng dụng chuyển mạch tốc độ cao, chẳng hạn như trong bộ chuyển đổi nguồn và bộ biến tần.

Các kỹ sư cũng nên xem xét các đặc tính nhiệt của MOSFET, bao gồm điện trở nhiệt và nhiệt độ mối nối tối đa, để đảm bảo hoạt động đáng tin cậy trong các điều kiện vận hành khác nhau. Các tùy chọn đóng gói, chẳng hạn như gói SOT23, cung cấp giải pháp nhỏ gọn cho các ứng dụng hạn chế về không gian.

Chỉ số phổ biến PartsBox

  • Doanh nghiệp: 3/10
  • Sở thích: 1/10

Cơ sở dữ liệu linh kiện điện tử

Popular electronic components