SSM3K2615R,LF: MOSFET kênh N, 60V, 2A, SOT-23F, RDS(ON) thấp
Toshiba

SSM3K2615R,LF của Toshiba là một MOSFET kênh N được thiết kế cho quản lý năng lượng hiệu quả trong các mạch điện tử. Linh kiện này được đặt trong một gói SOT-23F nhỏ gọn, phù hợp cho các ứng dụng có không gian hạn chế. Nó có khả năng xử lý điện áp drain-source lên đến 60V và dòng drain liên tục 2A, với khả năng dòng drain xung lên đến 6A. MOSFET có điện trở drain-source thấp (RDS(ON)), với các giá trị tiêu biểu từ 230 mΩ tại điện áp cổng-source 10V đến 380 mΩ tại 3.3V, tăng cường hiệu quả hoạt động của mạch.

SSM3K2615R,LF được chứng nhận AEC-Q101, chỉ ra sự phù hợp của nó cho các ứng dụng ô tô. Nó hỗ trợ điện áp cổng 3.3-V, làm cho nó tương thích với các tín hiệu logic điện áp thấp. Linh kiện này chủ yếu được sử dụng trong công tắc tải và trình điều khiển động cơ, thể hiện sự đa dạng trong các ứng dụng. RDS(ON) thấp của nó đảm bảo tổn thất công suất tối thiểu trong quá trình hoạt động, góp phần vào hiệu quả năng lượng tổng thể của hệ thống.

Thông số và Tính năng Chính

  • Điện áp Drain-Source (VDSS): 60V
  • Điện áp Gate-Source (VGSS): ±20V
  • Dòng điện Drain (DC): 2A
  • Dòng điện xung Drain (IDP): 6A
  • Công suất tiêu thụ (PD): 1W (2W cho các xung lên đến 10s)
  • Nhiệt độ kênh (Tch): 150°C
  • Điện trở Drain-Source khi mở (RDS(ON)): 230mΩ đến 380mΩ
  • Điện áp kích Gate: 3.3V

SSM3K2615R,LF Bảng dữ liệu

SSM3K2615R,LF bảng dữ liệu (PDF)

SSM3K2615R,LF Thay Thế
Các linh kiện thay thế tương đương có thể phục vụ như một sự thay thế cho SSM3K2615R,LF, các linh kiện phổ biến nhất đầu tiên

Ứng dụng

  • Công tắc tải
  • Trình điều khiển động cơ

Danh mục

Transistor

Thông tin chung

MOSFET kênh N là các linh kiện quan trọng trong mạch điện tử, đóng vai trò như các công tắc hoặc bộ khuếch đại hiệu quả cho dòng điện. Chúng hoạt động bằng cách cho phép dòng điện chảy giữa các cực thoát và nguồn khi một điện áp được áp dụng lên cực cổng, kiểm soát hiệu quả dòng điện trong mạch. MOSFET kênh N được ưa chuộng trong các ứng dụng cần đến sự chuyển mạch nhanh, hiệu quả cao và độ tin cậy.

Khi chọn một MOSFET N-Channel, quan trọng là phải xem xét các thông số như điện áp drain-source, dòng điện drain, công suất phát tán, và điện trở drain-source. Điện áp và dòng điện drain-source xác định điện áp và dòng điện tối đa mà MOSFET có thể xử lý, trong khi điện trở on-affect ảnh hưởng đến hiệu quả của thiết bị bằng cách ảnh hưởng đến sự mất mát công suất trong quá trình hoạt động.

Quản lý nhiệt là một khía cạnh quan trọng khác, vì nhiệt độ quá cao có thể làm giảm hiệu suất và độ tin cậy của MOSFET. Do đó, việc hiểu biết về các đặc tính nhiệt và đảm bảo tản nhiệt đủ là cần thiết. Ngoài ra, loại và kích thước gói có thể ảnh hưởng đến sự lựa chọn MOSFET dựa trên không gian có sẵn và các yêu cầu nhiệt của ứng dụng.

Cuối cùng, điện áp kích thích cổng là một thông số quan trọng, vì nó xác định khả năng tương thích của MOSFET với các tín hiệu điều khiển trong mạch. Chọn một MOSFET với điện áp kích thích cổng phù hợp đảm bảo rằng thiết bị có thể được điều khiển hiệu quả bởi các mức logic của mạch.

Chỉ số Phổ Biến của PartsBox

  • Doanh nghiệp: 1/10
  • Sở thích: 0/10

Cơ sở dữ liệu linh kiện điện tử

Popular electronic components