2N7002: MOSFET kênh N, 60V, 200mA, SOT-23
onsemi

2N7002 là một MOSFET kênh N tín hiệu nhỏ được thiết kế và sản xuất bởi onsemi. Sử dụng công nghệ DMOS mật độ tế bào cao của onsemi, MOSFET này được thiết kế để cung cấp điện trở trạng thái bật thấp trong khi vẫn duy trì hiệu suất chuyển mạch và độ tin cậy cao. Nó đặc biệt thích hợp cho các ứng dụng điện áp thấp, dòng điện thấp, cung cấp giải pháp hiệu quả cho việc điều khiển cổng MOSFET công suất và các hoạt động chuyển mạch khác.

Linh kiện được đóng gói trong vỏ SOT-23, cung cấp diện tích nhỏ gọn phù hợp cho các thiết kế điện tử khác nhau. Thiết kế của nó nhắm đến các ứng dụng yêu cầu quản lý và kiểm soát năng lượng hiệu quả, chẳng hạn như điều khiển động cơ servo, nơi khả năng chuyển mạch nhanh và độ bền của nó mang lại lợi ích. Thiết bị cũng được chú ý nhờ khả năng dòng bão hòa cao, nâng cao hơn nữa hiệu suất của nó trong các ứng dụng đòi hỏi khắt khe.

Các thông số kỹ thuật và tính năng chính

  • Điện áp Drain-Source (VDSS): 60V
  • Điện áp Gate-Source (VGSS): ±20V
  • Dòng Drain liên tục (ID): 200mA
  • Dòng Drain xung (IDM): 500mA
  • Công suất tiêu tán (PD): 400mW
  • Điện trở nhiệt, Junction to Ambient (RθJA): 625°C/W
  • Điện áp ngưỡng Gate (VGS(th)): 1 đến 2.5V
  • Điện trở bật tĩnh Drain-Source (RDS(on)): 1.2 đến 7.5Ω
  • Dải nhiệt độ hoạt động và lưu trữ: -55 đến 150°C

Bảng dữ liệu 2N7002

Bảng dữ liệu 2N7002 (PDF)

2N7002 Linh kiện thay thế
Các linh kiện thay thế tương đương có thể dùng làm vật thay thế cho 2N7002, các linh kiện phổ biến nhất trước tiên

Ứng dụng

  • Quản lý năng lượng điện áp thấp
  • Điều khiển động cơ servo
  • Điều khiển cổng MOSFET công suất
  • Các ứng dụng chuyển mạch đa năng

Danh mục

Transistor

Thông tin chung

MOSFET kênh N là các linh kiện cơ bản trong thiết kế điện tử, đóng vai trò là công tắc hoặc bộ khuếch đại hiệu quả trong mạch. Chúng hoạt động bằng cách sử dụng điện trường để kiểm soát độ dẫn điện của một 'kênh', trong trường hợp này là vật liệu bán dẫn loại N, cho phép hoặc ngăn dòng điện chạy giữa các cực máng (drain) và cực nguồn (source). Cực cổng (gate) nhận điện áp điều khiển.

Khi chọn MOSFET Kênh N, một số yếu tố rất quan trọng: điện áp cực máng-cực nguồn tối đa (VDSS), cho biết điện áp tối đa mà MOSFET có thể chặn; dòng điện cực máng (ID), là dòng điện tối đa mà thiết bị có thể dẫn; và điện áp cực cổng-cực nguồn (VGSS), là dải điện áp mà cực cổng có thể xử lý an toàn. Ngoài ra, điện trở trạng thái bật (RDS(on)) rất quan trọng vì nó ảnh hưởng đến tổn thất điện năng và hiệu suất của MOSFET ở trạng thái dẫn.

Các ứng dụng cho MOSFET kênh N rất rộng lớn, từ quản lý và chuyển đổi năng lượng đến điều khiển động cơ và khuếch đại tín hiệu. Khả năng chuyển mạch nhanh chóng và hiệu quả cao làm cho chúng phù hợp cho cả mạch analog và kỹ thuật số. Các kỹ sư phải xem xét các yêu cầu cụ thể của ứng dụng, bao gồm khả năng xử lý dòng điện cần thiết, mức điện áp và tốc độ chuyển mạch, để chọn MOSFET phù hợp.

Hơn nữa, quản lý nhiệt là một cân nhắc quan trọng do nhiệt sinh ra trong quá trình hoạt động. Điện trở nhiệt và nhiệt độ tiếp giáp tối đa là các thông số kỹ thuật chính giúp đảm bảo MOSFET hoạt động trong giới hạn nhiệt độ an toàn, bảo vệ độ tin cậy và tuổi thọ của nó.

Chỉ số phổ biến PartsBox

  • Doanh nghiệp: 5/10
  • Sở thích: 5/10

Cơ sở dữ liệu linh kiện điện tử

Popular electronic components