2N7002,215: MOSFET N-channel 60V, 300mA, chuyển mạch nhanh, SOT23
Nexperia

2N7002,215 của Nexperia là một Transistor Hiệu Ứng Trường (FET) kênh N chế độ tăng cường sử dụng công nghệ MOSFET Rãnh, được đóng gói trong một gói nhựa, gắn bề mặt SOT23. Thành phần này được thiết kế để cung cấp hiệu suất hiệu quả trong các mạch điện tử khác nhau bằng cách cho phép khả năng chuyển mạch cực nhanh. Việc sử dụng công nghệ MOSFET Rãnh không chỉ nâng cao hiệu suất của thiết bị mà còn góp phần vào độ tin cậy và độ bền theo thời gian của nó.

Các đặc điểm chính của 2N7002,215 bao gồm sự phù hợp của nó cho các nguồn điều khiển cổng mức logic, chỉ ra khả năng hoạt động của nó ở các mức điện áp thấp thường thấy trong các mạch kỹ thuật số. Đặc điểm này, kết hợp với tốc độ chuyển mạch nhanh của nó, làm cho nó trở thành một lựa chọn xuất sắc cho các ứng dụng chuyển mạch tốc độ cao. Linh kiện được đóng gói trong một gói SOT23, một hình dạng nhỏ gọn giúp dễ dàng tích hợp vào một loạt các thiết bị điện tử.

Thông số và Tính năng Chính

  • Điện áp nguồn-drain (VDS): 60V
  • Dòng điện drain (ID): 300mA
  • Phân tán công suất tổng (Ptot): 0.83W
  • Trở kháng nguồn-drain khi ở trạng thái tiến (RDSon): 2.8 đến 5Ω
  • Điện áp cổng-nguồn (VGS): ±30V, Đỉnh ±40V
  • Nhiệt độ nút (Tj): -65 đến 150°C
  • Gói: SOT23

2N7002,215 Bảng dữ liệu

2N7002,215 bảng dữ liệu (PDF)

2N7002,215 Thay Thế
Các linh kiện thay thế tương đương có thể phục vụ như một sự thay thế cho 2N7002,215, các linh kiện phổ biến nhất đầu tiên

Ứng dụng

  • Bộ chuyển đổi mức logic
  • Bộ điều khiển dòng tốc độ cao

Danh mục

Transistor

Thông tin chung

Transistor hiệu ứng trường (FETs) là một loại transistor điều khiển dòng điện bằng cách sử dụng một trường điện. Chúng là các thành phần chính trong nhiều mạch điện tử, bao gồm các bộ khuếch đại, dao động ký, và công tắc. MOSFET kênh N, như 2N7002,215, đặc biệt hữu ích cho việc chuyển mạch và khuếch đại tín hiệu trong các thiết bị điện tử.

Khi lựa chọn một FET cho một ứng dụng cụ thể, điều quan trọng là phải xem xét các yếu tố như điện áp nguồn-drain, dòng điện drain, sự tiêu hao công suất, và tốc độ chuyển mạch. Việc đóng gói của FET cũng đóng một vai trò quan trọng, đặc biệt trong các thiết kế nhỏ gọn hoặc gắn bề mặt. Công nghệ Trench MOSFET, như được sử dụng trong 2N7002,215, cung cấp hiệu suất cải thiện bằng cách giảm điện trở trạng thái bật và tăng tốc độ chuyển mạch.

Đối với các ứng dụng cần chuyển mạch nhanh và mất mát công suất thấp, MOSFET N-channel như 2N7002,215 là lý tưởng. Khả năng hoạt động ở điện áp cổng mức logic làm cho chúng phù hợp để kết nối với vi điều khiển và các mạch logic số khác. Hơn nữa, gói SOT23 nhỏ gọn cho phép sử dụng không gian hiệu quả trong thiết kế PCB.

Tóm lại, khi chọn MOSFET, các kỹ sư cần đánh giá cẩn thận các thông số kỹ thuật của linh kiện so với yêu cầu của ứng dụng của họ. 2N7002,215 cung cấp một sự kết hợp cân bằng giữa hiệu suất, độ tin cậy và khả năng tích hợp dễ dàng, làm cho nó trở thành một lựa chọn linh hoạt cho nhiều loại thiết kế điện tử.

Chỉ số Phổ Biến của PartsBox

  • Doanh nghiệp: 5/10
  • Sở thích: 3/10

Cơ sở dữ liệu linh kiện điện tử

Popular electronic components